水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
RF2126是RF Micro Devices公司生產(chǎn)的大功率線性放大器。它采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計(jì)用于2.5GHzISM頻段末級(jí)線性RF放大，如WLAN和POS終端
2021-04-23 06:14:36
概述：RF2132是RF Micro Devices生產(chǎn)的一款高效率線性放大器。它采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計(jì)用于雙模式4節(jié)電池的CDMA／AMPS手持?jǐn)?shù)字式蜂窩系統(tǒng)設(shè)備
2021-05-18 06:03:36
MA／TACS手機(jī)和TDMA／AMPS手機(jī)。RF2152采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計(jì)用于雙模式CDMA／AMPS手持?jǐn)?shù)字式蜂窩系統(tǒng)設(shè)備的末級(jí)線性RF放大、擴(kuò)頻系統(tǒng)和其他工作頻率
2021-05-18 06:29:00
概述：RF2155是RF Micro Devices生產(chǎn)的一款可編程增益放大器。它主要應(yīng)用在3V手持式系統(tǒng)，采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計(jì)用于模擬蜂窩電話系統(tǒng)發(fā)射器的末級(jí)線性
2021-05-18 06:44:31
概述：RF2162是RF Micro Devices生產(chǎn)的一款3V 900MHZ線性放大器。它是一款大功率、高效率線性放大器IC，它主要應(yīng)用在3V手持式系統(tǒng)，采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
2021-05-18 06:45:53
概述：RF2175是RF Micro Devices生產(chǎn)的一款3V 400MHZ線性放大器。它是一款大功率、高效率線性放大器IC，主要應(yīng)用在3V手持式系統(tǒng)，采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT
2021-05-18 06:26:55
RF2320是RF Micro Devices公司生產(chǎn)的一款通用型、低成本、高效率線性RF放大器IC，它采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計(jì)用于噪聲數(shù)值低于2dB的級(jí)聯(lián)75Ω增益
2021-04-22 06:08:54
、高效率線性RF放大器IC，采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理。RF2360設(shè)計(jì)用于噪聲數(shù)值低于2dB的級(jí)聯(lián)75Ω增益電路，在5～1000MHz內(nèi)增益平坦度優(yōu)于0.5dB,高線性度使之成為電纜
2021-05-21 06:11:10
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動(dòng)態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計(jì)，但確實(shí)表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來(lái)偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
，無(wú)論在產(chǎn)能和成本方面都比碳化硅基氮化鎵器件更有優(yōu)勢(shì)。關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長(zhǎng)、多元化和高盈利能力等特性于一身。公司通過(guò)為光學(xué)、無(wú)線和衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)提供突破性半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)
2017-08-29 11:21:41
：CMOS一、硅基光電子的發(fā)展趨勢(shì)標(biāo)準(zhǔn)的光電模塊，有利于產(chǎn)業(yè)化；具有成熟的設(shè)計(jì)包；硅基電子集成：快速EM仿真設(shè)計(jì)硅
2021-07-27 08:18:42
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
印刷電路板設(shè)計(jì)解決方案供貨商明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線技術(shù)，這種業(yè)界首創(chuàng)的拓樸布線(topology router)技術(shù)，能把工程師知識(shí)、電路板設(shè)計(jì)人
2018-08-31 11:53:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價(jià)熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
?無(wú)外部匹配?針對(duì)每個(gè)頻段進(jìn)行了優(yōu)化筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM5964-18F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM5964-25F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
`FLM8596-8F砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹FLM8596-8F報(bào)價(jià)FLM8596-8F代理FLM8596-8FFLM8596-8F現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司FLM8596-8F是一種功率
2019-07-10 09:40:09
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
的HG106A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有高頻、高溫
2013-11-13 10:56:14
關(guān)鍵詞：AKM，旭化成，砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC，響拇指電子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官網(wǎng)AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有
2013-11-13 10:53:33
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
、移相器和衰減器電路應(yīng)用的上佳之選。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：MA4E20541-1141T產(chǎn)品名稱: 二極管MA4E20541-1141T產(chǎn)品特性Low IR（
2018-10-15 16:05:06
開(kāi)發(fā)副總裁關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長(zhǎng)、多元化和高盈利能力等特性于一身。公司通過(guò)為光學(xué)、無(wú)線和衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)提供突破性半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)滿足社會(huì)對(duì)信息的無(wú)止境需求，從而實(shí)現(xiàn)全面連通且
2017-06-06 14:37:19
電子、汽車和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
耗盡型半導(dǎo)體技術(shù)為碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、硅基氮化鎵（GaN on Si）、砷化鎵（GaAs）射頻功率晶體管或模塊提供準(zhǔn)確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
硬件和軟件套件有助加快并簡(jiǎn)化固態(tài)射頻系統(tǒng)開(kāi)發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠以LDMOS的價(jià)格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢(shì)在IMS現(xiàn)場(chǎng)
2017-08-03 10:11:14
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
失真(DPD)來(lái)修正，但實(shí)踐表明，碳化硅基氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)DPD優(yōu)化相當(dāng)困難。碳化硅中的電荷捕獲效應(yīng)被認(rèn)為是由于其硅結(jié)構(gòu)中的晶格 缺陷所致，最終導(dǎo)致功率放大器的線性化困難MACOM氮化鎵的功率密度是裸片
2017-08-30 10:51:37
的優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說(shuō)是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
