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      標(biāo)簽　>　SBD

      SBD

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      sbd技術(shù)

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標(biāo)簽：SBDSiCGaN 900 0

      碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析

      碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

      2023-12-19 標(biāo)簽：二極管MOSFETSBD 580 0

      改進(jìn)JBS結(jié)構(gòu)以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力

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      2023-11-23 標(biāo)簽：二極管SBD浪涌電流 653 0

      SiC SBD的高耐壓（反壓）特性

      SiC SBD的高耐壓（反壓）特性

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      2023-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SBDSiC 478 0

      【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）？

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      2023-12-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SBD 1252 0

      【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性

      【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性

      【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性

      2023-12-13 標(biāo)簽：二極管諧振電路SBD 635 0

      如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)（swap）呢？

      如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)（swap）呢？

      SWAP（交換）分區(qū)是一種通過(guò)在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間，然后將把內(nèi)存中暫時(shí)不常用的數(shù)據(jù)臨時(shí)存放到硬盤中

      2023-11-14 標(biāo)簽：Linux系統(tǒng)交換機(jī)SBD 1105 0

      二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

      二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

      二極管通常是由PN結(jié)加上電極引線和外殼制成的， **基本特性是單向?qū)щ娦?* 。

      2023-10-25 標(biāo)簽：二極管SBD整流管 6533 0

      混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

      混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

      IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(S...

      2023-09-22 標(biāo)簽：二極管IGBT分立器件 375 0

      肖特基二極管的原理和優(yōu)缺點(diǎn)

      肖特基二極管的原理和優(yōu)缺點(diǎn)

      肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。...

      2023-07-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體PN結(jié) 3137 0

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      sbd資訊

      北京順義泰科天潤(rùn)項(xiàng)目一期投資4億元，預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)

      3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn)，其中包括泰科天潤(rùn)建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

      2024-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET晶圓 942 0

      ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

      ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

      二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通...

      2024-03-15 標(biāo)簽：二極管MOSSBD 367 0

      京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

      京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

      功率器件，是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備，京瓷集團(tuán)一直向市場(chǎng)提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。

      2024-02-23 標(biāo)簽：散熱片功率器件SBD 946 0

      羅姆推出新型SBD

      來(lái)源：Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 ROHM（羅姆）開(kāi)發(fā)了100V擊穿肖特基勢(shì)壘二極管 (SB...

      2024-02-21 標(biāo)簽：SBD羅姆 370 0

      ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

      ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路和保護(hù)電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢(shì)壘...

      2024-01-24 標(biāo)簽：SBDRohm 417 0

      液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

      液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

      碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢(shì)。

      2023-12-18 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓SBD 1204 0

      SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

      SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

      功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

      2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件SBDSiC 753 0

      【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的金屬差異

      【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的金屬差異

      【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的金屬差異

      2023-12-13 標(biāo)簽：二極管MOSFETSBD 522 0

      ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

      ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex...

      2023-09-14 標(biāo)簽：SBD功率模塊Rohm 550 0

      肖特基二極管失效機(jī)理

      肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開(kāi)關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，...

      2023-08-29 標(biāo)簽：二極管肖特基二極管SBD 1800 0

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      sbd數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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