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標簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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用于自動頻率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應(yīng);當外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡...
2019-07-16 標簽:二極管PN結(jié)變?nèi)荻O管 1.6萬 0
pn結(jié)中電子向P區(qū),空穴向n區(qū)擴散,使p區(qū)帶負電,n區(qū)帶正電,形成由不能移動離子組成的空間電荷區(qū)(耗盡區(qū)),同時出現(xiàn)由耗盡層引起的內(nèi)建電場,使少子漂移...
摘要:這兩年,化合物半導(dǎo)體的發(fā)展得到國家的大力支持,化合物半導(dǎo)體具有高的電子遷移率,高的反向擊穿電壓等特性,在移動終端上得到廣泛的應(yīng)用。而創(chuàng)建化合物半導(dǎo)...
2019-03-08 標簽:PN結(jié) 1402 0
2017-11-09 標簽:二極管pn結(jié)單向?qū)щ?/a> 7.9萬 1
基于pn結(jié)的光生伏特效應(yīng),本文研究了一種非接觸式LED芯片在線檢測方法。通過測量pn結(jié)光生伏特效應(yīng)在引線支架中產(chǎn)生的光生電流,檢測LED封裝過程中芯片質(zhì)...
2012-07-31 標簽:非接觸式pn結(jié)光生伏特效應(yīng) 3149 0
pn結(jié)原理是什么 1.2.1 PN結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體的兩側(cè)通過擴散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半...
2010-02-26 標簽:pn結(jié)pn結(jié)原理 3647 0
PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?PN結(jié)的形成 (1)當P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時,由于交界面處存在載流子濃度的差異,這樣電子和空穴都要從濃度高
2010-02-26 標簽:PN結(jié) 3.2萬 0
PN結(jié)的單向?qū)щ娦? P端接電源的正極,N端接電源的負極稱之為PN結(jié)正偏
2009-11-12 標簽:PN結(jié)單向?qū)щ?/a> 6795 0
PN結(jié)的構(gòu)成 把一塊半導(dǎo)體硅片或鍺片,通過一定的工藝方法.一邊做成P型半導(dǎo)體,另一邊做成N型半導(dǎo)體,在兩者交界處就會形成一個薄層,這個薄層就是PN ...
2009-08-22 標簽:PN結(jié) 3046 0
PN結(jié)的形成及工作原理 當P型和N型半導(dǎo)體材料結(jié)合時,P 型( N型)材料中的空穴(電子)向N 型( P 型)材料這邊擴散,擴散的結(jié)果使得結(jié)
2008-12-21 標簽:PN結(jié) 8239 0
pn結(jié)的特性,PN結(jié)的擊穿特性,PN結(jié)的電容特性
PN結(jié)的擊穿特性: 當反向電壓增大到一定值時,PN結(jié)的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加,這種現(xiàn)象稱為PN
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