用通量場(chǎng)定向材料優(yōu)化無(wú)線(xiàn)充電的設(shè)計(jì) - 全文

　　業(yè)界對(duì)高效電池再充電解決方案的要求絲毫不減，這也促使設(shè)計(jì)人員快速開(kāi)發(fā)出最新最優(yōu)的解決方案。無(wú)線(xiàn)充電將成為移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域中的新興發(fā)展趨勢(shì)。就近期而言，它將影響到蜂窩電話(huà)、筆記本電腦和平板電腦等設(shè)備。長(zhǎng)期目標(biāo)還包括電動(dòng)汽車(chē)電池。

　　無(wú)線(xiàn)充電通常意味著，無(wú)需使用電線(xiàn)就能將能量直接從某個(gè)電源輸送到電池進(jìn)行充電。有多種不同的方法實(shí)現(xiàn)這個(gè)任務(wù)，涵蓋范圍從電磁感應(yīng)耦合（EMIC）和電磁諧振耦合到激光能量傳輸系統(tǒng)等。EMIC是目前最具成本效益并又很容易實(shí)現(xiàn)的方法。電磁諧振耦合在本質(zhì)上與之相似，但在實(shí)現(xiàn)上卻較為復(fù)雜。

　　簡(jiǎn)單地講，EMIC就是將信號(hào)從A點(diǎn)（初級(jí)線(xiàn)圈）發(fā)送到B點(diǎn)（拾波或接收線(xiàn)圈）。流經(jīng)初級(jí)線(xiàn)圈的電流將產(chǎn)生電磁通量場(chǎng)（信號(hào)）并從線(xiàn)圈輻射出來(lái)。接收線(xiàn)圈位于初級(jí)線(xiàn)圈的作用范圍內(nèi)，因此，初級(jí)線(xiàn)圈的通量場(chǎng)將與接收線(xiàn)圈相交。該通量場(chǎng)將在接收線(xiàn)圈中感應(yīng)出電流，該電能就可用來(lái)給移動(dòng)系統(tǒng)的電池進(jìn)行無(wú)線(xiàn)充電。

　　EMIC無(wú)線(xiàn)能量

　　EMIC無(wú)線(xiàn)能量（EMIC-WP）傳輸或充電系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)概念非常簡(jiǎn)單。設(shè)計(jì)中較困難的部分是如何達(dá)到關(guān)鍵的設(shè)計(jì)目標(biāo)，即讓消費(fèi)者接受它作為可行的移動(dòng)設(shè)備充電選擇方案。

　　移動(dòng)EMIC-WP系統(tǒng)應(yīng)能提供美觀(guān)的設(shè)計(jì)（即輕巧纖薄，并能夠滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)設(shè)備和相關(guān)EMIC-WP站的期望值），并且還要具有重量輕、可靠、高效能量傳輸和安全等特性。如果設(shè)計(jì)滿(mǎn)足所有這些因素，那么EMIC-WP將順理成章地成為各種類(lèi)型移動(dòng)設(shè)備事實(shí)上的充電解決方案。

　　設(shè)計(jì)EMIC-WP系統(tǒng)時(shí)有許多考慮因素，例如：控制和電力電子器件，線(xiàn)圈設(shè)計(jì)，初次級(jí)線(xiàn)圈之間的間距考慮，以及設(shè)計(jì)工作頻率等。設(shè)計(jì)人員還必須知曉多種不足之處。

　　例如：能量傳輸效率一直是消費(fèi)者所關(guān)心的頭等大事。如果能量傳輸效率顯著低于直接連線(xiàn)的充電器系統(tǒng)，那么消費(fèi)者就不太可能看好系統(tǒng)的附加成本。另外，如果EMIC-WP接收側(cè)的尺寸變化很大的話(huà)（某些時(shí)候，如果充電站很大的話(huà)），設(shè)備將被認(rèn)為具有較差的移動(dòng)性。這樣，EMIC-WP就很難成為通用模式的供電解決方案。最后，如果EMIC-WP解決方案出現(xiàn)一些負(fù)面效應(yīng)（例如：干擾其它元器件的電子功能，或在工作期間加熱附近元器件等），那么消費(fèi)者就有理由懷疑其安全性得不到保障。

