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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...
除了上面的伏安特性曲線以外,對(duì)于二極管,你還需要知道兩個(gè)特性:二極管電容和反向恢復(fù)時(shí)間。這兩個(gè)特性掌握了之后,那對(duì)于通常的二極管來(lái)說(shuō),你該知道的基本上就...
齊納二極管,也稱為穩(wěn)壓二極管,是一種具有特殊功能的半導(dǎo)體器件。其工作原理基于PN結(jié)反向擊穿現(xiàn)象,能夠在電路中起到穩(wěn)定電壓的作用。本文將詳細(xì)闡述齊納二極管...
2024-05-22 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管PN結(jié)齊納二極管 982 0
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn),由化簡(jiǎn)的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
光電二極管,作為一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的關(guān)鍵器件,在現(xiàn)代電子技術(shù)中占據(jù)了舉足輕重的地位。從通訊、成像到傳感器技術(shù),光電二極管的應(yīng)用無(wú)處不在,為現(xiàn)代科技...
根據(jù)需求,設(shè)計(jì)依靠數(shù)字電路無(wú)法完成的電路, 該電路只能用于處理模擬信號(hào)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管模擬電路場(chǎng)效應(yīng)管 879 0
在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái),從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓,少數(shù)載流子難...
2023-03-17 標(biāo)簽:發(fā)光二極管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 868 0
本推文針對(duì)讀者提出的兩個(gè)問(wèn)題進(jìn)行系統(tǒng)解答,一是關(guān)于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗,二是如何把測(cè)試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真軟件,便于不斷調(diào)整條件后,實(shí)現(xiàn)仿真與實(shí)測(cè)的便捷對(duì)比。
最簡(jiǎn)單的電子設(shè)備是二極管。它通常被稱為半導(dǎo)體二極管,但從技術(shù)上講,二極管具有自己特定的電氣特性。所有電子設(shè)備都是如此。它們由獨(dú)特的電氣特性定義,即使可能...
光電傳感器是一種基于光電效應(yīng)的裝置,常用于檢測(cè)和測(cè)量光的強(qiáng)度、顏色、位置或者其他光學(xué)參數(shù)。它是實(shí)現(xiàn)光與電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化控制、光學(xué)儀器、...
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
發(fā)光二極管串聯(lián)和并聯(lián)后壓降會(huì)不會(huì)改變呢?發(fā)光二極管也屬于二極管中的一種,其內(nèi)部也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,由PN結(jié)的特性可知,當(dāng)PN結(jié)正向?qū)〞r(shí),其電流變化很...
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