`SGC1112-100A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGC1112-100A-R報(bào)價(jià)SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨詢熱線SGC1112-100A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGC8598-100A-R報(bào)價(jià)SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨詢熱SGC8598-100A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1011-25A報(bào)價(jià)SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨詢熱SGK1011-25A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-25A報(bào)價(jià)SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨詢熱SGK1314-25A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-30A報(bào)價(jià)SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK5254-120A-R報(bào)價(jià)SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式連續(xù)作業(yè)筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管ELM5964-7PS砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管ELM6472-4PS砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報(bào)價(jià)SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
有線電視基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。具有推挽共源共柵設(shè)計(jì)。它提供平坦增益和超低失真，使之成為有線電視分配系統(tǒng)的理想選擇要求高輸出功率能力。從A + 24伏電源引出445毫安。超過(guò)傳統(tǒng)的輸出線性性能砷化鎵基放大器
2018-06-11 09:09:19
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報(bào)價(jià)TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報(bào)價(jià)TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
有比較良好的濾除效果，而雜訊衰減量的規(guī)格值約只有40dB左右。它的缺點(diǎn)是遇上大振幅的突波雜訊時(shí)，易使電感線圈因飽和而降低其雜訊衰減特性，不過(guò)當(dāng)串聯(lián)多只EMI濾波器使用時(shí)效果將可因此改善。這次介紹的電源
2010-04-05 15:44:17
是一個(gè)缺點(diǎn)。隨著制造工藝的改進(jìn)，硅材料因其熱穩(wěn)定性和可用性而逐漸得到廣泛應(yīng)用。隨著電子技術(shù)從交換和控制向計(jì)算和通信領(lǐng)域的發(fā)展，人們對(duì)高速設(shè)備的需求越來(lái)越大。因此，砷化鎵被認(rèn)為是理想的，因?yàn)樗峁┝吮?b class="flag-6" style="color: red">硅快
2022-04-04 10:48:17
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡(jiǎn)稱MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關(guān)鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì)，隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，它能以最大的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測(cè)量磁場(chǎng)的傳感器，兩個(gè)輸入端，兩個(gè)輸出端。我把十二個(gè)砷化鎵串聯(lián)使用，三個(gè)一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測(cè)試的時(shí)候，所有的單個(gè)砷化鎵都對(duì)磁場(chǎng)有響應(yīng)，但是把四組串聯(lián)
2016-04-23 16:13:19
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。第一步：元器件選型對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢(shì)，但在設(shè)計(jì)上也帶來(lái)一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
簡(jiǎn)介 AKE（旭化成）的HG106A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅
2013-08-22 16:11:17
，4,000pcs/reel6. -40℃-125℃的極寬工作溫度范圍7. 1.7mV/mT的極高靈敏度器件概述：AKE的HG106A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體
2013-05-20 11:41:47
pcs/reel6. -40℃-125℃的極寬工作溫度范圍7. 1.32mV/mT的極高靈敏度8. -11mV-+11mV較低的失調(diào)電壓器件概述：AKE的HG106C砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率
2013-05-21 14:45:25
，4,000pcs/reel6. -40℃-125℃的極寬工作溫度范圍7. 1.9mV/mT的極高靈敏度8. -8mV-+8mV極低的失調(diào)電壓器件概述：AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比
2013-05-21 14:41:41
pcs/reel6. -40℃-125℃的極寬工作溫度范圍7. 1.32mV/mT的極高靈敏度8. -11mV-+11mV較低的失調(diào)電壓器件概述：AKE的HG106C砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率
2013-06-19 17:00:47
，4,000pcs/reel6. -40℃-125℃的極寬工作溫度范圍7. 1.9mV/mT的極高靈敏度8. -8mV-+8mV極低的失調(diào)電壓器件概述：AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比
2013-06-17 17:05:35
。”Higham說(shuō)，“這意味著覆蓋系統(tǒng)的全部波段和頻道只需要更少的放大器?！钡?b class="flag-6" style="color: red">鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的三五價(jià)半導(dǎo)體材料，LDMOS（橫向擴(kuò)散MOS技術(shù)）是基于硅
2016-08-30 16:39:28
設(shè)計(jì)，而微波開(kāi)關(guān)器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來(lái)設(shè)計(jì)。
公司領(lǐng)先全球研發(fā)于六吋砷化鎵基板，同時(shí)制作二種以上高效能之組件，以整合芯片制程上之技術(shù)，并縮小射頻模組電路面積、降低成本
2019-05-27 09:17:13
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
線性放大器等電路。砷化鎵生產(chǎn)方式和傳統(tǒng)的硅晶圓生產(chǎn)方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術(shù)制造，這種磊晶圓的直徑通常為4-6英寸，比硅晶圓的12英寸要小得多。磊晶圓需要特殊的機(jī)臺(tái)，同時(shí)砷化鎵原材料成本高出
2016-09-15 11:28:41
鎵器件大約在2015年推出市場(chǎng)，與具有相同導(dǎo)通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價(jià)格更低 。從那時(shí)起，產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價(jià)格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進(jìn)和芯片進(jìn)一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來(lái)會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
請(qǐng)問(wèn)一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
）材料靈敏度較高，是Si硅材料的八倍以上，且隨溫度變化很小（0.03-0.05%/度）主要用于線性傳感應(yīng)用，也可用于高端開(kāi)關(guān)傳感應(yīng)用。砷化鎵（GaAs）霍爾元件有
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開(kāi)關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開(kāi)關(guān)
2023-04-18 15:19:22
用于電動(dòng)摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品概述：GS302SA-3通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，輸出等比例霍爾電勢(shì)，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。由于
2023-05-31 10:02:47
砷化鎵射頻（RF）元件憑藉著優(yōu)異的雜訊處理及高線性等特色，成為高效能通訊設(shè)備開(kāi)發(fā)人員長(zhǎng)久以來(lái)的首選方案；然而，近來(lái)隨著絕緣層覆矽（SOI）制程技術(shù)的突破，以矽材料為基礎(chǔ)的RF元件性能已大幅突破，成為
2017-11-08 15:46:54
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