多芯片組件技術(shù)是為適應(yīng)現(xiàn)代電子系統(tǒng)短，小，輕，薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的發(fā)展方向二在PCB和SMT的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代微電子封裝與組裝技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的有力手段。
2022-09-01 15:50:16
7011 為解決單一芯片集成度低和功能不夠完善的問題,把多個(gè)高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密度多層互聯(lián)基板上用SMD技術(shù)組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng),從而出現(xiàn)MCM(Multi Chip Model)多
2018-11-23 16:58:18
MCM-L是采用片狀多層基板的MCM。MCM-L技術(shù)本來是高端有高密度封裝要求的PCB技術(shù)，適用于采用鍵合和FC工藝的MCM。MCM-L不適用有長期可靠性要求和使用環(huán)境溫差大的場合。
2020-03-19 09:00:46
對(duì)環(huán)路補(bǔ)償常是為了提高系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能，可以由于補(bǔ)償也可能會(huì)引起系統(tǒng)的不穩(wěn)定。LT3471的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有兩反饋環(huán)路，電流環(huán)和電壓環(huán)。手冊(cè)的補(bǔ)償原理處說為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定而高效的操作，需對(duì)系統(tǒng)補(bǔ)償。穩(wěn)定就是
2018-08-20 07:31:13
本產(chǎn)品適用于分度號(hào)為S、R、K、E、T、J、N型各種熱電偶與溫度顯示儀表之間的電氣連接，以提高測溫精度。補(bǔ)償導(dǎo)線分為延長性與補(bǔ)償型。補(bǔ)償導(dǎo)線按熱電特性的允差不同分為精密級(jí)(符號(hào)S)和普通級(jí)（符號(hào)無
2020-11-11 11:19:33
，可以實(shí)現(xiàn)不同間隔的溫度補(bǔ)償功能，從而大大提高了時(shí)鐘的精度。芯片可設(shè)置四種不同的時(shí)段進(jìn)行溫度補(bǔ)償，默認(rèn)設(shè)置是2S補(bǔ)償。該芯片采用C-MOS工藝生產(chǎn)，具有極低的功能消耗，可長期使用電池供電。二、原理圖三、參考程序u8 r8025_init(void){uint8_t val[3]={0x00,0x00,
2022-01-07 06:26:34
糾正的報(bào)告 SPP_MCM.EEGR.R = 0x0220; //注入無法糾正的錯(cuò)誤*（（uint32_t *）0x40001000）= PATTERN;SPP_MCM.EEGR.R = 0x
2019-03-25 08:23:15
TGA2700 X波段放大器產(chǎn)品介紹TGA2700報(bào)價(jià)TGA2700代理TGA2700咨詢熱線TGA2700現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGA2700 X波段驅(qū)動(dòng)放大器工作7 - 13
2018-07-26 09:16:52
其他發(fā)熱組件的存在，都會(huì)影響給定組件的功耗限制。提高熱性能的三種基本方法是：提高PWB設(shè)計(jì)的功耗能力改善組件與PWB的熱耦合在系統(tǒng)中引入氣流TPS6101x器件的最高結(jié)溫（TJ）為125°C。10針
2020-09-29 16:42:10
效率）可達(dá)35%，線性增益可達(dá)22.5dB?！ HA6710-FAB的電路是基于可靠的0.25μm GaN HEMT工藝的UMS專用基板上設(shè)計(jì)的?？梢杂糜?b class="flag-6" style="color: red">X波段雷達(dá)和空間Ku波段通信系統(tǒng)等
2020-07-07 08:50:16
、核能或化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能，并根據(jù)需要對(duì)電能進(jìn)行存儲(chǔ)、調(diào)節(jié)和變換，然后向衛(wèi)星其它各分系統(tǒng)不間斷供電。我國的衛(wèi)星大都采用太陽能／蓄電池供電系統(tǒng)。蓄電池充電終壓控制采用電壓一溫度補(bǔ)償法，即V-T控制。蓄電池
2019-10-09 08:24:42
，ITU-T將單模光纖在1260nm以上的頻帶劃分了O、E、S、C、L、U幾個(gè)波段。什么是 O band？O 波段是原始波段1260-1360 nm。O波段是歷史上用于光通信的第一個(gè)波長波段，信號(hào)失真（由于色散
2020-06-29 14:14:23
的解決之道是借助齊納鉗位電路消 除內(nèi)部環(huán)路。然而，這卻不必要地增加了組件數(shù)量。稍稍了解一下基本方程，在TL431周圍選擇補(bǔ)償值就能像補(bǔ)償降壓電路一樣易如反掌。圖1展示了反饋系統(tǒng)。內(nèi)部反饋環(huán)路是由上拉電阻器
2015-10-08 14:33:41
mode and a balanced mixer for enhanced sensitivity and reliability.微波探測模塊MDU1100T是一個(gè)X波段微波發(fā)射和接收一體化模塊，它
2016-12-08 17:44:57
