8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無(wú)線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
t3的基極。兩個(gè)晶體管(t2和 T3)的發(fā)射極連接通過(guò)電阻 r5接地。 圖二: 射頻發(fā)生器電路 振蕩頻率取決于與 t2集電極相連的 L-C 電路的諧振頻率。L-C 電路是圍繞線圈 l1和2j 電容器
2021-12-29 09:45:26
管理部門一項(xiàng)重要工作，有些無(wú)線電發(fā)射設(shè)備架設(shè)在高樓、高山上，一般的綜合測(cè)試儀較笨重，難以開(kāi)展測(cè)試工作。無(wú)線電管理部門對(duì)無(wú)線電發(fā)射設(shè)備比較關(guān)注的參數(shù)有頻率誤差、發(fā)射功率、占用帶寬、雜散發(fā)射等，利用3550數(shù)字無(wú)線電綜合測(cè)試儀就能滿足對(duì)以上參數(shù)的測(cè)試。下面介紹下詳細(xì)的測(cè)試方法及操作：
2019-06-05 07:59:43
四面八方反射，使一部分能量到達(dá)接收點(diǎn)，這就是散射波。 在業(yè)余無(wú)線電通信中，運(yùn)用最多的是“天波”傳播方式，這是短波遠(yuǎn)距離通信的必要 條件。空間波和散射波的運(yùn)用多見(jiàn)于超高頻通信，而地波傳播常見(jiàn)于低波段和近距離 通信。 線更多資料查看，請(qǐng)前往購(gòu)線網(wǎng)! http://www.gooxian.com/
2017-10-31 09:45:39
四面八方反射，使一部分能量到達(dá)接收點(diǎn)，這就是散射波。 在業(yè)余無(wú)線電通信中，運(yùn)用最多的是“天波”傳播方式，這是短波遠(yuǎn)距離通信的必要 條件。空間波和散射波的運(yùn)用多見(jiàn)于超高頻通信，而地波傳播常見(jiàn)于低波段和近距離 通信。更多資料查看，請(qǐng)前往購(gòu)線網(wǎng)! http://www.gooxian.com/
2017-09-26 10:03:30
晶體具有兩種諧振模式：串聯(lián)(兩個(gè)頻率中的低頻率)和并聯(lián)(反諧振，兩個(gè)頻率中的高頻率)。所有在振蕩電路中呈現(xiàn)純阻性時(shí)的晶體都表現(xiàn)出兩種諧振模式。在串聯(lián)諧振模式中，動(dòng)態(tài)電容的容抗Cm、感抗Lm相等且極性
2019-05-29 08:10:57
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基極偏置電壓 2．1．3 基極-發(fā)射極間電壓為0．6V 2．1．4 兩種類型的晶體管 [hide]晶體管電路設(shè)計(jì).pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
什么是電阻測(cè)量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？
2021-09-27 08:33:35
工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等?！ “捶庋b結(jié)構(gòu)分類 晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡(jiǎn)稱金封）晶體管、塑料封裝（簡(jiǎn)稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡(jiǎn)稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀
2010-08-12 13:59:33
晶體管在高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
。需要說(shuō)明的是，晶體管有很多種類型，每種類型又分為N型和P型，下面圖中的電路符號(hào)就是一個(gè)N型晶體管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路有導(dǎo)通和截止兩種狀態(tài)，這兩種狀態(tài)就可以作為“二進(jìn)制”的基礎(chǔ)。從模電角度來(lái)說(shuō)晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
,晶體管射隨器就是一種達(dá)到上述功能的緩沖電路。 晶體管射隨電路實(shí)際上是晶體管共發(fā)電路,它是晶體三極管三大電路形式之一(共基電路、共集電路、共發(fā)電路),它的電路
2009-09-17 08:33:13
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
孔，按動(dòng)相應(yīng)的V（BR）鍵，再?gòu)谋碇凶x出反向擊穿電壓值。對(duì)于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測(cè)試。將待測(cè)晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測(cè)試電路的A端、B端相連（PNP
