和產(chǎn)能上，Qorvo有何優(yōu)勢(shì)能配合廠商的終端上市計(jì)劃？帶著這些熱點(diǎn)問(wèn)題，筆者采訪了Qorvo亞太區(qū)移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)戰(zhàn)略市場(chǎng)經(jīng)理陶鎮(zhèn)。
2018-12-11 11:49:25
4998 “我們?cè)谖磥?lái)的5G 射頻市場(chǎng)將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)，特別是運(yùn)營(yíng)商最新要求的載波聚合等技術(shù)，都需要大量用到BAW（體聲波
2016-08-02 15:37:071767 “我們?cè)谖磥?lái)的5G 射頻市場(chǎng)將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)，特別是運(yùn)營(yíng)商最新要求的載波聚合等技術(shù)，都需要大量用到BAW（體聲波
2016-12-28 14:51:581021 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:1012515 
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics）榮獲Qorvo頒發(fā)的2018年度全球分銷(xiāo)商大獎(jiǎng)。Qorvo是以實(shí)現(xiàn)世界互聯(lián)為宗旨的創(chuàng)新RF解決方案領(lǐng)先提供商。此獎(jiǎng)項(xiàng)已在近期于美國(guó)德州圣安東尼奧舉辦
2018-07-09 16:41:394661 Qorvo今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品--- QPA2212和QPA1022，它們適合國(guó)際Ka頻段的衛(wèi)星通信應(yīng)用與X頻段的相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用。
2019-06-21 14:54:311213 近日，移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品--- QPA2212和QPA1022，它們適合國(guó)際Ka頻段的衛(wèi)星通信應(yīng)用與X頻段的相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用。
2019-06-24 14:24:211378 有市場(chǎng)消息傳出，臺(tái)積電正擴(kuò)大采購(gòu)買(mǎi)氮化鎵相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備，6英寸廠內(nèi)相關(guān)產(chǎn)能將翻倍。
2021-02-24 10:01:332902 今天我們一起聊一聊GaN市場(chǎng)的產(chǎn)能情況。雖然近三年來(lái)，GaN的投資項(xiàng)目遍地開(kāi)花，有很多在建項(xiàng)目，但真正能給市場(chǎng)提供產(chǎn)品的工廠并不多。
2022-02-10 09:42:134478 雷達(dá)的緊湊型三芯片電源解決方案。該三芯片解決方案提供可配置的 GaN 偏置點(diǎn)自動(dòng)校準(zhǔn)，使工程師能夠在不改變電路板設(shè)計(jì)的情況下最大限度地提高不同 GaN 功率放大器 (PA) 的系統(tǒng)性能。 Qorvo 新推出的芯片組優(yōu)化了相控陣系統(tǒng)中尺寸最大、成本最高的部件之一---脈沖儲(chǔ)能電容器。該解決
2023-02-13 10:20:02418 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率
2023-11-10 00:24:001758 
已經(jīng)成為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的中流砥柱。射頻芯片產(chǎn)業(yè)在中國(guó)已然高速增長(zhǎng)?！?b class="flag-6" style="color: red">Qorvo在未來(lái)的5G 射頻市場(chǎng)將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)
2016-08-26 10:20:52
應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開(kāi)始取代汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來(lái)，這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問(wèn)我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問(wèn)題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒(méi)把應(yīng)用條件納入到開(kāi)關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
EHEMT功率器件進(jìn)行了性能測(cè)試。本文分享有關(guān)的測(cè)試結(jié)果。
三安集成設(shè)計(jì)的半橋電路測(cè)試平臺(tái)主要用于200V DFN8×8封裝分立GaN EHEMT器件的開(kāi)環(huán)功率實(shí)驗(yàn)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)器件的雙脈沖測(cè)試、升壓降壓測(cè)試
2023-06-25 15:59:21
