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RF MEMS大舉進駐高階LTE手機

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2017-12-02 15:27:26256

RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù)

隨著LTE多頻多模智能手機時代的來臨,新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應的工作頻段,并實現(xiàn)國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線
2017-12-06 05:05:20190

低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)模擬設(shè)計

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機上得到應用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時間長的問題,劣于FET場效應管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下 文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進。 1 RF M
2017-12-06 12:44:13275

未來LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù)-RF MEMS、軟件無線電

隨著LTE多頻多模智能手機時代的來臨,新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應的工作頻段,并實現(xiàn)國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線
2017-12-07 01:41:01154

低壓驅(qū)動RF MEMS開關(guān)設(shè)計與改進

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機上得到應用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時間長的問題,劣于FET場效應管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進。
2017-12-07 04:55:02668

Qorvo? RF Fusion? 為采用 LTE Advanced 標準的Microsoft Surface Pro 提供聯(lián)網(wǎng)支持

Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)宣布,將為采用 LTE Advanced 標準的 Microsoft Surface Pro 提供整套的 RF Fusion? 模塊。RF Fusion LTE 產(chǎn)品組合包含多個高度集成模塊,能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能和全球蜂窩頻段覆蓋。
2018-03-06 16:23:576156

RF MEMS國內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微機電系統(tǒng))技術(shù)的各類射頻RF( Radio Frequency)無源器件及微小型單片集成系統(tǒng)的概念與內(nèi)涵及其應用市場
2018-03-07 11:22:3634534

國內(nèi)外RF MEMS廠商大盤點 5G對我國的RF MEMS廠商來說是機遇也是挑戰(zhàn)

射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的重要應用領(lǐng)域之一,也是二十世紀九十年代以來MEMS領(lǐng)域的研究熱點。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號處理,是一項將能對現(xiàn)有雷達和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:004331

多頻多模LTE掀革命 SDR進駐手機RF設(shè)計

射頻微機電(RF MEMS)、互補式金屬氧化物半導體(CMOS)RF方案將大舉進駐行動裝置。多頻多模4G手機現(xiàn)階段最多須支持十五個以上頻段,引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過大問題;為此,一線手機廠已計劃
2019-03-12 13:59:491580

未來LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù),RF MEMS和軟件無線電

隨著LTE多頻多模智能手機時代的來臨,新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應的工作頻段,并實現(xiàn)國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個。
2020-01-28 09:42:00874

Sofant將RF MEMS用于其取得專利的高效MEMS天線平臺

Sofant將RF MEMS(射頻微機電系統(tǒng))用于其取得專利的高效MEMS天線平臺,可解決無線通信系統(tǒng)面臨的若干挑戰(zhàn)。其最初目標是用于衛(wèi)星通信和5G,利用MEMS天線技術(shù)降低電子掃描天線陣列70%以上的功耗。
2020-08-31 14:50:561539

CN0377 使用RF MEMS開關(guān)實現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器

圖1所示的電路使用RF MEMS開關(guān)在兩臺表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號。 圖1. 射頻開關(guān)衰減器的簡化電路圖?衰減RF信號通常在RF測試儀器儀表和接收器前端完成,以保護
2021-05-29 11:50:552

跟大家聊聊RF MEMS

Kinetics 的加入,讓公司能夠在天線調(diào)諧領(lǐng)域確立市場領(lǐng)先地位。多家全球領(lǐng)先的智能手機供應商也通過采用 CK 的 RF MEMS 技術(shù)降低損耗并提高線性度,實現(xiàn)了天線性能的顯著提升。CK 優(yōu)化了該技術(shù)
2021-08-23 11:09:502682

高新興物聯(lián)兩款LTE Cat.1模組正式進駐天翼產(chǎn)品庫

近日,高新興物聯(lián)兩款LTE Cat.1模組產(chǎn)品GM190、GM196完成了中國電信入庫測試認證,正式進駐天翼產(chǎn)品庫。憑借優(yōu)異的性能和極具競爭力的產(chǎn)品配置,GM190、GM196模組攜手中國電信持續(xù)
2022-01-18 17:13:342252

RF MEMS開關(guān)技術(shù)分析

從驅(qū)動方式和機械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點,分析了MEMS開關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問題等關(guān)鍵技術(shù)和問題,介紹了MEMS開關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級和系統(tǒng)級的應用,以及對MEMS開關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05517

RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計與優(yōu)化

射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應用領(lǐng)域,也是20世紀90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點。射頻微機械開關(guān)體積小,功耗低,且插入損耗、隔離度等微波性能均遠優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50610

RF MEMS開關(guān)的運作、優(yōu)勢

RF MEMS開關(guān)是一種小型微機械開關(guān),具有低功耗,可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開關(guān),通過打開或關(guān)閉接觸點來傳導信號。 在RF MEMS設(shè)備的情況下,開關(guān)的機械部件僅有幾微米大小。與普通開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳導的信號處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51862

一文讀懂RF MEMS 開關(guān)

所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān),其中觸點打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導信號。在 RF MEMS 器件的情況下,開關(guān)的機械組件只有微米級尺寸。與電燈開關(guān)不同,在 RF MEMS 開關(guān)中傳導的信號在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776

RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù)

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2023-11-10 15:16:570

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