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功率元器件

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功率元器件技術(shù)

什么是IGBT IPM 有什么特點

什么是IGBT IPM 有什么特點

IPM代表“Intelligent Power Module”,它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導體器件,以及它們的驅(qū)動電路和保護電路...

2024-02-23 標簽:IGBTIPM功率元器件 1017 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

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率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。

2023-08-23 標簽:MOSFETIGBTSiC 913 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法

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SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...

2023-05-08 標簽:MOSFET柵極SiC 876 0

整流橋是如何設(shè)計選型的

整流橋是如何設(shè)計選型的

整流橋作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn) 把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。

2023-04-20 標簽:整流橋交流電壓功率元器件 2950 0

探討正電壓浪涌的對策和其效果

探討正電壓浪涌的對策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導通時柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件(II),即HS(非開關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一...

2023-02-28 標簽:MOSFETSiC功率元器件 205 0

何謂碳化硅

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表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...

2023-02-22 標簽:半導體SiC功率元器件 2890 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)

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作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...

2023-02-13 標簽:MOSFET全橋電路功率元器件 4578 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

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在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。

2023-02-09 標簽:MOSFETSiC浪涌 993 0

測量柵極和源極之間電壓時需要注意的事項

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...

2022-09-14 標簽:散熱器柵極功率元器件 892 0

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

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MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...

2021-06-12 標簽:MOSFETSiC功率元器件 2813 0

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功率元器件資訊

羅姆:先進的半導體功率元器件助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

羅姆:先進的半導體功率元器件助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢?,對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...

2024-07-19 標簽:半導體逆變器功率元器件 171 0

先進的半導體功率元器件工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

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先進的半導體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

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如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常

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當絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時,在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge,PD)...

2024-05-28 標簽:功率元器件 190 0

國產(chǎn)碳化硅進擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢

隨著新能源汽車、光伏和儲能等市場的快速發(fā)展,國內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進入商業(yè)化階段。國際功率半導體巨頭對該產(chǎn)業(yè)表達了濃厚的興趣,并與國內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕...

2023-07-10 標簽:新能源汽車功率半導體碳化硅 1538 0

【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計算

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在現(xiàn)代工業(yè)的各種應(yīng)用中,經(jīng)常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當作輸出的驅(qū)動電路,其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會上、下交替導通的...

2023-05-31 標簽:英飛凌IGBT功率元器件 2347 0

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全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-24 標簽:GaN羅姆半導體功率元器件 607 0

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

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SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通...

2023-02-09 標簽:轉(zhuǎn)換器SiC功率元器件 543 0

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在以前的ECU中,大多數(shù)將繼電器用作驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,后來這種機械繼電器開始向半導體開關(guān)轉(zhuǎn)換。并且這一趨勢迅速席卷了整車各個應(yīng)用,尤其是在電機和加熱...

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ROHM Solution Simulator新增熱分析功能

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近年來,功率元器件在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中發(fā)揮著非常重要的作用。在涉及到大功率和高電壓的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)過程中,特別是在預先確保安全性方面,仿真是一種行之有效的方法...

2022-11-09 標簽:元器件Rohm功率元器件 631 0

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功率元器件數(shù)據(jù)手冊

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    Siri是蘋果公司在其產(chǎn)品iPhone4S,iPad 3及以上版本手機和Mac上應(yīng)用的一項智能語音控制功能。
  • 基帶芯片
    基帶芯片
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    基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號,或?qū)邮盏降幕鶐盘栠M行解碼的芯片。具體地說,就是發(fā)射時,把語音或其他數(shù)據(jù)信號編碼成用來發(fā)射的基帶碼;接收時,把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號,它主要完成通信終端的信息處理功能。
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    世強
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    MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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    受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視,未來3年,中國便攜醫(yī)療電子市場年復合增長率將超過30%!其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴大到2011的280億元!

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吳尚飛

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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