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Cool-MOS的定義、優(yōu)勢(shì)及實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題分析
對(duì)于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu), Rdson 與BV 這一對(duì)矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI 參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EP...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過(guò)顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
如何提高開(kāi)關(guān)電源芯片MOSFET雪崩可靠性?
當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后,半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過(guò)碰撞電離開(kāi)始倍增,這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的,所以我們稱之為雪崩擊穿。
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