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管放大電路有3種基本連接方式：共發(fā)射極接法、共基極接法和共集電極接法，如下圖所示。一般作電壓放大時(shí)，常采用共發(fā)射極電路。（1） 在共發(fā)射極電路中，發(fā)射極為輸入，輸出回路交流公共端。（2） 在
2017-03-30 09:56:34
，故穩(wěn)定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數(shù)。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
與漏極間流過(guò)電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過(guò)電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)?；竟ぷ魈匦员容^這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
）。對(duì)這兩個(gè)PN結(jié)所施加不同的電位，就會(huì)使晶體管工作于不同的狀態(tài)：兩個(gè)PN結(jié)都反偏——晶體管截止；兩個(gè)PN結(jié)都導(dǎo)通——晶體管飽和：一個(gè)PN結(jié)正偏，一個(gè)PN結(jié)反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發(fā)射結(jié)反
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱為晶體管，而單極型晶體管簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路
2010-08-12 13:57:39
提出了一種用于金屬物體的超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線，該天線適用于多標(biāo)準(zhǔn)超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)。采用在偶極子結(jié)構(gòu)上增加環(huán)形微帶線來(lái)增大輸入阻抗，極大地提高了標(biāo)簽天線的增益特性。利用電磁仿真軟件分析了天線
2019-08-26 07:40:27
請(qǐng)問(wèn)有熟悉18MHz超高頻電磁感應(yīng)加熱電路的嗎？
2023-10-10 15:25:59
有誰(shuí)知道超高頻讀寫器 UHF RFID 電路設(shè)計(jì)??？不用集成度高的讀寫器芯片（R1000/AS3991/PR9000...）搭電路的讀寫器，求救啦！
2011-11-24 10:33:14
射頻卡有哪些分類？超高頻身份識(shí)別應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么？超高頻身份識(shí)別主要應(yīng)用與哪些領(lǐng)域？
2021-05-21 06:08:05
高頻無(wú)線電系統(tǒng)主要由發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和天線三大部分組成。許多現(xiàn)代無(wú)線電設(shè)備將發(fā)射機(jī)和接收機(jī)合并為一個(gè)單元，叫做無(wú)線電收發(fā)機(jī)。大型固定系統(tǒng)的發(fā)射臺(tái)和接收臺(tái)一般設(shè)在不同地點(diǎn)，通常是由另一個(gè)遠(yuǎn)地臺(tái)控制。
2019-07-12 07:45:05
引:本刊將就目前RFID業(yè)界的一些熱點(diǎn)問(wèn)題和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行一系列研究探討，包括高頻和超高頻在單品級(jí)應(yīng)用的選擇，雙頻/雙協(xié)議RFID技術(shù)，《中國(guó)射頻識(shí)別（RFID）技術(shù)政策白皮書》指導(dǎo)下的中國(guó)
2019-06-19 07:57:54
如圖為FM無(wú)線電干擾電路圖。該電路是一個(gè)典型的單晶體管振蕩器。電路的工作原理非常簡(jiǎn)單。強(qiáng)大的甚高頻振蕩電路將干擾調(diào)頻信號(hào)。這樣的*電路在許多國(guó)家是非法的，這個(gè)電路的目的是只為了好玩，請(qǐng)不要濫用它。
2011-10-17 15:52:27
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說(shuō)明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