,-t,fill);this.draw_Star(click_x,click_y,Math.floor(Math.random()*10 + 1),R,0,fill);this.draw_Star
2021-10-28 10:51:07
的性能。但是，RF MEMS電容式開關(guān)在低頻段的較低隔離度限制了其在X波段的應(yīng)用。為克服以上不足，J.B.Muldavin等人提出了在開關(guān)梁與地平面之間加入高阻抗傳輸線，通過該傳輸線引入的串聯(lián)電感使LC
2019-06-25 06:58:35
我正在嘗試將SVPWM代碼與我們今天的代碼進(jìn)行比較，作為預(yù)防措施，我還查看了反向停車?yán)獭Ｎ易⒁獾?b class="flag-6" style="color: red">MCM_Rev_Park使用的形式與大多數(shù)其他形式不同，MCM_Park轉(zhuǎn)換似乎與此匹配。顯示
2018-10-22 16:29:19
;,"3","20" 或 AT%SETCFG="BAND",Band3[,Band20]]。我怎樣才能設(shè)置波段？我嘗試使用 X-CUBE-CELLULAR 設(shè)置波段，但它也給出了錯(cuò)誤。我錯(cuò)過了什么？
2022-12-20 06:01:56
請(qǐng)問哈，為什么在空間無線電通信的規(guī)劃上，有用到C波段（4~8GHz），有用到Ku波段（12~18GHz），可為什么偏偏在X波段上（8~12GHz）在無線電通信上沒有被利用起來，這應(yīng)該是資源啊！為什么沒被利用？ 如果是被運(yùn)用了的，想請(qǐng)問哈這個(gè)X波段被用在什么地方了？謝謝
2013-07-12 14:07:25
長度，m；L＝2.7418H，為反饋繞組的自感；從為反饋繞組匝數(shù)?！ ∽杩乖鲆妫篏4＝1/R＝0.06，反饋繞組的比例系數(shù)：G5＝2000。 3 差值電流回饋補(bǔ)償系統(tǒng)的德定性分析 差值電流回饋補(bǔ)償
2018-10-31 16:52:13
Chip；SoC）等都是拜密度提升之賜而獲得持續(xù)發(fā)展、成長的動(dòng)能。不過，近年來也開始有反傳統(tǒng)的作法出現(xiàn)，包括多芯片模塊（Multi Chip Module；MCM）、系統(tǒng)單封裝（System
2009-10-05 08:10:20
的產(chǎn)品,MCM可選用多種封裝技術(shù)。關(guān)鍵詞：多芯片模塊 基板 封裝 印制電路板1 MGM概述MCM是一種由兩個(gè)或兩個(gè)以上裸芯片或者芯片尺寸封裝(CSP)的IC組裝在一個(gè)基板上的模塊，模塊組成一個(gè)電子系統(tǒng)或
2018-08-28 15:49:25
覆蓋到X波段。隨著高速ADC技術(shù)的進(jìn)步，人們對(duì)GHz區(qū)域內(nèi)高速精確地分辨超高中頻 (IF) 的需求也在提高，基帶奈奎斯特域已超過1 GHz并迅速攀升。這一說法到本文發(fā)表的時(shí)候可能即已過時(shí)，因?yàn)檫@方面的發(fā)展非常迅猛。
2019-09-11 11:51:24
差值電流回饋補(bǔ)償是什么原理？如何設(shè)計(jì)一個(gè)直流傳感器回饋補(bǔ)償系統(tǒng)？
2021-04-12 06:38:40
E = Eo + (2.3 RT/nF) log aH+ log aH+是PH值，E是測的電極電位值，Eo是參比電位值，那么，如果通過鉑熱電阻作溫度補(bǔ)償，T值如何獲取得，R氣體常數(shù)又是什么？獲取的16位數(shù)據(jù)，是電極電位值
2019-06-20 11:53:28
嵌入式系統(tǒng)和組件技術(shù)嵌入式系統(tǒng)組件的設(shè)計(jì)原則面向嵌入式組件的系統(tǒng)開發(fā)過程
2021-04-23 06:08:06
） 離散系統(tǒng)（PWM模數(shù)轉(zhuǎn)換） 輸入擾動(dòng)和負(fù)載變化可能引起系統(tǒng)輸出劇烈震蕩或無法及時(shí)穩(wěn)定?！ …h(huán)路補(bǔ)償的目的：閉環(huán)使輸入輸出之間建立反饋機(jī)制，能夠?qū)崿F(xiàn)衰減擾動(dòng)、降低系統(tǒng)靈敏性的目的。環(huán)路補(bǔ)償用來補(bǔ)償系統(tǒng)在
2023-03-29 11:46:13
描述 此 TI 驗(yàn)證設(shè)計(jì)可提供原理、組件選擇、TINA-TI 仿真、驗(yàn)證和測量性能、Altium 原理圖和相補(bǔ)償 8 通道多路復(fù)用電力自動(dòng)化數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的 PCB 布局。該設(shè)計(jì)使用具有集成模擬前端
2018-08-16 07:11:09
有源相控陣天線設(shè)計(jì)的核心是T/R組件。T/R組件設(shè)計(jì)考慮的主要因素有：不同形式集成電路的個(gè)數(shù)，功率輸出的高低，接收的噪聲系數(shù)大小，幅度和相位控制的精度。同時(shí)，輻射單元陣列形式的設(shè)計(jì)也至關(guān)重要。
2019-06-13 06:57:37
轉(zhuǎn)換裝置安裝方便、簡單實(shí)用，接收性能指標(biāo)優(yōu)良，可達(dá)到廣播級(jí)的使用要求。一、研發(fā)背景衛(wèi)星通信在廣電系統(tǒng)發(fā)射臺(tái)站應(yīng)用非常普及，目前常用的衛(wèi)星接收天線分為C波段和Ku波段兩種，饋源系統(tǒng)與接收天線的結(jié)構(gòu)
2019-06-13 06:16:58
/R1 =R2/RT2時(shí)電橋平衡，運(yùn)放輸出為零。而溫度變化時(shí)，電橋失去平衡，則運(yùn)放產(chǎn)生一電壓輸出。由此即可測得溫度T。該電路要求電阻R3、R4、R5、R6的精度為0.1%，R7、R8的精度為1%。電容C
2018-01-16 10:21:57
