自然界的萬(wàn)物都有各自獨(dú)特的特性，我們?nèi)祟?lèi)能做的也只是探索這些物體的特性，并利用它為自己服務(wù)。在我們電子領(lǐng)域，根據(jù)物體的導(dǎo)電特性，通?？梢苑譃椋?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)體，絕緣體，以及處于導(dǎo)體和絕緣體之間的半導(dǎo)體。我們今天
2023-12-06 10:12:34
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`2017年可謂是令人振奮的一年，射頻半導(dǎo)體行業(yè)取得了眾多顛覆性的突破與進(jìn)步，包括但不限于持續(xù)整合MMIC市場(chǎng)，通過(guò)氮化鎵技術(shù)促進(jìn)新型基站架構(gòu)和射頻能量應(yīng)用的發(fā)展，甚至在實(shí)現(xiàn)5G部署方面也初步取得了
2018-02-08 11:01:42
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專(zhuān)程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來(lái)了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導(dǎo)體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用是什么？LED的特性是什么？LED顯示器的參數(shù)是什么？LED顯示器的應(yīng)用指南有哪些？
2021-06-08 06:26:19
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
的防雷器件呢？這就是優(yōu)恩半導(dǎo)體要講的重點(diǎn)了。 首先要掌握各類(lèi)電子保護(hù)器件的工作原理、特性參數(shù)以及選型標(biāo)準(zhǔn)。優(yōu)恩半導(dǎo)體就以半導(dǎo)體放電管的選型為例，介紹一下怎么選型？ 半導(dǎo)體放電管特性參數(shù)： ①斷態(tài)電壓VRM
2017-03-20 14:45:41
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針?lè)ň哂性O(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶(hù)可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
GBT 14264-2009 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
2014-03-06 14:36:00
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
Keithley半導(dǎo)體特性分析研討會(huì)講義Application?Semiconductor device parametric test and process monitor
2009-12-08 14:46:12
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
基本應(yīng)用第1章 半導(dǎo)體材料和二極管本章內(nèi)容1.1 半導(dǎo)體材料及其特性1.2 PN結(jié)1.3 二極管電路： 直流分析及模型1.4 二極管電路： 交流等效電路1.5 其他類(lèi)型的二極管1.6 設(shè)計(jì)舉例： 二極管
2018-02-08 18:13:14
0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件現(xiàn)貨熱賣(mài)，汕頭市羅克自動(dòng)化科技有限公司歡迎您前來(lái)咨詢(xún)！聯(lián)系人郭經(jīng)理：*** 0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件 汕頭羅克自動(dòng)化科技有限公司是專(zhuān)業(yè)
2020-03-26 15:40:25
半導(dǎo)體顧名思義是電導(dǎo)率介于絕緣體與導(dǎo)體之間的物質(zhì)，半導(dǎo)體氣體傳感器的敏感材料就這么一種物質(zhì)。在沒(méi)有外界干擾時(shí)(真空中)，半導(dǎo)體材料內(nèi)部有很多電子可以導(dǎo)電，很奇妙，在半導(dǎo)體在接觸空氣后會(huì)吸附氧，氧會(huì)
2015-12-01 14:26:44
我廠專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_(kāi)始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過(guò)]
2008-05-24 10:29:38
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
`我司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
的市場(chǎng)占有率。未來(lái)隨著化合物半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步提升，在邏輯應(yīng)用方面取代傳統(tǒng)硅材料，從而等效延續(xù)摩爾定律成為了化合物半導(dǎo)體更為長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展趨勢(shì)?！ ∽鳛榛衔?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，射頻器件市場(chǎng)經(jīng)歷了
2019-06-13 04:20:24
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見(jiàn)
2016-10-07 22:07:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
第二代半導(dǎo)體材料的代表，GaAs和傳統(tǒng)Si相比，有直接帶隙、光電特性優(yōu)越的特點(diǎn)，是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)CPU芯片的理想材料，上世紀(jì)末一些公司曾有深入的研究并取得
2017-02-22 14:59:09
`半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
概述了國(guó)內(nèi)外納米磁性材料及器件研究與開(kāi)發(fā)的進(jìn)展。具體介紹納米磁性粒子、鐵基納米晶軟磁合金、稀土永磁快淬磁粉、人工格、納米磁性絲、射頻用復(fù)合軟磁材料的制備工藝、
2009-06-25 10:22:46
12 半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?
