射頻VMMK器件通過降低寄生電感和電容提高性能

VMMK器件晶圓等級和芯片封裝工藝

如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見的射頻表貼封裝帶來的寄生電路參數(shù)。通過消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個(gè)低損耗和低阻抗的信號通道。在元件之上的空腔具有低介電常數(shù)因此能夠在高頻進(jìn)行工作，此外空腔能夠在器件應(yīng)用中提供機(jī)械保護(hù)。

安華高低成本半導(dǎo)體工藝流程

圖1 安華高低成本半導(dǎo)體工藝流程

如圖2所示，器件的輸入端和輸出端都是通過晶圓背面的孔連接，消除了絲焊導(dǎo)致的性能下降。安華高關(guān)于VMMK金屬化和密封工藝保證了器件能夠在標(biāo)準(zhǔn)焊接流程下進(jìn)行操作。

VMMK器件工藝消除絲焊和改善熱特性能夠增加貼片的穩(wěn)定性。VMMK器件工藝在表貼工藝流程中沒有增加任何新的設(shè)備，現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)貼片設(shè)備完全滿足要求。

最后，通過消除封裝管腳引線，VMMK器件相對于傳統(tǒng)的射頻表貼器件變的更薄，更輕和布板面積更小。例如，VMMK-2x03射頻放大器（1mm*0.5mm*0.25mm）只需要SOT-342封裝5%的體積和10%的PCB面積。相比于許多標(biāo)準(zhǔn)的射頻表貼封裝器件，VMMK器件至少節(jié)省了50%的PCB面積。

隨著寄生效應(yīng)的減少，VMMK器件直接與PCB導(dǎo)線相連降低信號通道上的損耗。VMMK器件的空腔結(jié)構(gòu)能夠有效的降低寄生參數(shù)和提高性能。

安華高晶圓空腔工藝降低射頻損耗和寄生電感電容

圖2 安華高晶圓空腔工藝降低射頻損耗和寄生電感電容

低成本下優(yōu)秀的性能

安華高VMMK器件工藝具有批量的半導(dǎo)體制造能力。如圖3所示，依靠消除傳統(tǒng)SMT封裝中成本高的工藝步驟，例如打金線、單元連接和SMT塑模，安華高VMMK器件工藝能夠在低成本下發(fā)揮更優(yōu)秀的性能。VMMK器件的尺寸非常小，如圖4所示，在SOT-343封裝下能夠容納20個(gè)VMMK器件。

低成本VMMK器件適用于批量的射頻應(yīng)用

圖3 低成本VMMK器件適用于批量的射頻應(yīng)用

圖4 SOT-343封裝可容納20個(gè)VMMK器件

簡單的裝配和產(chǎn)品制造

對用戶來說VMMK器件不需要特殊的PCB設(shè)計(jì)、制造和裝配工藝。安華高的VMMK元件能夠適應(yīng)任何使用SMT工藝的設(shè)計(jì)，而且只需要簡單的設(shè)計(jì)和布板。

標(biāo)準(zhǔn)的PCB材料

VMMK器件被限制用于FR4材料，建議在低插損的微波材料選用RO4003、RO4350和5880板材。VMMK器件在PCB上的焊接需要比FR5更大的熱膨脹，而不能使用FR4的轉(zhuǎn)化溫度。

PCB布板注意事項(xiàng)

VMMK器件的封裝與標(biāo)準(zhǔn)的0402封裝電容相似。但是，PCB工程師不能使用標(biāo)準(zhǔn)的0402封裝作為VMMK器件的封裝。VMMK器件中的金屬化部分是需要焊接的。芯片資料推薦的合適的VMMK器件封裝焊盤如下圖5，阻焊層應(yīng)該圍繞焊盤抑制焊錫流動。焊盤之間的缺口不能被焊錫流動形成搭橋現(xiàn)象。焊盤的材料是5微米的金和1微米的鎳混合物。當(dāng)焊錫在焊盤上出現(xiàn)流動時(shí)，VMMK器件的焊盤中的金層會溶解，鎳層和焊錫融化混合，這種情況主要發(fā)生在器件通過回流焊焊接在PCB的過程中。