x. r) F4 L2 \+ o( Y標(biāo)準(zhǔn)化熱電偶 我國從1988年1月1日起，熱電偶和熱電阻全部按IEC國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，并指定S、B、E、K、R、J、T七種標(biāo)準(zhǔn)化熱電偶為我國統(tǒng)一設(shè)計(jì)型熱電偶。 2
2013-04-17 16:25:10
輸出引腳補(bǔ)償是什么鉭電容器簡介
2021-04-06 07:44:44
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
運(yùn)放電路中的相位補(bǔ)償
2021-03-17 07:04:41
`長期回收信捷PLC模塊14R/T16R/T24R/T32R/T42R/T/48/60R。高價(jià)回收，西門子。三菱。歐姆龍。AB。ABB。施耐德。基恩士。sick。倍加福。圖爾克。皮爾茲。邦納。易福門
2019-07-03 11:05:58
的解決之道是借助齊納鉗位電路消除內(nèi)部環(huán)路。然而，這卻不必要地增加了組件數(shù)量。稍稍了解一下基本方程，在TL431周圍選擇補(bǔ)償值就能像補(bǔ)償降壓電路一樣易如反掌。 圖1展示了反饋系統(tǒng)。內(nèi)部反饋環(huán)路是由上拉
2018-10-10 17:00:27
they are running at different speeds. Motorola’s MCM69D536 and MCM69D618 synchronous dual port products are well–suited to this task, if
2009-05-26 13:06:50
17 基于LTCC多層基板的X波段T/R組件小型化設(shè)計(jì)：介紹了一種適用于星載4波段相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的設(shè)計(jì)!新興的LTCC多層基板技術(shù)為其小型化和輕型化提供可能，詳細(xì)討論了組件結(jié)構(gòu)$裝配
2009-08-03 08:18:1327 MCM(MCP)封裝測試技術(shù)及產(chǎn)品:南通富士通的MCM 封裝測試技術(shù)是利用陶瓷基板或硅基板作為芯片間的互連，將二片以上的超大規(guī)模集成電路芯片安裝在多層互連基板上，再用金絲與金屬
2009-12-17 14:47:0015 W波段折疊波導(dǎo)慢波系統(tǒng)的尺寸對(duì)其冷特性的影響:：分析了Ｗ波段折疊波導(dǎo)慢波系統(tǒng)的尺寸對(duì)其冷特性的影響，并利用電磁場分析軟件ＭＡＦＩＡ計(jì)算了不同金屬材料折疊波導(dǎo)慢波系
2010-03-18 15:53:0718 SGC9395-50B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-50B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-10 14:44:02
SGC9395-100B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-100B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-10 14:50:57
SGC1112-100B型號(hào)簡介Sumitomo的SGC1112-100B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格
2023-12-10 14:57:19
SGC9395-130B型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-130B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-10 15:02:53
SGC9395-200B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-200B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-10 15:09:24
SGC9395-300B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-300B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-10 15:43:12
SGC8598-100B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8598-100B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-11 11:20:44
SGC8598-200B-R 型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8598-200A-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配用于X波段雷達(dá)波段，以提供50歐姆系統(tǒng)中的最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-11 11:35:26
SGC8598-50B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8598-50B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格
2023-12-11 11:42:08
SGC0910-200B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC0910-200B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。型號(hào)規(guī)格
