V波段近距探測毫米波功率放大器設(shè)計

?

　　功率放大器是毫米波頻段發(fā)射機不可缺少的關(guān)鍵部件，輸出功率的大小決定了整個系統(tǒng)的作用距離和抗干擾能力。在毫米波系統(tǒng)中，隨著頻率的升高，單個MMIC芯片的輸出功率已經(jīng)不能滿足實際的使用要求，尤其是非大氣窗口頻段，由于該頻段電磁波的傳輸受氧分子和水蒸氣分子吸收而衰減嚴(yán)重。一般應(yīng)用于軍用保密工作及近距雷達(dá)探測、通訊系統(tǒng)中，相應(yīng)的器件輸出功率也較小，因此，多采用功率合成的方法，將多個放大器單元組合在一起實現(xiàn)較大的功率輸出。

　　放大器工作在V波段，用于一種彈上近距探測系統(tǒng)，充分利用非大氣窗口波段的衰減特性實現(xiàn)保密和抗干擾。

　　1 功率放大器的設(shè)計

　　1.1 技術(shù)指標(biāo)要求

　　按照系統(tǒng)的基本要求，放大器主要技術(shù)指標(biāo)：工作帶寬2 GHz;輸出功率≥200 mW;增益20～25 dBm;輸入輸出口WR15。

　　1.2 功率器件的選取

　　為滿足技術(shù)指標(biāo)的要求，選用工作頻帶較寬的三端FET功率放大器件。選取Eudyna Devices公司的FMM5715X作為功率合成單元，F(xiàn)MM5715X是端口阻抗內(nèi)匹配為50 Ω的多管合成功率單片。工作頻率為57～64 GHz;工作溫度范圍：-45～+85℃，存儲溫度范圍-55～+125℃;最大允許輸入功率3 dBm;可單電源工作，在直流偏置3 V/150 mA條件下，60 GHz頻率處典型性能P1 dB為16 dBm，飽和功率17 dBm，小信號增益17 dB。特性參數(shù)如圖1所示。

?

　　1.3 合成網(wǎng)絡(luò)設(shè)計

　　1.3.1 合成網(wǎng)絡(luò)總體方案

　　在V波段，單管輸出功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到功率輸出需求，即使是采用多管合成的MMIC功率器件，單器件也滿足不了技術(shù)指標(biāo)。于是，采用多器件的功率合成技術(shù)是完成本項目的必然選擇，目前比較成熟的功率合成技術(shù)是采用端口駐波較好的兩路電橋，由多級級聯(lián)實現(xiàn)多路合成。設(shè)計的放大器即采用基于波導(dǎo)低損耗傳輸線結(jié)構(gòu)的兩路二進(jìn)制多級功率合成技術(shù)，該合成網(wǎng)絡(luò)由兩部分組成，功率驅(qū)動級和功率放大合成級，每部分包括3級二進(jìn)制網(wǎng)絡(luò)，由波導(dǎo)分支線電橋和波導(dǎo)-微帶過渡組成。合成網(wǎng)絡(luò)框圖如圖2所示。

?

　　8路功率分配時，每一級網(wǎng)絡(luò)損耗計為0.3 dB，路徑損耗計為0.5 dB;若要使得所有合成時功率器件飽和工作，F(xiàn)MM5715X輸入功率應(yīng)>2 dBm，計入以上損耗后，折算到功率分配網(wǎng)絡(luò)輸入端的功率為12.4 dBm，顯然，驅(qū)動級由單路FMM5715X足以滿足這—要求。

　　當(dāng)合成網(wǎng)絡(luò)中所有功率器件均處于飽和工作狀態(tài)時，對單級損耗為0.3 dB，3級功率合成，由損耗引起的合成效率為80%;若計合成支路間最大幅度和相位不平衡程度分別為3 dB、30°，引起相應(yīng)合成效率為90%;對8路功率合成，總的合成效率為

?

?

　　當(dāng)器件飽和工作時，8路合成輸出為17+7.07=24.07 dBm或255 mW，滿足技術(shù)指標(biāo)要求。電路各部分損耗為4 8 dB，整個合成放大器小信號增益約為29.2 dB。