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N溝道器件實(shí)現(xiàn)高功率密度，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提高能效
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年10月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導(dǎo)通電阻比前代器件降低29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
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Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)以支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種高科技系統(tǒng)。隨著SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600?V EF系列器件的發(fā)布，Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)前兩級提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正（PFC）以及其后的DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊。典型應(yīng)用包括邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲、不間斷電源、高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器照明、太陽能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動和電池充電器。
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SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封裝器件低27 %，從而提高了額定功率，支持≥ 3 kW的各種應(yīng)用，同時器件高度低至2.3?mm，增加了功率密度。此外，MOSFET超低柵極電荷降至70 nC。器件的FOM為3.15 Ω*nC，比同類中最接近的MOSFET競品低2.27 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源提高能效。器件滿足服務(wù)器電源鈦效率的特殊要求，或通信電源達(dá)到98%的峰值效率。
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SiHK045N60EF有效輸出電容Co(er) 和Co(tr) 分別僅為171 pf和1069 pF，可改善零電壓開關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類中最接近的MOSFET競品低8.79 %，而其快速體二極管的Qrr低至0.8 μC，有助于提高橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可靠性。此外，MOSFET的PowerPAK 10 x 12封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能，最大結(jié)-殼熱阻額定值為0.45 °C/W。SiHK045N60EF熱阻抗比PowerPAK 8 x 8封裝器件低31%。
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日前發(fā)布的MOSFET符合 RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值 100% 通過 UIS 測試。
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SiHK045N60EF現(xiàn)可提供樣品并已量產(chǎn)，如想了解產(chǎn)品供貨周期的相關(guān)信息可與Vishay銷售聯(lián)系。
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Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速體二極管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM創(chuàng)業(yè)界新低
- Vishay(115517)
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2020-12-15 15:45:54
整流二極管型號匯總
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2015-11-04 22:40:35
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2021-04-25 14:03:51
整流二極管簡介
結(jié)構(gòu)符號用途?特征對電源部的一次側(cè)起到整流作用。容易獲得1A以上、400V/600V的高耐壓。整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進(jìn)行整流的二極管。整流
2019-04-11 02:06:13
普通二極管能代替整流二極管嗎？
正常情況下，要滿足穩(wěn)壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒有什么特殊的二極管。其性能也就沒有特點(diǎn)了。能不能代替整流二極管呢？根據(jù)二極管的使用原則，只要其耐壓
2021-05-26 16:49:24
普通硅二極管與肖特基二極管有什么不同
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為
2019-06-12 02:34:10
正向0.6V,反向1.9V,是什么二極管
用萬用表二極管檔量測，一個二極管，正向0.6V,反向1.9V,想問一下這是什么二極管？不用懷疑二極管二極管已經(jīng)壞掉，因?yàn)檠b有該二極管的產(chǎn)品可以正常使用，拆掉或換其它的二極管，產(chǎn)品無法工作。
2016-04-28 10:47:54
淺析肖特基勢壘二極管
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
理想二極管和熱插拔功能的實(shí)現(xiàn)
。熱插拔 MOSFET 斷開，/FAULT 引腳鎖定在低電平，以指示出現(xiàn)了故障。通過將 ON 引腳拉至低于 0.6V,可以使電子電路斷路器復(fù)位?！ ?電源優(yōu)先級 在傳統(tǒng)的二極管“或”多電源系統(tǒng)中，由電壓
2018-09-29 16:41:57
用MOSFET做功率因數(shù)校正的時候輸出端的二極管損壞
最近用mosfet做PFC boost電路交流160V升到直流400v的時候，直流側(cè)升到375v的時候電路輸出二極管爆炸，直接炸成兩半，后來測電路mosfet也壞了，一直弄不懂是什么原因，望各位大神指點(diǎn)。二極管用的型號是mur1560，開關(guān)頻率50KHz。
2019-01-10 15:18:26
直插瞬態(tài)電壓抑制二極管
件生產(chǎn)廠家東沃電子供應(yīng)的直插TVS二極管有：1）P4KE系列：封裝形式DO-41，脈沖功率400W，擊穿電壓6.8V-600V；2）SA系列：封裝形式DO-15，脈沖功率500W，擊穿電壓
2019-11-20 17:33:28
瞬態(tài)抑制二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別是什么
穩(wěn)壓二極管(Zener Diod 齊納二極管) A原理:它工作在電壓反向擊穿狀態(tài),當(dāng)反向電壓達(dá)到并超過穩(wěn)定電壓時,反向電流突然增大,而二極管兩端電壓恒定B分類： 從穩(wěn)壓高低分:低壓穩(wěn)壓二極管(200V) 從材料分:N型;P型 ...