　　為了解決這些問(wèn)題，設(shè)計(jì)人員需要確保在他們的EMIC-WP系統(tǒng)中采用通量場(chǎng)定向材料（FFDM）。與線(xiàn)圈產(chǎn)生的通量場(chǎng)發(fā)生交互的FFDM，可以確保EMIC-WP系統(tǒng)產(chǎn)生的通量場(chǎng)達(dá)到關(guān)鍵的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

　　FFDM磁導(dǎo)率和損耗

　　需要根據(jù)EMIC-WP系統(tǒng)性能目標(biāo)對(duì)FFDM做出正確選擇。FFDM的性能可以通過(guò)在所選EMIC-WP工作頻率點(diǎn)與所產(chǎn)生的通量場(chǎng)發(fā)生交互的能力來(lái)表征。每種FFDM都將根據(jù)隨工作頻率發(fā)生變化的下面兩種特性與特定通量場(chǎng)發(fā)生交互。

　　FFDM磁導(dǎo)率：磁導(dǎo)率衡量的是通量場(chǎng)能夠被耦合到FFDM以改變通量場(chǎng)方向的程度（即改進(jìn)與線(xiàn)圈的通量場(chǎng)交互，減少渦流損耗，提供通量場(chǎng)屏蔽）。在工作頻率點(diǎn)具有較高磁導(dǎo)率的FFDM更為可取，原因有多個(gè)方面，例如：能夠滿(mǎn)足目標(biāo)應(yīng)用的厚度要求，減輕重量，或?qū)崿F(xiàn)更小的XY空間尺寸。

　　FFDM損耗：損耗衡量的是在FFDM交互期間通量場(chǎng)強(qiáng)度的減少程度。當(dāng)通量場(chǎng)穿過(guò)FFDM時(shí)，F(xiàn)FDM可能以熱損耗的方式耗散掉一定百分比的通量場(chǎng)。在EMIC-WP系統(tǒng)的工作頻率點(diǎn)損耗應(yīng)盡可能小。材料中的損耗（即轉(zhuǎn)換成熱量的能量）取決于頻率，它一般與FFDM中的渦流產(chǎn)生、磁滯損耗和鐵磁諧振交互有關(guān)。

　　通常與FFDM相關(guān)的另一種材料是電磁吸收材料。這種材料一般在比EMIC-WP系統(tǒng)更高的應(yīng)用頻率點(diǎn)具有相對(duì)較低的磁導(dǎo)率和較高的損耗。吸收材料能夠減少電磁干擾（EMI）信號(hào)的通量場(chǎng)強(qiáng)度，并可用來(lái)在感興趣的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最大可能的衰減。

　　例如：電磁吸收材料經(jīng)常用來(lái)減少來(lái)自IC器件或有EMI噪聲的電源的EMI噪聲。在采用許多天線(xiàn)或較高頻率處理器的移動(dòng)系統(tǒng)中，吸收材料能夠最大限度地減少可能由天線(xiàn)（Wi-Fi、4G天線(xiàn)）或數(shù)據(jù)線(xiàn)（data flex）收集到的EMI。EMI還可能降低天線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)的信噪比性能，而導(dǎo)致更高的數(shù)據(jù)誤碼率或較短的讀取距離，或者影響設(shè)備的EMI驗(yàn)收測(cè)試結(jié)果。

　　FFDM的類(lèi)型

　　FFDM有三種基本形式：燒結(jié)鐵素體（SF）薄片，復(fù)合磁性填充物（CMF）薄片（人造橡膠+磁性填充物）和磁性箔片（MF）。

　　SF薄片的成分和在某個(gè)頻率范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率及損耗特性有所變化（圖1）。典型的SF材料包括鎳鋅鐵尖晶石和錳鋅鐵尖晶石。SF類(lèi)型的選擇依據(jù)應(yīng)用頻率、電源設(shè)計(jì)效率、磁導(dǎo)率、損耗、最小厚度、成本和易用性等。這些產(chǎn)品一般又硬又脆，需要保護(hù)膜用于保護(hù)、裸片切割和方便處理。