進(jìn)展[1~ 3] ，在國(guó)外工作于綠光到紫光可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)的GaN LED 早已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化[2]；國(guó)內(nèi)多家單位成功制作了藍(lán)色發(fā)光二極管，并初步實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
。GaN能夠在不會(huì)對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生負(fù)面影響的情況下增加開(kāi)關(guān)頻率。這一優(yōu)點(diǎn)可以在功率級(jí)中使用更小的無(wú)源組件，并實(shí)現(xiàn)更快的瞬態(tài)響應(yīng)。然而，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)這些更高頻率的控制，控制電路的速度必須更快。例如，采樣和轉(zhuǎn)換時(shí)間
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么規(guī)格GaN
2021-12-26 19:57:19
的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化
2018-08-30 15:28:30
。Qorvo 的系列控制器能夠以非常小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用。 一些控制器具有可選電機(jī)外設(shè)集成特性，并支持高達(dá) 600V 的電壓。 Qorvo 為這些控制器提供的固件可支持靜音啟動(dòng)，啟動(dòng)運(yùn)行中的風(fēng)扇以及交流電
2020-03-18 14:28:28
`Qorvo 始終支持下一代國(guó)防和航空基礎(chǔ)的創(chuàng)新。Qorvo 產(chǎn)品是許多世界上最先進(jìn)的雷達(dá)、太空、通信和電子戰(zhàn) (EW) 系統(tǒng)的核心。創(chuàng)新產(chǎn)品，如 GaAs、GaN、SAW、BAW 以及集成式組裝
2020-03-18 14:29:44
`Qorvo 始終支持下一代國(guó)防和航空基礎(chǔ)的創(chuàng)新。Qorvo 產(chǎn)品是許多世界上最先進(jìn)的雷達(dá)、太空、通信和電子戰(zhàn) (EW) 系統(tǒng)的核心。創(chuàng)新產(chǎn)品，如 GaAs、GaN、SAW、BAW 以及集成式組裝
2020-03-18 14:31:39
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
TV面板，產(chǎn)能為8K／M；另外一個(gè)是Gen8．5（E4）生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)4K OLED TV面板，產(chǎn)能為26K／M。IHS研究總監(jiān)謝勤益告訴記者，LGD的E4工廠在2017年下半年還會(huì)增加26K／M產(chǎn)能
2018-11-13 16:29:01
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
，以及優(yōu)化的GaN VGS驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)較高穩(wěn)健性和效率。這種集成了自舉二極管的單芯片允許設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)GaN的性能優(yōu)勢(shì)，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和減少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
你好 我在用ade7880測(cè)量電壓的時(shí)候，遇到了一個(gè)問(wèn)題，就是在環(huán)境不同的情況下，測(cè)量電壓值翻倍。 具體操作：（1）使用室內(nèi)的L-N-G的電壓接入，也就是插線板的電，通過(guò)變化之后，送給ade7880
2018-09-17 15:29:57
為何要用GaN技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)5G通信？
2020-12-29 07:30:12
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品
2019-09-11 11:51:15
Qorvo 密切關(guān)注著新興的5G 標(biāo)準(zhǔn)。令人興奮的是，5G 可能包括適用于高數(shù)據(jù)帶寬連接的毫米波(mmW) 功能。隨著PC 電路板空間日益緊湊且5G 環(huán)境中的頻率越來(lái)越高，氮化鎵(GaN) 技術(shù)對(duì)于
2017-07-28 19:38:38
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來(lái)到，您將它們放入板中。您打開(kāi)電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒(méi)有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開(kāi)關(guān)問(wèn)題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒(méi)有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
百度程序員跳槽外企：生活平衡時(shí)薪翻倍！網(wǎng)友：買(mǎi)房要你的時(shí)薪？
2019-07-26 06:12:19
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，最大功率達(dá)到1500W（工作頻率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外，部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品，目前