電流可以調(diào)節(jié)巨大的發(fā)射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管？PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設(shè)備。適量的基極電流調(diào)節(jié)了發(fā)射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過(guò)的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
對(duì)超高頻段的影響是很大的。4.超高頻電子標(biāo)簽的天線一般是長(zhǎng)條和標(biāo)簽狀。天線有線性和圓極化兩種設(shè)計(jì)，滿足不同應(yīng)用的需求。5．但超高頻頻段相對(duì)有比較好的讀取距離，但是對(duì)讀取區(qū)域很難進(jìn)行定義。6．超高頻有很高
2016-01-15 10:26:36
。作者簡(jiǎn)介 ：鈴木雅臣，任職于Accuphase公司，主要從事數(shù)字視聽(tīng)設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。目錄：第一章 概述學(xué)習(xí)晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
` 本帖最后由 博緯智能 于 2017-7-14 09:56 編輯
隨著馬云無(wú)人零售店掀起的熱潮，超高頻UHF RFID逐步進(jìn)入了智能制造和技術(shù)的核心視野，越來(lái)越多的人關(guān)注超高頻UHF RFID
2017-07-14 09:44:16
及軍事等方面。按工作頻段不同，RFID系統(tǒng)可以分為低頻、高頻、超高頻和微波等幾類。目前，大多數(shù)RFID系統(tǒng)為低頻和高頻系統(tǒng)，但超高頻頻段的RFID系統(tǒng)具有操作距離遠(yuǎn)，通信速度快，成本低，尺寸小等優(yōu)點(diǎn)
2019-07-23 08:09:26
的晶體管是電流控制電流型的.一般不可以直接代換的除非稍微改變一下電路結(jié)構(gòu)。二、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管選用技巧:（1）晶體三極管選型技巧:必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工
2019-04-09 11:37:36
區(qū)的電流大得多。雙極結(jié)型晶體管有兩種主要類型：NPN 和 PNP。NPN 晶體管是一種大多數(shù)載流子是電子的晶體管。
從發(fā)射極流向集電極的電子形成流經(jīng)晶體管的大部分電流的基極。其他類型的電荷——空穴
2023-08-02 12:26:53
光電器件相關(guān)聯(lián)，其特點(diǎn)是響應(yīng)速度快（響應(yīng)時(shí)間為數(shù)十皮秒），適合集成。這些類型的器件有望應(yīng)用于光電集成?！?雙極晶體管雙極晶體管是音頻電路中常用的一種晶體管。雙極性是由兩種半導(dǎo)體材料中的電流流動(dòng)引起的。雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
的區(qū)別。什么是PNP和NPN晶體管？晶體管是通過(guò)混合兩種不同類型的半導(dǎo)體而創(chuàng)建的：n型和p型。電子給體原子由n型半導(dǎo)體攜帶。而電子受體原子由p型半導(dǎo)體（空穴）攜帶。NPN 晶體管NPN型晶體管由具有低
2023-02-03 09:50:59
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
的兩種主要類型是什么？晶體管基本上分為兩種類型;它們是雙極結(jié)型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。BJT再次分為NPN和PNP晶體管。5.晶體管有多少種？兩種類型晶體管有兩種類型，它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">電路中
2023-02-03 09:32:55
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號(hào)。通過(guò)這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開(kāi)啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
近來(lái)，隨著超高頻RFID讀寫技術(shù)的迅猛發(fā)展，嵌入式RFID超高頻電子標(biāo)簽在生產(chǎn)階段具備或半具備的RFID功能，使它與其他同類型產(chǎn)品相比而擁有不一樣的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，哪些物質(zhì)會(huì)影響RFID超高頻電子標(biāo)簽的性能？
2020-04-01 18:09:12
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
一、超高頻（UHF）與高頻(HF)對(duì)比1、實(shí)施成本低超高頻RFID系統(tǒng)整體設(shè)備成本低，性價(jià)比高。小到一支電子標(biāo)簽-----電子標(biāo)簽內(nèi)含有接收、發(fā)射信號(hào)的天線，而天線的物理尺寸和電磁波的波長(zhǎng)
