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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。
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光伏電池片領(lǐng)域降本增效是推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的內(nèi)在牽引力,其中以提升光電轉(zhuǎn)換效率為目標(biāo)的光伏電池片技術(shù)變革是推動(dòng)降本增效的關(guān)鍵舉措之一。
三極管的放大倍數(shù)是衡量其放大能力的重要參數(shù),通常用β表示。計(jì)算三極管的放大倍數(shù)需要考慮多個(gè)因素,包括材料、結(jié)構(gòu)、工藝等。下面將詳細(xì)介紹三極管放大倍數(shù)的計(jì)...
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來(lái)源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長(zhǎng)這樣,但是用MOS管是測(cè)不出來(lái)高頻曲線的,只能測(cè)出低頻曲線,為什么呢,下面來(lái)簡(jiǎn)單盤(pán)一盤(pán)。
對(duì)半導(dǎo)體的深入理解無(wú)疑會(huì)對(duì)我們的生活產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響,尤其是面對(duì)任何涉及計(jì)算機(jī)或無(wú)線電波的電子設(shè)備。這其中的核心往往是硅,因此眾多科技巨頭會(huì)聚集在以硅為名...
2023-12-10 標(biāo)簽:PN結(jié) 2552 0
EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問(wèn)題,無(wú)論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET,他們的Datasheet中,一...
LED(發(fā)光二極管)燈珠發(fā)光的原理基于半導(dǎo)體的電學(xué)特性,具體來(lái)說(shuō),是基于PN結(jié)的電致發(fā)光效應(yīng)。
下面是貼片二極管封裝圖,一般帶白線的是陰極,如果不清楚,就用萬(wàn)用表調(diào)制二極管檔,當(dāng)出現(xiàn)零點(diǎn)幾伏壓降的時(shí)候,紅表筆就代表二極管陽(yáng)極,黑表筆代表陰極。
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFET簡(jiǎn)介與仿真
本推文第一部分是隧穿管TFET的仿真,第二部分是回答讀者在選擇用于仿真的電腦時(shí),該如何選擇給出自己淺薄的意見(jiàn)。
本推文針對(duì)讀者提出的兩個(gè)問(wèn)題進(jìn)行系統(tǒng)解答,一是關(guān)于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗,二是如何把測(cè)試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真軟件,便于不斷調(diào)整條件后,實(shí)現(xiàn)仿真與實(shí)測(cè)的便捷對(duì)比。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會(huì)同時(shí)向x方向和z方向擴(kuò)散,那么在角落位置就會(huì)形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對(duì)電場(chǎng)積分,我們看看隨著增長(zhǎng),即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng),柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 1906 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系(1)
我們?cè)谖闹蟹磸?fù)提及,電壓是電場(chǎng)的積分,而電場(chǎng)是電荷的積分,所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài),就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。
前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下,電流(包含電子電流和空穴電流)與電荷分布之間的關(guān)系,下面我們來(lái)看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關(guān)系。
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來(lái)建立圖片與圖片的關(guān)系。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見(jiàn)上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
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