1、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理
2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的
2010-10-29 17:09:1233 光敏半導(dǎo)體材料的光電轉(zhuǎn)換特性
在無(wú)光照射時(shí)電阻值極高（＞1012Ω），當(dāng)受光照射時(shí)便發(fā)出光電子，并變成參加
2009-08-02 08:03:451702 
半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實(shí)際上這里說(shuō)的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個(gè)詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)和要求有哪些?
半導(dǎo)體材料-特性參數(shù)
LED燈泡半
2010-03-04 10:39:593352 半導(dǎo)體材料的特性
半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類(lèi)功能材料?？侩娮雍涂昭▋煞N載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之
2010-03-04 10:50:381151 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類(lèi)型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長(zhǎng)技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡(jiǎn)要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)
2011-11-01 17:23:2081 半導(dǎo)體材料 是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電阻率在10（U-3）~10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的
2011-11-01 17:35:1691 半導(dǎo)體封裝的制造流程以及設(shè)備，材料知識(shí)介紹。
2016-05-26 11:46:340 本文介紹了半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)、伏安特性和參數(shù)等相關(guān)知識(shí)的介紹。
2017-11-23 11:49:3017 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:521538 “2018中國(guó)半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)”在京召開(kāi)。本次大會(huì)由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦、邳州市政府協(xié)辦，旨在通過(guò)梳理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向、推介半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新理念，共同促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境的構(gòu)建，推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。
2018-02-06 03:56:521434 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660 半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用：半導(dǎo)體的第一個(gè)應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器，就是點(diǎn)接觸二極管（也俗稱(chēng)貓胡子檢波器，即將一個(gè)金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測(cè)電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導(dǎo)體還用來(lái)做整流器、光伏電池、紅外探測(cè)器等，半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)都用到了。
2018-03-08 10:16:1957821 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先闡述了半導(dǎo)體導(dǎo)電特性，其次介紹了本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性，最后介紹了雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
2018-09-25 17:50:2328445 本文首先介紹了半導(dǎo)體的四大基本物理特性，其次介紹了半導(dǎo)體的三大重要特性。
2018-09-27 11:05:2233107 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性詳細(xì)資料免費(fèi)下載
2018-11-08 11:05:3077 文章簡(jiǎn)要回顧了半導(dǎo)體的研究歷史，介紹了半導(dǎo)體材料與相關(guān)應(yīng)用，闡述了半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件的工作原理，并展示了半導(dǎo)體自旋電子學(xué)及低維窄禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀與發(fā)展前景。
2018-11-29 17:04:1711894 半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能，用來(lái)制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過(guò)電子和空穴這兩種載流子來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性
2019-03-29 15:06:1113753 半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一是它們的導(dǎo)電性和導(dǎo)電類(lèi)型（N型或P型）能夠通過(guò)在材料中摻入專(zhuān)門(mén)的雜質(zhì)而被產(chǎn)生和控制。
2019-03-29 15:16:575503 幫助工程師理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實(shí)際應(yīng)用，消除測(cè)試痛點(diǎn)