以下是VMMK器件貼片生產(chǎn)指南

1.   在PCB焊盤上不能有覆蓋阻焊的通孔
2.   焊接鋼網(wǎng)應(yīng)該確保沉積在焊盤上的錫膏數(shù)量。VMMK器件的鋼網(wǎng)形狀見下圖6所示，其他的焊接信息需要參考安華高應(yīng)用文檔AN-5378
3.   VMMK器件在焊接過程中需要標(biāo)準(zhǔn)的去離子水清洗工藝，不需要超聲波清洗和氣相清洗。
4.   VMMK器件采用一種高分子材料作為墊片材料。這種高分子材料一直用于晶圓的鈍化處理和芯片封裝表面。高分子材料由陶氏化學(xué)公司生產(chǎn)廣泛用于PCB制造和加工行業(yè)，VMMK器件采用此種材料可與PCB焊接達(dá)成最佳配合，其他有關(guān)材料方面的信息需要參考應(yīng)用文檔AN-5378
5.   VMMK器件在PCB設(shè)計(jì)需要參考應(yīng)用文檔AN-5378
6.   VMMK器件焊接用焊膏建議采用無清洗或水溶性比較合適
7.   安華高VMMK器件進(jìn)行了符合MSL2a標(biāo)準(zhǔn)的濕度敏感測試。

VMMK器件焊盤圖案

圖5 VMMK器件焊盤圖案

VMMK器件焊接鋼網(wǎng)圖案

圖6 VMMK器件焊接鋼網(wǎng)圖案

芯片包裝和批量生產(chǎn)注意事項(xiàng)

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DDS掃頻技術(shù)實(shí)現(xiàn)寄生電感測量儀

本文介紹了一種利用LC 諧振原理測量電容自身寄生電感的方法。利用直接數(shù)字合成器產(chǎn)生可編程的掃頻信號激勵(lì)含有寄生電感的電容，同時(shí)采用對數(shù)檢波器對經(jīng)過待測網(wǎng)絡(luò)后的信號進(jìn)

2011-10-24 11:49:07

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寄生電感的優(yōu)化

上期我們介紹了寄生電感對Buck電路中開關(guān)管的影響，本期，我們聊一下如何優(yōu)化寄生電感對電路的影響。

2022-11-22 09:07:35

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什么是寄生電感？如何計(jì)算過孔的寄生電感？

在PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）設(shè)計(jì)中，過孔寄生電感是一個(gè)重要的考慮因素。當(dāng)電流通過PCB的過孔時(shí)，由于過孔的幾何形狀和布局，會產(chǎn)生一定的寄生電感。這種寄生電感可能會

2024-03-15 08:19:53

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寄生電感怎么來的？

最近在整理電感的內(nèi)容，忽然就有個(gè)問題不明白了：寄生電感怎么來的呢？一段直直的導(dǎo)線怎么也會存在電感，不是只有線圈才能成為電感嗎？想到以前看的書，這個(gè)寄生電感的存在大家都默認(rèn)是有的，貌似也沒有人懷疑這個(gè)

2021-01-28 07:00:38

寄生電容器是什么？

低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對低頻時(shí)開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達(dá)到某個(gè)相對高頻為止（電容器出現(xiàn)電感）。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。

2019-08-15 06:33:32

寄生電容器知識詳解

:波形隨連續(xù)反激或者降壓輸出電流而變化總之，輸出電容器的阻抗有助于提高紋波和瞬態(tài)性能。隨著電源頻率升高，寄生問題的影響更大、更不應(yīng)忽視。在20kHz附近，鋁電解電容器的ESR大到足以主導(dǎo)電容阻抗。在100kHz時(shí)，一些鋁聚合物電容表現(xiàn)出電感。電源進(jìn)入兆赫茲開關(guān)頻率時(shí)，請注意所有三種電容器的ESL。