2011-07-14 09:07:43
（MOS管）。 晶體管一、晶體管的命名 通常使用的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等等，其中最常用的是三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。 按
2012-07-11 11:36:52
請(qǐng)問(wèn)用51單片機(jī)可以不可以產(chǎn)生超高頻電磁波？從而設(shè)計(jì)超高頻rfid讀取終端？
2017-03-31 18:01:57
所獲得的電子標(biāo)簽信息反饋給PC機(jī)。射頻識(shí)別技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，逐漸被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、物流、交通運(yùn)輸、防偽、跟蹤及軍事等方面。按工作頻段不同，RFID系統(tǒng)可以分為低頻、高頻、超高頻和微波等幾類。目前
2019-10-18 07:11:34
圖4.基本NPN晶體管開(kāi)關(guān)電路 該電路類似于共發(fā)射極電路。不同之處在于，我們需要將晶體管完全打開(kāi)（飽和）或完全關(guān)閉（切斷）才能將其作為開(kāi)關(guān)運(yùn)行?！ ±硐氲?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)在完全關(guān)閉時(shí)在發(fā)射
2023-02-20 16:35:09
射頻識(shí)別技術(shù)[1]是一種非接觸式自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，是構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)的關(guān)鍵技術(shù)。根據(jù)通信的頻段來(lái)劃分，可以分成低頻、高頻、超高頻和微波等射頻識(shí)別系統(tǒng)。目前市場(chǎng)上存在的超高頻閱讀器總是擺脫不了與上位機(jī)之間
2019-08-05 06:58:07
。當(dāng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓突變?yōu)?時(shí)，還是因?yàn)殡娙蓦妷翰荒芡蛔?，CB兩端的電壓加到VT1的發(fā)射結(jié)上，可以形成很大的反向基極抽取電流，使VT1迅速關(guān)閉并進(jìn)入問(wèn)題?！ 〖铀?b class="flag-6" style="color: red">電路二 在加速電路二中，高速
2020-11-26 17:28:49
電路之一是具有發(fā)射極偏置電路的自偏置功能，其中一個(gè)或多個(gè)偏置電阻器用于為三個(gè)晶體管電流（I B）設(shè)置初始DC值 ， （I C）和（I E）。雙極晶體管偏置的兩種最常見(jiàn)形式是：Beta依賴和Beta獨(dú)立
2020-11-12 09:18:21
`一、射頻卡分類 按載波頻率分為低頻射頻卡、中頻射頻卡和高頻射頻卡。低頻射頻卡主要有125kHz和135kHz兩種，中頻射頻卡頻率主要為13.56MHz，高頻射頻卡主要為433MHz、915MHz
2018-09-05 11:39:41
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
“晶體管”一詞是“傳輸”和“壓敏電阻”的組合。該術(shù)語(yǔ)描述了這些設(shè)備在早期的工作方式。晶體管是電子產(chǎn)品的主要組成部分，就像DNA是人類基因組的組成部分一樣。它們被歸類為半導(dǎo)體，有兩種一般類型：雙極
2023-02-17 18:07:22
COMSOL Multiphysics 5.1 版本引入了新的超高頻RFID 標(biāo)簽教程模型。RFID 標(biāo)簽使您可以通過(guò)使用電磁場(chǎng)來(lái)識(shí)別并監(jiān)控?zé)o生物和生物。超高頻RFID 標(biāo)簽的應(yīng)用范圍大于其他類型的RFID 標(biāo)簽，常用于動(dòng)物識(shí)別。我們可以通過(guò)分析電場(chǎng)與遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式來(lái)評(píng)估該標(biāo)簽的性能。
2019-08-26 07:55:30
本文系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用超高頻段進(jìn)行通信，目前在UHF頻段多采用偶極子及其變形結(jié)構(gòu)，如彎折線天線、折合偶極子天線等。文中設(shè)計(jì)了超高頻段433 MHz的標(biāo)簽小型化天線，需同時(shí)滿足標(biāo)簽小型化和天線性能兩方面的要求。
2021-05-19 06:02:46