2019-04-13 22:28:48
請(qǐng)問(wèn)一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
涵蓋70 多款裸片和封裝形式的Qorvo GaN 晶體管。這些模型有助于PA 設(shè)計(jì)人員準(zhǔn)確預(yù)測(cè)設(shè)計(jì)中集成的晶體管性能。Modelithics 的仿真模型與最新的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA) 仿真工具無(wú)縫
2018-08-04 14:55:07
總部在日本名古屋的NGK Insulators研發(fā)出一種氮化鎵（GaN）晶圓，據(jù)稱可以將原來(lái)的綠光LED 的光效翻倍。NGK采用自主專利的液相外延技術(shù)法，在單晶體生長(zhǎng)階段降低缺陷密度。
2012-11-06 16:26:031632 Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴(kuò)展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫(kù)。當(dāng)前的 GaN 模型版本 （v1.5） 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計(jì)劃將增加20逾種新型 Qorvo GaN 晶體管模型。
2015-08-28 17:00:002780 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 Ka 波段 3W GaN 功率放大器，用于傳輸高速互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)的商用 VSAT 衛(wèi)星地面終端。
2015-09-17 13:40:44982 近期Qorvo發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵（GaN）芯片晶體管——TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國(guó)防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。
2016-11-04 15:36:121117 
中國(guó)，北京 – 2017年4月11日 – 實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，多家全球著名智能手機(jī)制造商已為他們即將發(fā)布的旗艦智能手機(jī)選擇
2017-04-14 16:53:271081 氮化鎵技術(shù)的不斷進(jìn)步促使設(shè)備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。 本文介紹了使用市售SMT晶體管（Qorvo的QPD1013）的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。該放大器覆蓋1.2至1.8 GHz的頻段
2017-12-13 17:27:523786 
關(guān)鍵型IFF和航空電子應(yīng)用的信號(hào)完整性和范圍得到大幅提升 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化
2018-04-06 11:18:006850 Qorvo 是全球領(lǐng)先的GaN RF 供應(yīng)商，自1999 年起就一直在推動(dòng)GaN 研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。
2018-05-18 10:32:001943 2018年AMOLED產(chǎn)能將暴漲51%，2021年要比2018年翻倍，這也使得市場(chǎng)壓力增大，三星已經(jīng)調(diào)整了價(jià)格策略，縮小與LCD面板的價(jià)差。
2018-06-22 16:04:001884 從硅晶圓到8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)調(diào)漲，世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴(kuò)增氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，已有國(guó)際IDM大廠看好電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)后市，預(yù)先包下世界先進(jìn)GaN產(chǎn)能，明年中GaN產(chǎn)出將快速放量，成為全球首座8英寸GaN代工廠。
2018-06-29 16:02:005143 GaN已經(jīng)迅速發(fā)展成為促成一系列當(dāng)前和未來(lái)系統(tǒng)的一種技術(shù)，但這也對(duì)pre-5G和5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用帶來(lái)了較大影響。Qorvo的Gary Burgin將要討論GaN技術(shù)能夠實(shí)現(xiàn)哪些功能和如何針對(duì)載波聚合擴(kuò)展
2018-07-06 02:06:003985 Qorvo提供業(yè)內(nèi)種類最多、最具創(chuàng)意的GaN-on-SiC產(chǎn)品組合。
2018-11-13 16:19:115895 
Qorvo憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM)——QPF4001 FEM，擴(kuò)大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。