2018-09-29 09:22:17

寄生電容有什么含義？

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。

2019-09-29 10:20:26

寄生電容的影響是什么？

寄生電容的影響是什么？焊接對無源器件性能的影響是什么？

2021-06-08 06:05:47

射頻VMMK器件是怎么通過降低寄生電感和電容提高性能的？

射頻VMMK器件是怎么提高性能的？通過降低寄生電感和電容嗎？

2019-08-01 08:23:35

射頻電路中為什么電容都是pF,電感都是nH ？

射頻電路中為什么電容都是pF,電感都是nH ？為什么100pF就相當(dāng)通路？電感越大，感抗就越大？電感盡量取小嗎，電容呢。

2019-02-20 14:21:09

射頻設(shè)計(jì)：PCB疊層、電源退耦、過孔規(guī)則

%的磁通泄漏，有效的提升EMI性能射頻設(shè)計(jì)難題「電源退耦篇」電源供電需要通過退耦電容濾除電源的噪聲，如圖，避免噪聲在不同設(shè)備（IC）之間流轉(zhuǎn)，同時(shí)電源噪聲會增加頻率合成器的相位噪聲，降低接收機(jī)的接收

2022-11-07 20:48:45

電容器的雜散電感和寄生電感的區(qū)別是什么？

2023-04-11 16:59:39

電感

的輸出電容及電容本身的寄生串聯(lián)電阻會影響到穩(wěn)壓器的輸出電路的性能以及當(dāng)負(fù)載突變時(shí)穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)能力。通常，輸出電容應(yīng)首選：一，有較小等效串聯(lián)電阻（ESR）的電容，以便降低交流損耗和輸出紋波；二

2017-09-02 01:49:18

降低RF電路寄生信號的八個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則

器件越遠(yuǎn)。在RF頻率下，電路板背面的電容器會產(chǎn)生通孔串連接地路徑的寄生電感，損失大量噪聲衰減優(yōu)勢。總結(jié)通過電路板布局評測，我們可發(fā)現(xiàn)可能發(fā)射或接收雜散RF音調(diào)的結(jié)構(gòu)。要跟蹤每一條線路，有意識地明確其回流

2017-01-20 15:50:55

高性能射頻測量系統(tǒng)該怎么正確選用阻抗匹配元件？

如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測量系統(tǒng)？ 高性能射頻測量系統(tǒng)該怎么正確選用阻抗匹配元件？在設(shè)計(jì)PCB裝配式開關(guān)模塊時(shí)需要考慮什么？

2021-04-14 06:46:36

MOSFET寄生電容對LLC串聯(lián)諧振電路ZVS的影響

MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲

2018-11-21 15:52:43

MOSFET寄生電容對LLC串聯(lián)諧振電路ZVS的影響

，需要更長的LLC諧振周期和釋放時(shí)間。因此選擇合適的MOSFET(足夠小的等效寄生電容)，對于ZVS的實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要，尤其是當(dāng)Vds接近于0的時(shí)候，等效輸出電容要足夠小，這樣還可以進(jìn)一步降低死區(qū)時(shí)間并提高

2018-07-13 09:48:50

MOSFET的性能受什么影響

布局和互連線帶來)等寄生效應(yīng)的半橋電路。共源電感(CSI)傾向于降低控制FET(高邊FET)的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。如果與柵極驅(qū)動串聯(lián)，通過CSI的電壓加至柵極驅(qū)動上，可使FET處于導(dǎo)通狀態(tài)(條件：V

2019-05-13 14:11:31

PQFN封裝技術(shù)提高性能

寄生效應(yīng)方面，例如無芯片封裝電阻(DFPR)和封裝電阻，它們會導(dǎo)致功率損耗并在電流額定值和開關(guān)速度方面限制器件的性能?！　》庋b接合線和引線框上不必要的電感使得柵極上會維持一定的電壓，從而阻止柵極驅(qū)動器

2018-09-12 15:14:20

RF電路設(shè)計(jì)中怎么降低寄生信號

的寄生信號也會阻礙產(chǎn)品的發(fā)布。寬帶器件支持軟件定義無線電(SDR)的這一當(dāng)前趨勢將進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)降低寄生信號的重要性。由于可部署統(tǒng)一信號平臺設(shè)計(jì)來滿足多種頻帶需求，因此插入式RF模塊可替代其中較多信號可能會

2019-06-21 06:06:13

TT全新高性能高成本效益低損耗模壓電感器件

　　導(dǎo)讀：近日，TT electronics 宣布推出新一代模壓電感器件--HM72E/A72E.該兩款器件具有高性能和高成本效益，最大限度地減少了氧化。　　　　該兩款器件是專為需要降壓、升壓或