TO-929013 NPN 400 500 25 3.0 0.5 0.5 1.0 64~202 TO-924 高、低頻大功率管高頻大功率管適用于功率放大、開(kāi)關(guān)電路、穩(wěn)壓電路以及無(wú)線電通信、無(wú)線電
2018-01-18 10:07:56
兩端的電壓降為1v，還可以找到發(fā)射極電阻R E的值。假設(shè)使用標(biāo)準(zhǔn)NPN硅晶體管，則計(jì)算所有其他電路電阻的值。然后在特性曲線的集電極電流垂直軸上建立點(diǎn)“ A”，并在Vce = 0時(shí)出現(xiàn)。當(dāng)晶體管完全“關(guān)斷
2020-11-02 09:25:24
有熟悉超高頻電磁加熱電路的工程師嗎？振蕩頻率為18MHz，請(qǐng)聯(lián)系我。
2023-10-18 17:29:31
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
型的.一般不可以直接代換的.除非稍微改變一下電路結(jié)構(gòu)。三、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管選型訣竅：晶體三極管：必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時(shí)對(duì)電壓的極性要求不同，所以是
2019-03-27 11:36:30
菜鳥先在這拜謝了，我現(xiàn)在要測(cè)試我的無(wú)線電系統(tǒng)的信號(hào)質(zhì)量，能不能用labview測(cè)量無(wú)線電的發(fā)射信號(hào)功率這一指標(biāo)，如果能大概的方法是怎樣的？
2015-09-14 11:17:35
具有滯后-超前校正的超高頻放大器電路圖
2019-09-10 10:43:08
、上位機(jī)等，給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺(tái)，給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
針對(duì)ZigBee，藍(lán)牙等設(shè)備的無(wú)線喚醒應(yīng)用，提出了超高頻倍壓整流電路的分析模型。該模型考慮了接收信號(hào)強(qiáng)度，二極管參數(shù)，倍壓整流電路級(jí)數(shù)以及負(fù)載阻抗等主要電路元件參數(shù)。
2010-01-20 11:49:27
46
超高頻放大器電路圖
2009-04-08 09:21:48
2529 
使用高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寬帶超高頻放大器電路圖
2009-04-08 09:25:201358 
巧測(cè)超高頻管fr參數(shù)
2009-08-12 11:44:18995 
超高頻晶體管,超高頻晶體管工作原理
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示
2010-03-01 11:16:07708 超高頻晶體管,超高頻晶體管是什么意思
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極
2010-03-05 16:20:311812 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 針對(duì)現(xiàn)有有線有源應(yīng)變傳感器不適用于固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)殼體應(yīng)變監(jiān)測(cè)的問(wèn)題，基于UHF RFID（超高頻無(wú)線射頻識(shí)別）技術(shù)，設(shè)計(jì)了一款無(wú)源超高頻應(yīng)變傳感標(biāo)簽。標(biāo)簽通過(guò)電磁反向散射方式，收集超高頻射頻能量
2018-01-23 11:48:490 如圖所示是由SAW組成的超高頻發(fā)射模塊，電路型號(hào)為CS901。它以基本電路為基礎(chǔ)增加了調(diào)制管VT2和電源濾波電路而成的。電容C5～C7和R3組成電源濾波電路，防止電源干擾并提高電路的穩(wěn)定性。VT2
2018-06-19 09:31:001724 
高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號(hào)放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無(wú)線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:441677 這種雙晶體管AM無(wú)線電電路也稱為“迷你無(wú)線電”。它僅使用2個(gè)晶體管和很少的無(wú)源元件，這使得非常容易構(gòu)建。雖然電路非常簡(jiǎn)單，但無(wú)需外部天線或接地連接即可很好地運(yùn)行。晶體管T1用作反饋調(diào)節(jié)HF放大器，同時(shí)用作解調(diào)器。接收器的靈敏度取決于反饋量，可以通過(guò)P1進(jìn)行調(diào)整。
2023-07-27 17:36:41489 
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