2018-12-15 09:26:394256 ”)于25日宣布，將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。
2019-05-16 17:51:233527 當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月24日，寶馬表示，為了支持電動(dòng)車(chē)產(chǎn)能，其計(jì)劃將其全球最大工廠斯帕坦堡工廠的鋰電池產(chǎn)能翻倍。據(jù)了解，第四代電池將用于BMW X5以及X3這兩款插電式混合動(dòng)力車(chē)型上，BMW X5 xDrive45e將于8月開(kāi)始組裝，X3 xDrive30e將于12月開(kāi)始生產(chǎn)。
2019-07-26 16:30:12776 高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點(diǎn)，包括Qorvo在內(nèi)的幾個(gè)業(yè)界先驅(qū)已經(jīng)在GaN上投入了巨額資金研究。
2019-09-05 16:25:256361 
Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購(gòu)。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括高性能氮化鎵(GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天和商業(yè)應(yīng)用。
2020-05-29 15:41:103548 本文提供了GaN晶體管的一般偏置電路設(shè)計(jì)信息。有許多不同的設(shè)計(jì)方法可以用來(lái)成功地實(shí)現(xiàn)GaN偏置電路，其中可以作出權(quán)衡，以優(yōu)化應(yīng)用的性能、成本、尺寸和復(fù)雜性。本文件強(qiáng)調(diào)了最小偏置電路設(shè)計(jì)要求，以防止可能影響性能或?qū)е略O(shè)備故障的意外偏置條件。有關(guān)偏置電路設(shè)計(jì)的幫助，請(qǐng)聯(lián)系Qorvo應(yīng)用支持部門(mén)。
2020-06-28 08:00:00
9 Qorvo的QPD1013晶體管采用0.50 μm GaN-on-SiC技術(shù)。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN（雙邊扁平無(wú)引腳）封裝，與傳統(tǒng)的金屬陶瓷封裝相比，可以實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的PCB
2020-10-16 10:42:000 Qorvo驅(qū)動(dòng)放大器的設(shè)計(jì)是為了在發(fā)射機(jī)鏈中的最終功率放大器之前為增益級(jí)提供良好的線性或效率性能。Qorvo產(chǎn)品使用InGaPHBT、功率PHMT、E/DPHEMT和GaN等工藝技術(shù)來(lái)支持高達(dá)46
2020-08-13 09:20:08662 絕大部分。而作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo 在這個(gè)領(lǐng)域也有著領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。 Qorvo 提供全面的 GaN/GaAs 代工流程和先進(jìn)的封裝專業(yè)知識(shí)產(chǎn)品組合，能提供業(yè)界廣泛的 RF GaN
2020-09-10 10:18:401565 儀器的性能起著決定性的作用。 Qorvo高頻放大器的放大器產(chǎn)品系列超過(guò)6 GHz，包括提供核心和封裝形式的GaAs和GaN器件。 主要特征： 行業(yè)領(lǐng)先的GaAs和GaN技術(shù)功率放大器 特定于應(yīng)用的產(chǎn)品核心 不同的功率水平和高PAE和增益性能 小尺寸 典型應(yīng)用 軍用和商業(yè)雷
2020-09-28 15:37:27540 日前，由 EETOP 聯(lián)合 KEYSIGHT 共同舉辦的“2020 中國(guó)半導(dǎo)體芯動(dòng)力高峰論壇”隆重舉行。Qorvo 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施部門(mén)高級(jí)應(yīng)用工程師周鵬飛也受邀參與了這次盛會(huì)，并發(fā)表了題為《實(shí)現(xiàn) 5G 的關(guān)鍵技術(shù)—— GaN》的演講
2020-10-09 10:58:212590 
據(jù)報(bào)道，最新的數(shù)據(jù)顯示，今年10月特斯拉國(guó)產(chǎn)版Model 3的產(chǎn)量幾乎實(shí)現(xiàn)了翻倍，10月也成為了特斯拉在中國(guó)市場(chǎng)上銷(xiāo)量第二高的月份。
2020-11-12 11:41:161752 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 09:53:583573 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382074 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 現(xiàn)在GaN很火 ，人們似乎忘記了GaN 依然是一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，仍處于發(fā)展初期，還有較大的改進(jìn)潛力和完善空間。本文將介紹多項(xiàng)即將出現(xiàn)的 GaN 創(chuàng)新技術(shù)，并預(yù)測(cè)未來(lái)幾年這些創(chuàng)新技術(shù)對(duì)基站設(shè)計(jì)和發(fā)展的影響。
