埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專(zhuān)為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類(lèi)比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計(jì)的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:23
7780 、航空航天和國(guó)防應(yīng)用提供產(chǎn)品和解決方案。高電壓、高功率、堅(jiān)固耐用的晶體管，具有無(wú)與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無(wú)可爭(zhēng)議且可靠的無(wú)線(xiàn)電覆蓋范圍？從我們專(zhuān)為 0.4-1 GHz 操作而設(shè)計(jì)的完整移動(dòng)
2021-06-28 18:02:51
RF2126是RF Micro Devices公司生產(chǎn)的大功率線(xiàn)性放大器。它采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計(jì)用于2.5GHzISM頻段末級(jí)線(xiàn)性RF放大，如WLAN和POS終端
2021-04-23 06:14:36
能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴(kuò)展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級(jí)射頻集成電路(RF IC)。當(dāng)由該公司高性?xún)r(jià)比
2019-07-09 08:17:05
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
大功率晶體三極管的檢測(cè) 利用萬(wàn)用表檢測(cè)中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對(duì)檢測(cè)大功率三極管來(lái)說(shuō)基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
按照大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類(lèi)，可以將大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類(lèi)型：?jiǎn)我还δ?b class="flag-6" style="color: red">型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線(xiàn)。在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚(yú)目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
有做大功率PCB板的朋友嗎，電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
通用型TVS管和專(zhuān)用型TVS管；按封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可分為軸向引線(xiàn)TVS管、雙列直插TVS管、貼片式TVS管、大功率TVS管、小功率TVS管等。目前，業(yè)內(nèi)普遍定義，3000W以上的TVS管均屬于大功率
2018-09-27 17:36:26
一、PN結(jié)：大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結(jié)不一樣，大功率TVS二極管有很大的散熱片，而小功率TVS二極管沒(méi)有；二、結(jié)電容：大功率TVS的結(jié)電容可高達(dá)上百pF；小功率TVS的結(jié)電容可以做到
2022-05-24 16:18:18
尋求有做過(guò)大功率短波項(xiàng)目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達(dá)到二百瓦，主要涉及信號(hào)震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開(kāi)關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3．行推動(dòng)管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng)管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
FCI為混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)推出大功率連接器設(shè)計(jì)
2021-05-10 06:18:51
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是專(zhuān)為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類(lèi)模式下工作時(shí)，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
650W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有
2018-10-17 10:05:39
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿(mǎn)足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開(kāi)啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
2022-01-14 07:09:46
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開(kāi)關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
BLF189XRA ，深圳市艾力達(dá)科技有限公司備用大量現(xiàn)貨
2022-06-02 17:41:23
大功率開(kāi)關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號(hào)： BLF
2024-02-29 16:14:13
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)
2010-09-17 18:29:3120
大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求
2009-07-09 10:36:403188 
大功率開(kāi)關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，
2009-07-29 16:09:521762 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06349 
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線(xiàn)性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 
美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術(shù)的射頻 RF 晶體管系列，新型的S波段500W RF器件2729GN-500，主要應(yīng)用在大功率空中交通的機(jī)場(chǎng)管制及雷達(dá)監(jiān)視等應(yīng)用。
2012-11-30 10:10:10690 晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:371706 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:091923 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08354 關(guān)鍵詞：射頻功率 , LDMOS , BLC2425M10LS500P 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）面向工作在2400MHz至2500MHz頻率范圍內(nèi)的脈沖和連續(xù)波（CW）應(yīng)用，推出500W
2019-01-20 16:51:01561 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊(cè)
2021-08-11 14:14:110 硅NPN大功率晶體管2SC2246中文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-03-21 17:21:5311 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451 60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280 40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592057 100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140 100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430
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