DS1685/DS1687為一款實時時鐘(RTC)，設計作為工業(yè)標準的DS1285、DS1385、DS1485以及DS1585 PC RTC的替代產(chǎn)品。
2012-10-19 14:04:46
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富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:234212 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風險”狀態(tài)，無論是在正常運行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610429 
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:218085 STM32處理器內(nèi)部集成了實時時鐘控制器（RTC）,因此在實現(xiàn)實時時鐘功能時，無須外擴時鐘芯片即可構建實時時鐘系統(tǒng)。
2023-07-22 15:41:202616 
在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
有源程序的，HC6800開發(fā)板，研究的自改端口14 RTC實時時鐘(DS1302).zip
2018-06-28 05:19:49
有源程序的，HC6800開發(fā)板，研究的自改端口DS1302電路圖.jpg 14 RTC實時時鐘(DS1302).zip
2018-07-05 01:47:08
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進行隨機讀寫，訪問速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機存取存儲器，是一種可讀/寫存儲器，一般用于計算...
2021-07-26 08:08:39
設計（重點）位擴展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴展（地址串聯(lián)法）【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
藍橋杯單片機比賽系列5實時時鐘RTCRTC原理相關電路時鐘寄存器代碼解釋修改代碼自寫代碼實現(xiàn)代碼RTC原理相關電路實時時鐘芯片采用DS1302，需要三個引腳和單片機相連。DS1302有自己的指令協(xié)議
2022-01-17 07:40:19
實時時鐘rtc的工作原理，一 RTC 概述 1.定義：RTC的英文全稱是Real-Time Clock,翻譯過來是實時時鐘芯片。RTC芯片是一種能提供日歷/時鐘（世紀、年、月、時、分、秒）及數(shù)據(jù)存儲
2021-07-27 08:15:25
合適的器件。本還重點討論了內(nèi)置MEMS諧振器的DS3231M，用于替代晶振方案。 實時時鐘RTC DS323x高精度實時時鐘的功耗考慮DS3231/DS3232通過設置溫度更新周期，能夠在保持較高時鐘
2014-03-14 11:05:03
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結構中主要半導體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
【作者】：方潔;陳偉;【來源】：《電子設計工程》2010年02期【摘要】：為避免電路系統(tǒng)在上電或斷電后出現(xiàn)計時不準確的異常狀況,提出采用高精度時鐘芯片DS3231的解決方案。介紹DS3231的特點
2010-04-24 09:01:26
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態(tài)隨機存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
字節(jié)的靜態(tài)隨機存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-17 08:30:02
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
鐵電存儲器的高精度實時時鐘優(yōu)勢分析
2010-12-11 16:34:27
38 DS3234 高精度、SPI總線RTC，集成晶體和SRAM
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI™總線的實時時鐘(RTC)，集成了溫度補償晶體振蕩器(TCXO)和晶體
2008-11-27 18:01:342659 
第三十一講 隨機存取存儲器
9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM的基本結構和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：DS3231/DS3232通過設置溫度更新周期，能夠在保持較高時鐘精度的同時大大降低器件的電流損耗。
概述隨著DS3231超高精度、I²C*兼容的集成RTC/TCXO/晶振的
2009-04-21 11:20:331186 
名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592215 DS3231是低成本、高精度I2C實時時鐘(RTC)，具有集成的溫補
2010-11-12 09:17:514211 
DS3231M是低成本、高精度I²C實時時鐘(RTC)。該器件包含電池輸入端，斷開主電源時仍可保持精確計時。集成微機電
2010-12-02 09:27:405280 
賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實時時鐘(RTC)含有一個實時時鐘/日歷和31 × 8位靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 本文介紹了Maxim的幾款實時時鐘(RTC)芯片，列出了DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35之間的性能差異
2012-04-12 10:50:0914061 DS1339A串行實時時鐘(RTC)是一種低功耗時鐘/日期有兩個可編程定時鬧鐘和可編程方波輸出設備。
2012-08-07 15:09:332880 
所謂「隨機訪問」，指的是當存儲器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011795 美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819726 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是STM32同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1143325 隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是使用DSP進行靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:271949 新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“內(nèi)部快取記憶體”應運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結晶狀體所構成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:166108 UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 中應用最為廣泛的消費類電子產(chǎn)品之一。它為人們提供精確的實時時間,或者為電子系統(tǒng)提供精確的時間基準,目前實時時鐘芯片大多采用精度較高的晶體振蕩器作為時鐘源。對于STM32F的RTC實時時鐘提供了一個日歷時鐘，兩個可編程鬧鐘中斷和一個具有中斷功能的可編程喚醒標
2021-12-04 18:06:0617 字節(jié)的靜態(tài)隨機存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-18 09:27:051 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術設計和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術，該設備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機行業(yè)標準，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
，對晶體進行高精度的溫度補償能夠提高這些器件的時鐘精度。本文列出了幾款RTC(DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35)的性能差異，幫助用戶查找合適的器件。 DS3231 DS3231是一款精密的I2C接口實時時鐘，集成了溫度補償晶體振蕩器(TCXO)和晶體，以下列出了這
2022-12-11 19:55:071387 主要的非易失性存儲器技術包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲。功能操作類似于串行EEPROM，主要區(qū)別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲器以I2C接口的速度讀取或寫入。在寫入期間，無需輪詢設備以查找就緒條件。
2023-01-11 15:24:35483 
相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
實時時鐘(RTC: Real-Time Clock)是集成電路，通常稱為時鐘芯片。目前實時時鐘芯片大多采用精度較高的晶體振蕩器作為時鐘源。
2023-05-08 10:45:451654 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317 ADI是實時時鐘(RTC)產(chǎn)品的引領者，已經(jīng)設計了多款在市場上炙手可熱的實時時鐘產(chǎn)品，這些產(chǎn)品提供完全集成的高精度、溫度補償RTC方案。多數(shù)情況下，RTC的精度主要取決于晶振頻率隨溫度的變化。因此
2023-01-05 14:02:11921 
本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34820 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39359 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
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