2018-09-26 15:44:31

mos管寄生電容是什么

　　寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會增大。在計(jì)算中我們要考慮

2021-01-11 15:23:51

【轉(zhuǎn)】如何理解元器件的高頻和低頻特性

相同，電感的高頻特性同樣與理想電感的預(yù)期特性不同，如下圖所示：首先，當(dāng)頻率接近諧振點(diǎn)時(shí)，高頻電感的阻抗迅速提高；第二，當(dāng)頻率繼續(xù)提高時(shí)，寄生電容C的影響成為主要的，線圈阻抗逐漸降低。電感阻抗絕對值與頻率

2018-07-17 23:01:07

一文淺析電容器的寄生組成

之一。圖3:波形隨連續(xù)反激或者降壓輸出電流而變化總之，輸出電容器的阻抗有助于提高紋波和瞬態(tài)性能。隨著電源頻率升高，寄生問題的影響更大、更不應(yīng)忽視。在20kHz附近，鋁電解電容器的ESR大到足以主導(dǎo)電容阻抗

2022-04-30 21:37:23

上下管源極寄生電感對開關(guān)性能的影響

器件的柵極、源極，LD為漏極的封裝電感，LS為源極的封裝電感，LG為柵極的封裝電感，RG為內(nèi)部的柵極電阻總和?！　　　D1：功率MOSFET的寄生參數(shù)模型　　電感中流過變化的電流時(shí)，其產(chǎn)生的感應(yīng)電

2020-12-08 15:35:56

從零學(xué)運(yùn)放—09電阻電容電感被動器件

`從零學(xué)運(yùn)放—09電阻電容電感被動器件前面我們講了運(yùn)放的相關(guān)知識，實(shí)際當(dāng)中運(yùn)放變化也就這么都。通常我們把運(yùn)放加上一些外圍器件組成電路，之后再做成PCB制板調(diào)試出來，整個(gè)過程中會碰到很多困難。比如

2017-05-03 09:26:54

使用電感降低噪聲有什么方法？

在理想電感器中，阻抗隨著頻率的提高而呈線性增加，但在實(shí)際的電感器中，如等效電路所示，并聯(lián)存在寄生電容EPC，因而會產(chǎn)生自諧振現(xiàn)象。

2019-08-13 06:24:35

元器件在低頻和高頻特性有什么不同？

2018-07-19 16:49:21

元器件的高頻和低頻特性，你了解嗎？

2018-07-26 11:19:59

關(guān)于電容的寄生電感問題

我上murata官網(wǎng)看了半天電容的datasheet，他就說自己是低寄生電感，具體多低，也沒說清楚。是我自己沒找到還是datasheet里原本就沒？如果沒有的話，寄生電感的數(shù)值只能瞎猜嗎？

2019-12-28 16:39:18

關(guān)于電源中使用寄生電容的總結(jié)

2018-09-10 08:16:02

可滿足高性能數(shù)字接收機(jī)動態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些？

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2021-05-28 06:45:13

合理選擇0603B152K500NT電容器來實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

/200010060034_1235.HTML。減小矩形芯片電感的一個(gè)有效方式就是改進(jìn)芯片縱長方向端頭的設(shè)計(jì)。所選0603B152K500NT電容器的阻抗曲線如圖4所示。注意通過改變縱橫比，寄生電感減小了大約50

2011-06-15 17:01:00

如何提高VMMK器件的性能？

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2021-05-21 06:35:39

如何提高敏感器件的抗干擾性能

元器件的合理布局提高敏感器件的抗干擾性能

2021-02-19 07:05:29

如何利用FPGA開發(fā)高性能網(wǎng)絡(luò)安全處理平臺？

通過FPGA來構(gòu)建一個(gè)低成本、高性能、開放架構(gòu)的數(shù)據(jù)平面引擎可以為網(wǎng)絡(luò)安全設(shè)備提供性能提高的動力。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，性能成為制約網(wǎng)絡(luò)處理的一大瓶頸問題。FPGA作為一種高速可編程器件，為網(wǎng)絡(luò)安全流量處理提供了一條低成本、高性能的解決之道。

2019-08-12 08:13:53

如何去設(shè)計(jì)一款高性能的PHS射頻收發(fā)器芯片？

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2021-06-01 06:50:52

如何在降低TCO的同時(shí)提高數(shù)據(jù)中心性能？

對于各種不同的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載，F(xiàn)PGA 可以顯著提高性能，最大程度減少附加功耗并降低總體擁有成本 (TCO)。