　　圖1：對(duì)典型燒結(jié)鐵素體薄片材料（3M公司的EM-600）的磁導(dǎo)率和損耗與頻率關(guān)系的測(cè)試結(jié)果

　　CMF薄片由填充了磁性填充物的人造橡膠組成。CMF型薄片具有很好的撓性和適中的價(jià)格。這些薄片一般具有比性能更好的SF薄片更低的磁導(dǎo)率，對(duì)某些EMIC-WP系統(tǒng)來(lái)說(shuō)是很有用的選擇。

　　MF具有最高的磁導(dǎo)潛力，因而能夠提高EMIC-WP性能。這些產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)很薄的解決方案，并且能夠堆疊成多層解決方案，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的EMIC-WP解決方案。

　　每種FFDM的磁導(dǎo)率和損耗特性都將隨給定頻率而改變。在EMIC-WP設(shè)計(jì)中，這些材料可以單獨(dú)使用，也可以互相一起使用，從而實(shí)現(xiàn)能夠滿(mǎn)足主要設(shè)計(jì)特性的解決方案。設(shè)計(jì)時(shí)可以把FFDM放在箔片底下及沿著箔片設(shè)計(jì)的邊緣放置。

　　當(dāng)在典型產(chǎn)品中使用時(shí)，這些材料中每種材料的屬性都有很大的變化。從這些材料在EMIC-WP系統(tǒng)中的性能和在EMIC-WP系統(tǒng)工作頻率點(diǎn)的最佳磁導(dǎo)率/損耗比的比較可見(jiàn)一斑（見(jiàn)表）。

　　表：SF、MF、CMF材料的振幅磁導(dǎo)率和電阻率比較

　　利用FFDM優(yōu)化EMIC-WP

　　由于以下一些特性，F(xiàn)FDM可以幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)EMIC-WP系統(tǒng)的最優(yōu)化。

　　美學(xué)設(shè)計(jì)：高性能FFDM（在工作頻率點(diǎn)具有最高磁導(dǎo)率、最低損耗）可減少設(shè)計(jì)厚度，實(shí)現(xiàn)纖薄的外形設(shè)計(jì)。

　　更輕的重量：FFDM可以提高線(xiàn)圈效率，有利于使用更小的線(xiàn)圈，而限制最終設(shè)計(jì)的重量和尺寸。

　　可靠性：FFDM有助于增強(qiáng)EMIC-WP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)魯棒性和可靠性，因?yàn)樗芟拗齐s散EMI場(chǎng)和相關(guān)的負(fù)面影響，例如：其它系統(tǒng)元器件的感應(yīng)加熱。

　　高效的能量傳輸：FFDM可以用來(lái)集中EMIC-WP初級(jí)線(xiàn)圈的通量場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)與接收線(xiàn)圈更有效的耦合，從而提高能量傳輸效率。FFDM設(shè)計(jì)還有助于改善充電時(shí)間?？傊捎肍FDM精心設(shè)計(jì)的EMIC-WP系統(tǒng)可以達(dá)到70%以上的能量傳輸效率，并且具有與普通移動(dòng)設(shè)備的有線(xiàn)插座充電器近乎相同的設(shè)備電池充電時(shí)間周期。

　　一些公開(kāi)發(fā)表的文章還指出，EMIC-WP系統(tǒng)具有比普通消費(fèi)型硬連線(xiàn)充電器更多的潛在優(yōu)點(diǎn)。與持續(xù)插入電源的硬連線(xiàn)充電器相比，能夠給多個(gè)設(shè)備充電并且包含可關(guān)閉系統(tǒng)使之到達(dá)可忽略待機(jī)功耗的智能電子器件的EMIC-WP系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)更好的節(jié)能效果。

　　總之，從硬連線(xiàn)墻式充電器和EMIC-WP系統(tǒng)的實(shí)際使用情況可以看出，EMIC-WP系統(tǒng)至少是一種不帶電的功耗系統(tǒng)或改進(jìn)了的系統(tǒng)。線(xiàn)圈設(shè)計(jì)中的FFDM選擇和幾何實(shí)現(xiàn)是滿(mǎn)足能量傳輸設(shè)計(jì)目標(biāo)的關(guān)鍵。