2023-12-11 11:48:03
SGC1011-300B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC1011-300B-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-11 12:03:20
SGC8595-300B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8595-300B-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-11 12:09:36
SGC0910-300B-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC0910-300B-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-11 12:15:46
SGC8598-50A-R 型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8598-50A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-21 10:59:35
SGC8598-100A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8598-100A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 11:08:56
SGC8598-200A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC8598-200A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 11:15:27
SGC0910-300A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC0910-300A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 11:20:54
SGK0910-30A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGK0910-30A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-21 11:26:14
SGK0910-60A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGK0910-60A-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配用于X波段雷達(dá)波段，以提供50歐姆系統(tǒng)中的最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 11:33:15
SGK0910-120A-R 型號(hào)簡介Sumitomo的SGK0910-120A-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配用于X波段雷達(dá)波段，以提供50歐姆系統(tǒng)中的最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-21 11:40:29
SGC0910-200A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC0910-200A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 16:30:34
SGC9395-50A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-50A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 16:37:34
SGC9395-100A-R 型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-100A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-21 16:42:34
SGC9395-130A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-130A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-21 16:48:01
SGC9395-200A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-200A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 18:51:04
SGC9395-300A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC9395-300A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格
2023-12-21 18:56:19
SGC1112-100A-R型號(hào)簡介Sumitomo的SGC1112-100A-R是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配X波段雷達(dá)波段，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-21 19:01:51
多芯片組件(MCM),多芯片組件(MCM)是什么意思
多芯片組件是在高密度多層互連基板上，采用微焊接、封裝工藝將構(gòu)成電子電路的各種微
2010-03-04 14:49:436554 多芯片組件技術(shù)的基本類型有哪些?
