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營(yíng)收首降，斯達(dá)半導(dǎo)能否找到下一個(gè)風(fēng)口？

作為國(guó)內(nèi)市占率第一、全球排名第六的IGBT龍頭企業(yè)，斯達(dá)半導(dǎo)在2024年上半年業(yè)績(jī)突然踩下剎車。昔日的高歌猛進(jìn)為何戛然而止？ 8月31日，國(guó)內(nèi)IGBT龍...

2024-09-20 標(biāo)簽：IGBT家電鍺半導(dǎo)體 74 0

專訪博世半導(dǎo)體高管：8英寸SiC產(chǎn)線良率高，用SiC創(chuàng)新應(yīng)對(duì)價(jià)格戰(zhàn)

博世半導(dǎo)體在中國(guó)的策略是怎樣的？在8英寸碳化硅的布局和量產(chǎn)節(jié)奏如何？在此次展會(huì)上，博世半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域帶來(lái)的旗艦產(chǎn)品有哪些優(yōu)勢(shì)？和本土供應(yīng)商對(duì)比，博世...

2024-09-20 標(biāo)簽：SiC功率模塊pcim 262 0

碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

2024-09-16 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 68 0

2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V，工作頻率可達(dá)30kHz，輸出功率可達(dá)300...

2024-09-18 標(biāo)簽：模塊MOSFETSiC 88 0

唯樣代理IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)

近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車獲得更長(zhǎng)的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要...

2024-09-13 標(biāo)簽：英飛凌新能源汽車IGBT 174 0

2025年SiC芯片市場(chǎng)大揭秘：中國(guó)降價(jià)，產(chǎn)業(yè)變革！

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的背景下，碳化硅（SiC）作為一種新興的高性能半導(dǎo)體材料，正逐步成為推動(dòng)新能源汽車、智能電網(wǎng)、高速通信等領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵力量。近年...

2024-09-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiC 188 0

聚焦綠色能源四大細(xì)分市場(chǎng)，英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會(huì)

在PCIM Asia展上，英飛凌展示了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率電子產(chǎn)品組合，其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居...

2024-09-04 標(biāo)簽：英飛凌SiCGaN 2514 0

SiC上車加速，迎逆變器“高光時(shí)刻”！四大國(guó)際巨頭新品揭秘

近日，國(guó)際調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Group發(fā)布報(bào)告顯示，SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)是電動(dòng)汽車市場(chǎng)。Yole分析師表示，SiC 已逐漸在電動(dòng)車主驅(qū)逆變器中扮演主要角...

2024-09-05 標(biāo)簽：逆變器功率器件SiC 3843 0

芯聯(lián)集成：上半年?duì)I收增長(zhǎng)14.27%，預(yù)計(jì)SiC業(yè)務(wù)全年貢獻(xiàn)近10億

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）與2023年相比，大多數(shù)芯片廠商都能在今年實(shí)現(xiàn)減虧，開(kāi)始逆勢(shì)上漲。芯聯(lián)集成在今年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.80億元，同比增長(zhǎng)14...

2024-09-05 標(biāo)簽：SiC芯聯(lián)集成 2319 0

引領(lǐng)電動(dòng)汽車革新，羅姆PCIM展重磅展出二合一SiC模塊

8月28日到30日，羅姆半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia），在本次展會(huì)上，羅姆首次展...

2024-09-03 標(biāo)簽：SiC功率模塊羅姆 5190 0

羅姆半導(dǎo)體推動(dòng)SiC MOSFET技術(shù)進(jìn)步，與吉利汽車展開(kāi)深度合作

近日，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功應(yīng)用于吉利電動(dòng)車品牌極氪的三款車型中，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入了一個(gè)新的發(fā)展階段。這項(xiàng)合作不僅展...

2024-09-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC羅姆半導(dǎo)體 240 0