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使用二級管,導通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向導通時,在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導通,這樣通過電流時幾乎不產生壓降。...
大容值的MLCC電容,耐電壓擊穿電壓波動能力其實是比較弱的,再加之電容生產過程的陶瓷介質片的厚度一致性難控制問題,電壓波動、上電浪涌電壓等場合下,MLCC電容被擊穿也就在所難免了。...
其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小,芯片工作中產生的熱量主要通過熱傳導的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過程中會遇到一定的阻力,稱為導熱熱阻。...
在標準NPC的基礎上,把鉗位二極管換成主開關管,就形成了ANPC,用于解決NPC損耗分布不均帶來的熱不均 根據不同的發(fā)波方式,開關管的電流會有所不同,以下分別討論...
SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是在汽車電動化趨勢的推動下,其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。 根據Yole Group的報告,汽車行業(yè)對SiC功率器件的需求主要來自于電動汽車動力系統(tǒng)的升級需求,包括更高的電池容量和逆變器性能的提升。...
在二極管外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場時,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。...
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態(tài)電壓抑制器,也被稱為雪崩擊穿二極管,是一種二極管形式的高效能保護器件。...
前端放大器的內部ESD二極管有時會用來箝位過壓狀況,但為了確保這種箝位能夠提供充分可靠的保護,需要考慮許多因素。...
正反饋提高了電路的放大能力(可以自己根據運放特性想象一下), 在正反饋中,輸入和輸出信號的相位相似,因此兩個信號相加,適用于振蕩電路中。...
推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一對開關來實現(xiàn),在芯片中一般使用晶體管 / 場效應管。...
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術,防止運行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結構采用了彈簧結構,可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對底板進行加工設計,使底板與散熱器緊密接觸,提高了模塊的熱循環(huán)能力。...
如何理解“虛斷”呢?由于運放的差模輸入電阻很大,一般通用型運算放大器的輸入電阻都在 1MΩ以上。因此流入運放輸入端的電流往往不足 1uA,遠小于輸入端外電路的電流。...
SiC市場格局仍由海外巨頭主導,市占率排名依次是:意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。...
調節(jié)電壓旋鈕選擇器件反向耐壓,將電壓設置到300V。在測試時,紅色夾子和黑色夾子同輸入交流電市電無隔離,請勿冒險將示波器探頭和夾子連接。...
電動汽車(xEV)市場的擴大帶來了電氣化、零部件集成化、電子控制單元(ECU)小型化和低噪音電機等市場需求。...
傳統(tǒng)的GaN異質外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過程中,如藍寶石就特別困難,會產生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術也有待進一步提高。...
電容是由兩塊平行的導電極板所構成,充電時以電場形式進行能量儲存。并可以在放電電路中把儲存的能量釋放。...
當單板啟動時,SLP_S3會輸出3V3電平,此時Q14的ib=(3.3-0.7)/2K=1.3mA;按三極管處于放大區(qū)時hFE=100計算,ic=100*1.3mA=130mA,已經超過了ic的飽和電流1.2mA(12V/10K)。...
每當沿著一條導線驅動信號時,該導線周圍都會產生磁場。如果兩根導線相鄰放置,兩個磁場可能會相互作用,導致信號之間的能量交叉耦合,稱為串擾。...