氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">無線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">無線基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-08-16 07:57:10
器件封裝和最終系統(tǒng)裝配,都面臨多種特有的設(shè)計挑戰(zhàn)。我們在氮化鎵和相控陣技術(shù)(例如MPAR)領(lǐng)域不斷進(jìn)行創(chuàng)新,這有助于充分挖掘5G的潛力,可使基站OEM利用能夠簡化設(shè)計和制造流程的模塊化子系統(tǒng),在緊湊外形的條件下實現(xiàn)功率輸出和能源效率的最佳平衡。`
2017-08-03 16:28:14
器件封裝和最終系統(tǒng)裝配,都面臨多種特有的設(shè)計挑戰(zhàn)。我們在氮化鎵和相控陣技術(shù)(例如MPAR)領(lǐng)域不斷進(jìn)行創(chuàng)新,這有助于充分挖掘5G的潛力,可使基站OEM利用能夠簡化設(shè)計和制造流程的模塊化子系統(tǒng),在緊湊外形
2017-06-06 18:03:10
5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">無線基礎(chǔ)設(shè)施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-05 04:20:15
無線傳輸技術(shù)都有哪些,各有什么優(yōu)缺點,新手求助
2012-11-07 11:12:07
無線耳機(jī)分成哪幾種類型?調(diào)頻無線耳機(jī)的技術(shù)原理是什么?有什么優(yōu)缺點?紅外無線耳機(jī)的技術(shù)原理是什么?有什么優(yōu)缺點?
2021-06-16 08:04:06
,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們在電視、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會
2019-03-14 06:45:11
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?! ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會,使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
,并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日,聯(lián)想官方在電商平臺發(fā)起氮化鎵快充價格戰(zhàn),YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點,下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
% 的峰值效率,以及 19dB 的增益。在無線基站市場,該性能使得氮化鎵可以撼動LDMOS在基站功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位,并對基站性能和運(yùn)營成本產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵提供的顯著技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率
2017-08-15 17:47:34
波段,隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步,藍(lán)光激光器的性能在不斷提升?! D3、(a)氮化鎵/藍(lán)寶石模板和(b)GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比(圖中暗斑為位錯缺陷) 在襯底方面,早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
的關(guān)鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過驗證,這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用,并使其定位為最適合未來5G無線基礎(chǔ)設(shè)施的實際促技術(shù),其轟動性市場影響可能會遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
ADC技術(shù)有哪些分類?優(yōu)缺點是什么?
2021-10-18 08:36:19
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35
LED技術(shù)的優(yōu)缺點介紹
2021-01-01 06:05:25
電子、汽車和無線基站項目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大,成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件,與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛,在雷達(dá)、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設(shè)計創(chuàng)新大會上,MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計經(jīng)理劉鑫表示,硅襯底有一些優(yōu)勢,材料便宜,散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
MIMO的主要技術(shù)有哪幾種?它們有什么優(yōu)缺點?MIMO技術(shù)在3G中的應(yīng)用是什么?
2021-05-26 06:29:49
產(chǎn)品名稱:氮化鎵晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍:30 - 1200 MHz輸出功率(p3db):40 W在1 GHz線性增益:20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
`UWB室內(nèi)定位技術(shù)原理及優(yōu)缺點室內(nèi)定位技術(shù)在現(xiàn)今市場正處于蓬勃發(fā)展的狀態(tài),除了常見的藍(lán)牙、WIFI、地磁等,UWB技術(shù)也極為重要,而它的定位原理和優(yōu)缺點分別是什么呢?什么是UWB技術(shù)?UWB技術(shù)
2021-02-14 22:07:42
Wi-Fi和RF捷變收發(fā)器在寬帶無線應(yīng)用方面的優(yōu)缺點使用FPGA和AD9361/AD9364解決方案實現(xiàn)高清無線視頻傳輸?shù)年P(guān)鍵參數(shù)
2021-03-10 07:13:45
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
,在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn),將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
鎵晶圓的制作成為可能。Na Flux (Na Flux)工藝是將 Na/GaN溶液置于壓力30-40的氮?dú)?b class="flag-6" style="color: red">中,在該溶液中溶解氮并使其飽和,由此導(dǎo)致氮化鎵晶體沉淀。此項技術(shù)由山根久典教授于日本東北大學(xué)
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場,同時提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
什么是OFDM?有什么優(yōu)缺點?OFDM中降低PAPR的方法有哪些?
2021-10-09 07:41:27
什么是屏幕發(fā)聲呢?屏幕發(fā)聲技術(shù)的優(yōu)缺點有哪些?微振動單元激勵器與線性馬達(dá)在性能上有什么區(qū)別呢?
