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sic知識(shí)

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  營(yíng)收首降，斯達(dá)半導(dǎo)能否找到下一個(gè)風(fēng)口？

  作為國(guó)內(nèi)市占率第一、全球排名第六的IGBT龍頭企業(yè)，斯達(dá)半導(dǎo)在2024年上半年業(yè)績(jī)突然踩下剎車。昔日的高歌猛進(jìn)為何戛然而

  2024-09-20 標(biāo)簽： IGBT 家電 鍺半導(dǎo)體 74 0

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  三相全橋SiC MOSFET模塊，為車載空調(diào)壓縮機(jī)提供創(chuàng)新解決方案

  1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu)，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材

  2024-09-18 標(biāo)簽： MOSFET 壓縮機(jī) SiC 73 0

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  碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

  碳化硅（SiC）功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的

  2024-09-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 功率器件 SiC 188 0

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  碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

  在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有

  2024-09-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 功率器件 SiC 165 0

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  唯樣代理IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)

  近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車獲得更長(zhǎng)的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重

  2024-09-13 標(biāo)簽： 英飛凌 新能源汽車 IGBT 174 0

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  皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

  在切割脆性 SiC 晶片時(shí)，必須減少或完全消除機(jī)械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機(jī)械變化降至最低。同時(shí)還應(yīng)優(yōu)先

  2024-09-11 標(biāo)簽： 激光器 SiC 碳化硅 818 0

• PiN二極管和SiC二極管的區(qū)別

  PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個(gè)方面存在顯著差異

  2024-09-10 標(biāo)簽： 二極管 半導(dǎo)體 SiC 100 0

• SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

  SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（S

  2024-09-10 標(biāo)簽： MOSFET 功率器件 SiC 233 0

• 什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

  SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材

  2024-09-10 標(biāo)簽： 功率器件 SiC 碳化硅 139 0

• SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

  SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將

  2024-09-10 標(biāo)簽： 二極管 半導(dǎo)體 SiC 191 0

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