根據(jù)多層互連基板的結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)的不同，MCM大體上可分為三類：①層壓介質(zhì)MCM(MCM-L)；②陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C)；③硅或介質(zhì)
2010-03-04 14:52:09925 三維多芯片組件的定義及其應(yīng)用
一、前言
---- 三維多芯片組件（簡稱3D-MCM）是在二維多芯片組件（即2D-MCM,通常指的MCM均系二維）技術(shù)基礎(chǔ)上
2010-03-04 14:56:071055 MCM最新中文資源包包含了機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測相關(guān)的應(yīng)用演示、技術(shù)視頻、案例分析、視頻教程等大量資料下載，是學(xué)習(xí)、了解并進(jìn)行MCM機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用的最佳選擇。
2012-12-18 16:18:31409 emi-emc設(shè)計(jì)pcb被動(dòng)組件的隱藏特性解析。
2016-03-29 16:48:220 emi-emc設(shè)計(jì)講座（一）pcb被動(dòng)組件的隱藏特性解析。
2016-03-30 14:23:060 開關(guān)電源的電流控制和斜坡補(bǔ)償方法的詳細(xì)解析。
2016-08-17 11:54:0616 PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析
2016-12-30 15:22:440 一種小型化C波段線性調(diào)頻T_R組件_賴迪生
2017-01-08 10:18:571 多芯片組件(MCM)及其應(yīng)用
2017-10-17 11:44:5121 瞬態(tài)極化新體制雷達(dá)對(duì)于提高雷達(dá)系統(tǒng)在復(fù)雜戰(zhàn)場環(huán)境中的探測性能和感知能力以及在抗干擾、反隱身、反低空突防等方面具有極其重要的軍事價(jià)值。其主要功能是探測雷達(dá)目標(biāo)的極化散射特性，同時(shí)測得目標(biāo)的極化散射矩陣
2018-05-03 11:13:002901 
根據(jù)IPAS的定義，MCM技術(shù)是將多個(gè)LSI/VLSI/ASIC裸芯片和其它元器件組裝在同一塊多層互連基板上，然后進(jìn)行封裝，從而形成高密度和高可靠性的微電子組件。
2020-01-08 11:04:255803 多芯片組件，英文縮寫MCM（Multi-ChipModule）——將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝技術(shù)。
2020-01-15 14:37:093335 MCM是在混合集成電路(HIC)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的高端電子產(chǎn)品，它將多個(gè)VLSI芯片和其他元器件高密度組裝在多層互連基板上，然后封裝在同一殼體內(nèi)，屬于高級(jí)混合集成組件。 MCM具有增加組件密度、縮短
2020-03-10 13:58:594421 一文了解MCM厚膜集成電路 MCM多芯片組件。 將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C和MCM－D三大類。 多芯片模塊在這種技術(shù)中，IC模片不是
2020-03-10 11:49:582151 “ 凌華科技今日發(fā)布其全新的設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測 （MCM，Machine Condition Monitoring）邊緣數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAQ，Data Acquisition Systems
2020-03-20 09:01:11678 美國加州時(shí)間，2020年3月17日--NeoPhotonics公司（紐交所：NPTN），領(lǐng)先的基于硅光子和先進(jìn)混合光子集成電路的激光器、模塊和子系統(tǒng)開發(fā)商和制造商，今天宣布推出一組L波段相干光學(xué)組件
2020-03-18 14:43:142794 3月18日，全球領(lǐng)先的邊緣計(jì)算解決方案提供商凌華科技今日發(fā)布其全新的設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測 （MCM，Machine Condition Monitoring）邊緣數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAQ，Data
2020-03-19 13:47:183322 厚膜MCM電路對(duì)于印制電路板（PCB）來說，技術(shù)方面有幾點(diǎn)突破 1、MCM技術(shù)采用了更短的連接長度和更緊密的器件布局從而降低系統(tǒng)功耗。 2、MCM通過把多個(gè)芯片高密度安裝，縮短它們之間傳輸路徑，信號(hào)
2020-04-18 11:00:182334 厚膜電路的MCM工藝及優(yōu)點(diǎn) 厚膜MCM電路對(duì)于印制電路板（PCB）來說，技術(shù)方面有幾點(diǎn)突破 1、MCM技術(shù)采用了更短的連接長度和更緊密的器件布局從而降低系統(tǒng)功耗。 2、MCM通過把多個(gè)芯片高密度安裝
2020-04-16 09:23:351508 本設(shè)計(jì)按照?qǐng)D1所示的MCM布局布線設(shè)計(jì)流程，以檢測器電路為例，詳細(xì)闡述了利用信號(hào)完整性分析工具進(jìn)行MCM布局布線設(shè)計(jì)的方法。首先對(duì)封裝零件庫加以擴(kuò)充，以滿足具體電路布局布線設(shè)計(jì)的需要；
2020-11-20 16:37:362872 介紹了一種K波段下變頻組件的集成設(shè)計(jì)，主要研究了有源二倍頻器、增益放大器、混頻器和帶通濾波器等部件。利用
2021-04-09 09:00:432028 
光伏組件是光伏電站最重要的設(shè)備之一，成本占了并網(wǎng)系統(tǒng)50%以上，組件的技術(shù)參數(shù)包括兩方面，一是產(chǎn)品的電氣參數(shù)，關(guān)系到光伏系統(tǒng)設(shè)計(jì)。二是產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用參數(shù)，關(guān)系到產(chǎn)品的安裝和運(yùn)輸，下面以單晶硅光伏組件為例，解釋光伏組件的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-04-04 10:32:495095 
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