2021-07-26 07:37:57
。[color=rgb(51, 51, 51) !important]在5G的關(guān)鍵技術(shù)Massive MIMO應(yīng)用中,基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量(如32/64等)的陣列天線來實現(xiàn)了更大的無線數(shù)據(jù)流量和連接可靠性
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
客戶測試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景:3C消費(fèi)類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
的測試,讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細(xì)節(jié)問題,泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課,氮化鎵電源設(shè)計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
壓擺率很高時,特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感,并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動器還可以實現(xiàn)保護(hù)功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
手持式無線電中。因此,供應(yīng)商相信手機(jī)中將來也會用上氮化鎵器件。商業(yè)應(yīng)用雖然已經(jīng)用在了基站里面,但普通手機(jī)要用上射頻氮化鎵技術(shù),還需要等待很長的時間。一方面,移動運(yùn)營商正在竭力滿足爆炸式增長的數(shù)據(jù)流量需求。根據(jù)
2016-08-30 16:39:28
重新設(shè)計壓降檢測精度更高的保護(hù)芯片,來適配氮化鎵在鋰電池保護(hù)電路中的應(yīng)用。性能方面介紹完畢后,是不是開始有點心動。還有個大家關(guān)心的話題繞不開,自然就是成本。目前氮化鎵單顆的成本相比傳統(tǒng)MOS略高,但是
2023-02-21 16:13:41
藍(lán)牙具有哪些優(yōu)缺點?Wi-Fi具有哪些優(yōu)缺點?ZigBee具有哪些優(yōu)缺點?
2021-06-15 07:58:40
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
阻礙業(yè)界在各種應(yīng)用中采納氮化鎵器件,例如氮化鎵器件不僅使能激光雷達(dá)應(yīng)用,而且在硅MOSFET以前占據(jù)主導(dǎo)地位的傳統(tǒng)應(yīng)用中,如數(shù)據(jù)中心和車載電子,也逐漸轉(zhuǎn)用氮化鎵器件。本文將揭穿關(guān)于氮化鎵技術(shù)的最常見誤解
2023-06-25 14:17:47
物聯(lián)網(wǎng)無線連接技術(shù)有哪些?以太網(wǎng)、串口通信技術(shù)、Modbus、GPRS、NFC、 LoRa有哪些優(yōu)缺點?
2021-06-16 07:25:23
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對比的,是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48
紅外與藍(lán)牙技術(shù)有什么不同?有什么優(yōu)缺點?
2021-06-02 07:08:04
的應(yīng)用,但是人們對于藍(lán)牙技術(shù)并沒有過多的認(rèn)識,除了在手機(jī)藍(lán)牙的傳輸功能與語音功能的應(yīng)用外,對于無線打印機(jī)、無線會議等藍(lán)牙應(yīng)用沒有足夠的認(rèn)識。因此,在未來的藍(lán)牙技術(shù)發(fā)展中,應(yīng)對藍(lán)牙技術(shù)進(jìn)行宣傳,將成
2020-06-23 14:51:49
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
無可爭議的冠軍。它已經(jīng)在雷達(dá)和5G無線技術(shù)中得到了應(yīng)用,很快將在電動汽車的逆變器中普及。你甚至可以買到基于氮化鎵的USB壁式充電器,它們體積小且功率非常高。不過,還有比它更好的東西嗎?有能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36
:FreeRTOS是一個源碼公開的免費(fèi)的嵌入式實時操作系統(tǒng),通過研究其內(nèi)核可以更好地理解嵌入式操作系統(tǒng)的實現(xiàn)原理.本文主要闡述FreeRTOS系統(tǒng)中的任務(wù)調(diào)度機(jī)制、時間管理機(jī)制、任務(wù)管理機(jī)制以及內(nèi)存分配策略的實現(xiàn)原理,并指出FreeRTOS在應(yīng)用中的優(yōu)缺點。在嵌入式領(lǐng)域中,嵌入式實時操作系統(tǒng)...
2021-12-20 06:34:43
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
nfc技術(shù)參數(shù)及優(yōu)缺點分析。nfc近場通信技術(shù),又稱近距離無線通信,是一種短距離的高頻無線通信技術(shù),允許電子設(shè)備之間進(jìn)行非接觸式點對點數(shù)據(jù)傳輸(在十厘米內(nèi))交換數(shù)據(jù)。
2017-12-13 17:34:1424045 物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用已經(jīng)深入我們生活,方方面面都能出現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)項目應(yīng)用。那么,物聯(lián)網(wǎng)無線連接技術(shù)有哪些呢?本文以6類無線技術(shù)為例,深刻分析各類優(yōu)缺點。
2019-01-21 10:00:195236 在實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的短距無線通訊技術(shù)里面,藍(lán)牙、Wi-Fi、zigbee 是目前應(yīng)用最為廣泛的三種短距無線通訊技術(shù)。本文將詳細(xì)介紹并分析這三種物聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)的優(yōu)缺點。
2019-05-12 10:25:3717338 在實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的短距無線通訊技術(shù)里面,藍(lán)牙、Wi-Fi、zigbee 是目前應(yīng)用最為廣泛的三種短距無線通訊技術(shù)。本文將詳細(xì)介紹并分析這三種物聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)的優(yōu)缺點。
2019-05-17 14:27:1223013 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:262277 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性,將其結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:581044 氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302316
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