2021-11-15 07:33:57
瞬態(tài)抑制二極管和ESD靜電二極管的區(qū)別
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級保護(hù)；TVS二極管用于初級和次級
2020-12-24 14:55:58
瞬態(tài)抑制二極管和ESD靜電二極管的區(qū)別有哪些？
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級保護(hù)；TVS二極管用于初級和次級
2021-12-30 17:52:36
碩凱600W和1500W瞬態(tài)抑制二極管
和1.5SMC系列1500W表面貼裝型產(chǎn)品。所有系列均提供5.0到550V電壓的產(chǎn)品可選，并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。SMBJ系列瞬態(tài)抑制二極管小尺寸的DO-214AA （SMB）封裝，產(chǎn)品的額定工作
2014-06-30 16:35:36
穩(wěn)壓二極管與普通二極管的區(qū)別有哪些？
常用的穩(wěn)壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當(dāng)殼體上的型號標(biāo)記清楚時，可根據(jù)型號加以鑒別。當(dāng)其型號標(biāo)志脫落時，可使用萬用表電阻擋很準(zhǔn)確地將穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管區(qū)別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管有何區(qū)別
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只?.4v，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
穩(wěn)壓二極管和TVS二極管有什么區(qū)別？
穩(wěn)壓二極管的功率一般不是很大。常用穩(wěn)壓二極管包括1W、2W等，其功率由允許溫升決定。事實(shí)上，它是穩(wěn)定電壓和電流的產(chǎn)物。例如穩(wěn)壓二極管1n4742a，其最大功率僅為1W，其穩(wěn)壓值為12V，因此通過它
2021-12-21 11:16:32
肖特基二極管VS快恢復(fù)二極管，誰能引領(lǐng)風(fēng)騷？
` 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管與開關(guān)二極管的不同之處
` 1、開關(guān)二極管是利用二極管的單向?qū)щ娦?，在半?dǎo)體PN結(jié)加上正向偏壓后，在導(dǎo)通狀態(tài)下，電阻很?。◣资綆装贇W）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關(guān)二極管的這一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的區(qū)別
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別是什么呢？
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只?.4V，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別
時間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向
2015-11-27 18:02:58
肖特基二極管怎么減少干擾？
MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應(yīng)MOSFET中的體二極管有一個主要缺點(diǎn)。由于反向恢復(fù)現(xiàn)象，其開關(guān)速度非常低。在反向恢復(fù)時間內(nèi)，電感（L1）導(dǎo)致開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓下降到比地電壓低幾
2020-12-16 16:57:38
肖特基二極管特點(diǎn)是什么？有哪些常用型號？
使用。 2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與 PN 結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N 外延層（砷材料）、N 型硅
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管的優(yōu)勢有哪些？
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2020-11-26 17:31:19
肖特基二極管的優(yōu)勢有哪些？
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2021-11-16 17:02:37
肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些？
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管的分類
已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關(guān)速度非常快：反向恢復(fù)時間trr特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。二
2016-03-22 14:55:18
肖特基二極管的命名是怎樣的？
Diode:也有簡寫為：SBD來命名產(chǎn)品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管下載：
2021-06-30 17:04:44
肖特基二極管的檢測方法
以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二極管耐壓一般在100V以下，沒有150V以上的。肖特基二極管的檢測方法有哪些答：(1)二端型肖特基二極管的檢測1)用指針式萬用表檢測。將萬用表置于“R
2019-06-12 04:20:33
肖特基勢壘二極管的特點(diǎn)
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
英飛凌40V和60V MOSFET
，新一代MOSFET的通態(tài)電壓大幅降低（例如，在10A二極管電流下，通態(tài)電壓為0.45V，而不是0.65V。）；另一方面，由于沒有需要充電的體二極管，反向恢復(fù)電荷（Qrr）可以忽略不計(jì)。新型號可通過
2018-12-06 09:46:29
請問現(xiàn)在使用的二極管都盡量使用快速恢復(fù)二極管嗎?
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
請問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？
請問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請一一說明，謝謝各們大師哦?。?！
2020-11-13 14:54:46
貼片二極管型號封裝
(Ge管)和硅二極管(Si管)。 根據(jù)其不同用途：可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。 按照管芯結(jié)構(gòu)
2019-09-12 14:48:45
貼片二極管封裝及封裝圖介紹
系列）開關(guān)二極管（DO-34、DO-35封裝）、快速恢復(fù)二極管（FR）高效率二極管（HER、UF）超快速二極管（SF）肖特基二極管（SKY）雙向觸發(fā)管二極管（DB3）整流橋二極管（BRIDGE）高反壓
2013-08-02 16:17:14
輸出整流二極管D4的選型
，所以使用可高速開關(guān)的快速恢復(fù)二極管。需要探討的是耐壓和損耗。施加于輸出二極管的反向電壓考慮到余量為：??Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二極管
2018-11-27 16:51:14
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:11
1667
1667Vishay推出快速體二極管MOSFET-SiHH070N60EF,提供高效解決方案
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692
1692Vishay推出封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12818
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