2021-04-24 11:34:132285 能訊和英諾賽科等，都在這方面不斷加大投入力度，以求占得市場(chǎng)先機(jī)。 最近，中國(guó)本土廠商在GaN晶圓廠建設(shè)的腳步不斷提速，例如，就在上周，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司宣布其8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線一期第一階段產(chǎn)能擴(kuò)展建設(shè)項(xiàng)目量產(chǎn)。預(yù)計(jì)2021年實(shí)現(xiàn)
2021-06-23 15:09:032890 對(duì)于GaN功率器件的制造商而言，擴(kuò)充產(chǎn)能是當(dāng)前的重中之重。對(duì)此，思銳智能推出了業(yè)界領(lǐng)先的量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備——Beneq Transform?系列。
2021-11-01 16:21:441120 
ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計(jì)，可加強(qiáng) Qorvo GaN PA 的設(shè)計(jì)與測(cè)試。
2022-06-14 16:17:50977 很容易忘記 GaN 仍然是一項(xiàng)相對(duì)年輕的技術(shù)。我們?nèi)蕴幱陂_(kāi)發(fā)的前幾代，具有很大的改進(jìn)和改進(jìn)潛力。本文著眼于即將出現(xiàn)的一些 GaN 創(chuàng)新，并預(yù)測(cè)它們?cè)谖磥?lái)幾年對(duì)基站供電的影響。 功率密度 我們的預(yù)期
2022-07-20 09:52:391059 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um?碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 工藝 (QGaN15) 制造，并安裝在高導(dǎo)熱墊片上，是一款大功率MMIC放大器，非常適合商業(yè)和國(guó)防射頻通信
2022-09-26 18:07:03426 
采用GaN實(shí)現(xiàn)48V至POL單級(jí)轉(zhuǎn)換
2022-11-02 08:16:162 的氮化鎵 (GaN) 8 瓦功率放大器模塊 (PAM) QPA3908 因?yàn)槠浣艹龅男阅鼙憩F(xiàn)，榮獲 WEAA “射頻/無(wú)線/微波類別 2022 年度產(chǎn)品獎(jiǎng)”。 Qorvo 應(yīng)用工程師總監(jiān)
2022-11-11 17:40:02954 長(zhǎng)期以來(lái)，Qorvo 一直是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，是全球公認(rèn)的創(chuàng)新先鋒。 2015 年，Qorvo 率先發(fā)布了 150nm GaN 節(jié)點(diǎn)（業(yè)界第一款），并在過(guò)去 7 年里成為 20-40 Ghz 頻率
2022-11-16 19:35:11763 。以下是本周新品情報(bào)，請(qǐng)及時(shí)查收： 可同時(shí)支持無(wú)線連接和終端應(yīng)用 Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器 ? 貿(mào)澤電子即日起開(kāi)售Qorvo ?QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器 。該產(chǎn)品功率可達(dá)同類PA的兩倍，并且能夠提供出色的寬帶線性功率、增
2022-12-28 09:25:05611 本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記，雖然標(biāo)題是針對(duì)GaN偏置電路設(shè)計(jì)的一些基本準(zhǔn)則，但實(shí)際上對(duì)GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)該都是有概念的，正好這篇文章做了總結(jié)，就隨手分享共同學(xué)習(xí)一下。
2023-05-10 09:52:512538 
6月16日，蜂巢能源稱，他們首次發(fā)布了戶儲(chǔ)領(lǐng)域的核心創(chuàng)新產(chǎn)品——超薄戶儲(chǔ)逆變器。值得一提的是，該產(chǎn)品搭載了GaN技術(shù)。
2023-06-18 16:41:55550 Transphorm在公告中表示，他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線，GaN器件可以實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽(yáng)能系統(tǒng)，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。Transphorm還表示，氮化鎵技術(shù)在全球光伏領(lǐng)域的市場(chǎng)空間將超過(guò)5億美元。
2023-08-30 16:42:34826 
Qorvo是蘋(píng)果iPhone射頻芯片的主要供應(yīng)商。Qorvo的財(cái)報(bào)顯示，蘋(píng)果是該公司最大客戶，對(duì)Qorvo整體營(yíng)收貢獻(xiàn)占比高達(dá)三成。2022財(cái)年來(lái)自蘋(píng)果的收入占Qorvo總營(yíng)收的33%，而來(lái)自三星的收入占比為11%。
2024-01-03 10:32:43402 今年年初，臺(tái)積電總裁魏哲家曾表示，公司計(jì)劃在今年將CoWoS的產(chǎn)量翻倍，并在2025年繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。日本已成為臺(tái)積電擴(kuò)大產(chǎn)能的重要目標(biāo)。
2024-03-18 15:31:42521
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