2020-04-28 15:59:17875 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的 半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2020-09-10 10:46:004 9月4日，第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在北京召開(kāi)，作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會(huì)員單位，湖南天玥科技有限公司（長(zhǎng)沙新一代半導(dǎo)體研究院）參加會(huì)議。 公司副總裁袁堅(jiān)出席會(huì)議。 本次會(huì)議
2020-09-26 10:55:022339 可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情
2022-11-29 17:37:53874 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速
2020-10-30 02:09:47560 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2020-12-30 04:49:0036 半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。
2022-03-02 13:57:07893 常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:084538 氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599 近日，深圳國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì)在深圳會(huì)展中心舉行，展示以芯片設(shè)計(jì)及制造、集成電路、封測(cè)、材料及設(shè)備、5G新應(yīng)用、新型顯示為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。有眾多光刻機(jī)、晶圓制造、半導(dǎo)體制造、顯示面板制造等設(shè)備廠
2023-05-19 10:11:38490 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:471207 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪三種? 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有特殊的導(dǎo)電特性。在半導(dǎo)體中，電子在晶體中的運(yùn)動(dòng)方式和原子結(jié)構(gòu)的特性都對(duì)其導(dǎo)電特性產(chǎn)生影響。在本文中，我們將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電
2023-08-27 15:48:592994 半導(dǎo)體具有哪些導(dǎo)電特性 半導(dǎo)體是一種電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。它具有一些獨(dú)特的導(dǎo)電特性。在本文中，我們將從以下方面介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、載流子和摻雜、PN結(jié)和二極管的導(dǎo)電
2023-08-27 15:55:201122 半導(dǎo)體導(dǎo)電的基本特性是什么 半導(dǎo)體是一種電阻介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有一定的導(dǎo)電性能。它們通常由純度高達(dá)99.9999%的單一元素或復(fù)合元素（例如硅或鍺）制成，并且可以通過(guò)控制其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的缺陷
2023-08-27 15:55:231402 半導(dǎo)體具有哪三種特性 半導(dǎo)體是一種特殊的材料，具有以下三種特性： 1. 靜電導(dǎo)體特性 半導(dǎo)體的靜電導(dǎo)體特性是指，當(dāng)足夠的電壓施加在半導(dǎo)體材料上時(shí)，該材料會(huì)導(dǎo)電，并且導(dǎo)電性會(huì)隨電壓的增加而增加
2023-08-27 16:00:295077 半導(dǎo)體電導(dǎo)率有哪些特性 半導(dǎo)體電導(dǎo)率是半導(dǎo)體材料的一項(xiàng)重要電性質(zhì)，它是指在外加電場(chǎng)的作用下，半導(dǎo)體材料中載流子（電子或空穴）的移動(dòng)速度和密度所產(chǎn)生的電導(dǎo)效應(yīng)。電導(dǎo)率是電導(dǎo)系數(shù)（導(dǎo)電系數(shù)）和電場(chǎng)
2023-08-27 16:00:371135 半導(dǎo)體的特性有哪些？半導(dǎo)體的特性不包括哪些？ 半導(dǎo)體是一種在電學(xué)和物理學(xué)上介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。它的導(dǎo)電性能受到多種因素的影響，包括施加的電場(chǎng)、溫度和材料內(nèi)部的雜質(zhì)等因素。半導(dǎo)體具有多種獨(dú)特
2023-08-29 16:28:581810 半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等。
2023-09-11 17:33:001013 半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來(lái)的半導(dǎo)體材料的特性這一期中，我們將對(duì)這些性質(zhì)進(jìn)行深入的探討，并將它們與原子的基礎(chǔ)、固體的電分類(lèi)以及什么是本征和摻雜半導(dǎo)體等一系列關(guān)鍵性的問(wèn)題共同做一個(gè)介紹。
2023-11-03 10:24:30427 
半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02273 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來(lái)越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無(wú)用的，因?yàn)樗鼪](méi)有自由移動(dòng)的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。
2023-11-13 09:38:21278 
鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個(gè)晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時(shí)代的最初的一個(gè)標(biāo)志。
2023-11-20 10:10:51311 
盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:10247 
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類(lèi)繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:17517 
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