　　安全：由于支持多臺(tái)移動(dòng)設(shè)備，EMIC-WP系統(tǒng)可以認(rèn)為比更常見(jiàn)的消費(fèi)類(lèi)替代品更加安全。這是因?yàn)镋MIC-WP家用產(chǎn)品具有更少的硬連線(xiàn)和更少的通斷操作。

　　FFDM可以顯著影響EMIC-WP線(xiàn)圈的性能，這可以通過(guò)比較以下三種不同情形看出：自由空間，接近金屬型結(jié)構(gòu)的線(xiàn)圈，以及介于線(xiàn)圈和金屬結(jié)構(gòu)之間的FFDM （圖2）。這種建模表明如果線(xiàn)圈接近沒(méi)有FFDM的金屬表面時(shí)，渦流損耗將會(huì)如何影響通電線(xiàn)圈。FFDM可以重新聚焦通量場(chǎng)，確保正確的通量場(chǎng)管理，從而實(shí)現(xiàn)可能最高的系統(tǒng)性能。

　　圖2：在三種環(huán)境中對(duì)線(xiàn)圈和相關(guān)通量場(chǎng)進(jìn)行建模：在具有確定通量場(chǎng)的自由空間中的線(xiàn)圈（a），因渦流損耗而減少了通量場(chǎng)的、靠近金屬表面的線(xiàn)圈（b），在線(xiàn)圈和金屬之間有FFDM的、靠近金屬的線(xiàn)圈（c）。后者顯示了顯著改進(jìn)的通量場(chǎng)性能。

　　在典型的EMIC-WP系統(tǒng)配置中，移動(dòng)設(shè)備在進(jìn)入初級(jí)線(xiàn)圈通量場(chǎng)時(shí)，使用FFDM優(yōu)化接收線(xiàn)圈感應(yīng)（圖3）。使用FFDM可以增強(qiáng)初級(jí)線(xiàn)圈通量場(chǎng)，并確保組件的其它部分具有明確的通量場(chǎng)和低損耗。接收線(xiàn)圈的FFDM可以?xún)?yōu)化經(jīng)過(guò)線(xiàn)圈的通量場(chǎng)，從而建立高度的感應(yīng)耦合效果。

　　圖3：典型EMIC-WP系統(tǒng)裝置中的移動(dòng)設(shè)備在進(jìn)入初級(jí)線(xiàn)圈通量場(chǎng)時(shí)，使用FFDM優(yōu)化接收線(xiàn)圈感應(yīng)

　　EMIC-WP系統(tǒng)可以采用單個(gè)線(xiàn)圈或多個(gè)線(xiàn)圈進(jìn)行設(shè)計(jì)，以簡(jiǎn)化在初級(jí)線(xiàn)圈表面上的器件定位，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的充電周期。FFDM可以與兩種系統(tǒng)一起使用，并且可以根據(jù)磁導(dǎo)率、厚度、多層設(shè)計(jì)、材料組合、幾何形狀等改變實(shí)現(xiàn)。所有措施都是為了優(yōu)化通量場(chǎng)路徑特性和能量傳輸效率。

　　許多FFDM在其他移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用中也很有用，例如：近場(chǎng)通信（NFC）或射頻標(biāo)簽（RFID）應(yīng)用。與EMIC-WP能量通量場(chǎng)不同，NFC/RFID應(yīng)用具有初級(jí)（發(fā)送）和接收線(xiàn)圈（或天線(xiàn)），用于發(fā)送數(shù)據(jù)通量場(chǎng)。FFDM可以用來(lái)提高線(xiàn)圈效率，改善距離和誤碼率方面的通信性能。

　　FFDM還可以用于許多電子設(shè)備中因電流流動(dòng)產(chǎn)生的低頻磁噪聲的EMI屏蔽應(yīng)用。FFDM能夠與流動(dòng)電流產(chǎn)生的輻射磁通量場(chǎng)發(fā)生交互，并改變其方向，從而保護(hù)其它器件、系統(tǒng)線(xiàn)路或相鄰元器件免受流動(dòng)電流磁通量場(chǎng)的影響。