安德根4月10日在美國(guó)華盛頓杜勒斯國(guó)際機(jī)場(chǎng)接受媒體采訪，針對(duì)“美國(guó)希望韓國(guó)限制對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口”的擔(dān)憂表態(tài)，韓國(guó)在堅(jiān)持聯(lián)盟政策的基礎(chǔ)上，努力維持與中國(guó)...

2024-04-12 標(biāo)簽：三星電子半導(dǎo)體設(shè)備芯片法案 321 0

美國(guó)科研經(jīng)費(fèi)削減，預(yù)算壓力增大

據(jù)美國(guó)物理學(xué)會(huì)（AIP）發(fā)布的報(bào)告，該法案對(duì)16家科研機(jī)構(gòu)的2024年聯(lián)邦預(yù)算產(chǎn)生了影響。其中，4家機(jī)構(gòu)經(jīng)費(fèi)略增，11家機(jī)構(gòu)預(yù)算遭削減，另有1家預(yù)算保持不變。

2024-04-11 標(biāo)簽：科研預(yù)算芯片法案 334 0

美半導(dǎo)體行業(yè)需《芯片法案》2.0支持，補(bǔ)貼方式與金額引發(fā)爭(zhēng)議

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格作為《芯片與科學(xué)法案》2022年的主要收益方之一，曾在今年3月的公司公告中就此問(wèn)題表述道：“《芯片法案》1.0并非重建美國(guó)半...

2024-04-01 標(biāo)簽：英特爾半導(dǎo)體制造業(yè) 632 0

全球半導(dǎo)體補(bǔ)貼賽愈演愈烈，臺(tái)積電成最大贏家

據(jù)悉，臺(tái)積電制造股份有限公司（TSMC）在2023年度從中國(guó)大陸和日本政府獲得約15.1億美元的補(bǔ)貼。日本政府更是大方承諾，將向TSMC支付超過(guò)1萬(wàn)億日...

2024-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)臺(tái)積電芯片法案 338 0

美國(guó)商務(wù)部擬公告《芯片法案》補(bǔ)貼英特爾等公司

消息顯示，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)吉娜·萊蒙多定于下月26日參加戰(zhàn)略與國(guó)際研究中心（CSIS）的“美國(guó)恢復(fù)創(chuàng)新”會(huì)議，并通報(bào)《芯片法案》最新進(jìn)展。近日有消息透露，大...

2024-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子芯片法案 463 0

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)呼吁推動(dòng)第二部芯片法案，助力全球半導(dǎo)體主導(dǎo)地位

雷蒙多在參加英特爾IFS Direct Connect 2024代工活動(dòng)時(shí)呼吁稱，為了實(shí)現(xiàn)美國(guó)成為全球芯片強(qiáng)國(guó)有必要進(jìn)行聯(lián)邦補(bǔ)助。她提出了制定第二部《C...

2024-02-25 標(biāo)簽：芯片產(chǎn)業(yè)鏈芯片法案 617 0

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多呼吁推動(dòng)第二部《芯片法案》

在此次IFS Direct Connect 2024代工大會(huì)上，雷蒙多強(qiáng)調(diào)了政府補(bǔ)助對(duì)于幻想美國(guó)成為半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)的必要性。她表示，為了支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的室內(nèi)...

2024-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體供應(yīng)鏈芯片法案 441 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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