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如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案

如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關(guān)鍵作用是什么

2021-05-06 07:24:55

如何消滅EMC的三大利器：電容器/電感/磁珠

，一個(gè)原因是電容引線電感造成電容諧振，對高頻信號呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對高頻信號的旁路作用；另一個(gè)原因是導(dǎo)線之間的寄生電容使高頻信號發(fā)生耦合，降低了濾波效果。穿心電容之所以能有效地濾除高頻噪聲，是因?yàn)?/div>

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封裝寄生電感對MOSFET性能的影響

I.引言高效率已成為開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)

2018-10-08 15:19:33

怎么利用PCTF封裝技術(shù)降低微波射頻器件成本？

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怎么用高性能的FPGA器件設(shè)計(jì)符合自己需要的DDS電路？

用高性能的FPGA器件設(shè)計(jì)符合自己需要的DDS電路有什么好的解決辦法嗎？

2021-04-08 06:23:09

怎樣去設(shè)計(jì)射頻電路？提高射頻電路性能的措施有哪些？

怎樣去設(shè)計(jì)射頻電路？提高射頻電路性能的措施有哪些？如何對射頻電路性能進(jìn)行測試？

2021-05-12 07:12:22

數(shù)據(jù)傳輸接口保護(hù)選取多少寄生電容的TVS器件？

數(shù)據(jù)的高速傳輸成為必然。而怎樣才能在保護(hù)接口安全的同時(shí)保證數(shù)據(jù)的高速傳輸，已然成為高頻數(shù)據(jù)接口面對的難題。高速數(shù)據(jù)傳輸接口電路保護(hù)的主要困難是，保護(hù)器件的過大寄生電容會造成一定程度的信號衰減，從而降低顯示質(zhì)量

2020-11-11 11:28:01

有什么方法可以降低微波/射頻器件的成本嗎？

2021-05-25 06:49:40

磁芯對電感寄生電容的影響

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2012-08-13 15:11:07

磁芯對電感寄生電容的影響

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2012-08-14 09:49:47

磁芯對電感寄生電容的影響分析

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2009-12-23 16:07:01

請問如何用一種能夠遠(yuǎn)程或者通過一個(gè)大寄生電容降低光電二極管帶寬和噪聲影響的電路？

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2021-04-06 07:39:35

降壓穩(wěn)壓器電路中影響EMI性能和開關(guān)損耗的感性和容性寄生元素

噪聲的傳導(dǎo)回路面積較大，進(jìn)一步推動輻射發(fā)射的產(chǎn)生。在第 3 部分中，我將全面介紹降壓穩(wěn)壓器電路中影響 EMI 性能和開關(guān)損耗的感性和容性寄生元素。通過了解相關(guān)電路寄生效應(yīng)的影響程度，可以采取適當(dāng)?shù)拇胧?/div>

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飛捷教你二極管如何去降低寄生電容？

，由于附加的功能模塊產(chǎn)生的電容太大，似乎也無能為力。通用附件功能接入法，正反向接入法，可降低寄生電容。正向接入和反向接入只能是單方向的，不能解決所有情況，也就是說只能針對特殊的功能模塊。如要雙方向，則正反向接入法結(jié)合就起到作用。飛捷士對二極管頗有研究，針對性能，品質(zhì)方面得到認(rèn)可。

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高速PCB布線降低電感的具體措施

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2020-12-16 16:55:37

高速信號PCB布線中怎么降低寄生電感？

高速信號PCB布線中降低寄生電感的具體措施

2021-03-08 08:49:46

鐵氧體環(huán)形電感器寄生電容的提取

鐵氧體電感器在較高頻率時(shí)可等效為“電阻、電感”的串聯(lián)支路與一寄生電容的并聯(lián)，該電容的存在對電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環(huán)形電感器2D平行平面場和3D

2009-04-08 15:45:17

利用PCB 線圈消除濾波電容器的寄生電感

利用PCB 線圈消除濾波電容器的寄生電感摘要：電源系統(tǒng)中，EMI 濾波器是抑制電磁干擾的重要部件，但是其高頻性能受限于元器件的寄生效應(yīng)。本文針對差模

