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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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上期簡單描述了下PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)和耗盡區(qū)的形成過程,為方便后續(xù)定量研究,還是要從能帶圖入手,先看下平衡PN結(jié)的能帶圖吧,通過能帶圖,可以獲得PN結(jié)的很多...
半導(dǎo)體器件有四種基本結(jié)構(gòu),而PN結(jié)無疑是最常見,也是最重要的結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2447 0
按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié),在正向?qū)〞r(shí),背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 1102 0
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡單的Fulop模型對平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡,由化簡的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 1237 0
光電二極管是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于光照射在半導(dǎo)體材料上時(shí),光子與材料中的電子相互作用,激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生...
根據(jù)網(wǎng)友的實(shí)際反饋,大家對三極管以及其組成的電路會(huì)犯迷糊,根據(jù)這個(gè)反饋情況也說明了,三極管部分是學(xué)習(xí)電路的難點(diǎn),也是重點(diǎn)。
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