2009-11-16 11:38:37

利用PCB線圈消除濾波電容器的寄生電感

電源系統(tǒng)中，EMI 濾波器是抑制電磁干擾的重要部件，但是其高頻性能受限于元器件的寄生效應(yīng)。本文針對差模濾波電容，設(shè)計(jì)一種PCB 耦合線圈消除其寄生電感，以此改善電容器濾波

2010-02-18 13:08:03

#硬聲創(chuàng)作季 6.寄生電容電感

元器件電容電感

Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-15 20:40:23

數(shù)字接收機(jī)中高性能ADC和射頻器件的動態(tài)性能要求

數(shù)字接收機(jī)中高性能ADC和射頻器件的動態(tài)性能要求今天的基站系統(tǒng)不得不

2006-05-07 13:41:54

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如何應(yīng)對電路板寄生組件對電路性能的干擾

如何應(yīng)對電路板寄生組件對電路性能的干擾　　電路板布線所產(chǎn)生主要寄生組件分別是電阻、電容以及電感。從電路圖轉(zhuǎn)成實(shí)際電

2009-11-17 13:59:00

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寄生電容,寄生電容是什么意思

寄生電容,寄生電容是什么意思寄生的含義　　寄身的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線構(gòu)之間總是有互容，互

2010-03-23 09:33:55

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淺析射頻VMMK器件怎樣提高性能

VMMK器件晶圓等級和芯片封裝工藝如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見的射頻表貼封裝帶來的寄生電路參數(shù)。通過消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝

2017-11-09 11:05:38

RSM高性能射頻開關(guān)矩陣的應(yīng)用

1. 概述 RSM高性能射頻開關(guān)矩陣是基于高穩(wěn)定性、高可靠性、高性能指標(biāo)的射頻開關(guān)研制而成，工作頻率高達(dá)9GHz，可以廣泛應(yīng)用于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、手機(jī)終端綜測儀的端口擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)多端口器件的自動化測試

2017-11-09 10:56:06

什么是“寄生電容”？寄生電容與三種電容器！

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。

2018-01-31 10:57:56

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測量寄生電容與寄生電感

電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會看到它的極板是用長達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的，其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈

2018-01-31 13:44:55

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射頻VMMK器件通過降低寄生電感和電容提高性能解析

如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見的射頻表貼封裝帶來的寄生電路參數(shù)。通過消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個(gè)低損耗和低阻抗的信號通道。

2018-05-07 14:59:00

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寄生電感怎么產(chǎn)生的_寄生電感產(chǎn)生原因是什么

本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測量儀的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。

2018-03-28 14:50:42

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可提高性能并降低功耗的UltraScale架構(gòu)

與傳統(tǒng)FPGA架構(gòu)相比，UltraScale架構(gòu)引入了許多創(chuàng)新，可提高性能并降低功耗。在本視頻中，我們將重點(diǎn)介紹路由，邏輯和實(shí)現(xiàn)軟件的增強(qiáng)功能......

2018-11-22 06:45:00

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磁芯對電感寄生電容有哪些影響

減小電感寄生電容的方法如果磁芯是導(dǎo)體，首先：用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離

2019-07-18 08:00:00

多層電路板中旁路電容的寄生串聯(lián)電感

您可以估算具有固態(tài)電源和接地層的多層電路板中旁路電容的寄生串聯(lián)電感。由于芯片布局，使用電感 L 1 的近似值（圖1，綠色）陰影區(qū)域）。然后，假設(shè)您已將芯片和旁路電容直接連接到平面，請使用電感的近似值

2019-08-08 10:28:47

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什么是寄生電感_PCB寄生電容和電感計(jì)算

寄生電感一半是在PCB過孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中，過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來簡單地計(jì)算一個(gè)過孔近似的寄生電感。

2019-10-11 10:36:33

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射頻VMMK器件如何通過降低寄生電感和電容提高性能

　如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見的射頻表貼封裝帶來的寄生電路參數(shù)。通過消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個(gè)低損耗和低阻抗的信號通道。在元件之上的空腔具有低介電常數(shù)因此能夠在高頻進(jìn)行工作，此外空腔能夠在器件應(yīng)用中提供機(jī)械保護(hù)。

2020-08-21 18:50:00