本文為大家介紹一種汽車麥克風(fēng)設(shè)計,不僅降低噪音等級,還可以提供極有效的故障診斷。如果出現(xiàn)重要故障狀況,還能提供保護。
2014-11-13 11:32:452128 電路顯示150kHz非隔離電源,用于使用現(xiàn)成組件將36V72V輸入轉(zhuǎn)換為5V輸出。與傳統(tǒng)的單晶體管正激轉(zhuǎn)換器相比,所示的雙晶體管設(shè)計采用了較低電壓的MOSFET,并提供了變壓器互損和漏電能量的無損恢復(fù)。
2019-04-25 09:12:11
或者三極管)工作在線性區(qū)。這就是LDO全名稱的由來。
LDO的結(jié)構(gòu)原理:
下面就解釋下上圖的原理:所有的LDO內(nèi)部電路都是由以下4大部分組成,分壓電路、基準電壓、誤差放大電路和晶體管開關(guān)電路
2023-05-15 15:23:19
晶體管并聯(lián)時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象,有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊,請各位大俠指點?。?!
2016-06-07 23:27:44
周圍溫度在25oC以上時,或者因晶體管自身發(fā)熱元件溫度上升時,需要降低SOA的溫度。SOA的溫度降低方法雙極晶體管篇??MOSFET篇※降低的溫度基本是元件的溫度。關(guān)于元件溫度的詳細計算方法,請參照
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設(shè)計(下)》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一,共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗,內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
紹了各種電路印制電路板的實際制作,以及電路特性的測量,并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
晶體管電路設(shè)計叢書上冊晶體管電路設(shè)計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一,共分上下二冊。本書作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中,分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信號型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)(C、B極
2013-08-17 14:24:32
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
; 晶體管,本名是半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個PN結(jié),外部通常為三個引出電極的半導(dǎo)體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用,應(yīng)用十分廣泛。輸入級和輸出
2010-08-12 13:57:39
使用FIFO時,與手動讀取相比噪聲較小。問題的原因是什么以及如何降低噪音?當我從FIFO讀取它們時,為什么它們給我的噪音更小?謝謝你, Sharmila以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hi, I am
2019-02-28 07:45:14
MRF151G射頻晶體管產(chǎn)品介紹MRF151G報價MRF151G代理MRF151G咨詢熱線MRF151G現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MRF151G是設(shè)計用于寬帶
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號輸出級。產(chǎn)品型號:MRF154產(chǎn)品名稱:射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特,30兆赫的特性-輸出功率=600瓦,功率增益=17分貝(Typ),效率
2018-08-07 17:17:34
:MRF422產(chǎn)品名稱:硅雙極晶體管MRF422產(chǎn)品特性指定的28伏,30 MHz的特點:輸出功率= 150瓦(PEP),效率= 40%,小增益= 10分貝。互調(diào)失真@ 150瓦特(PEP)- IMD
2018-10-09 12:10:05
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
的13.5分貝增益55%在3.5 GHz的漏極效率100%射頻測試螺栓法蘭標準件符合RoHS標準和260°C回流兼容?NPT2020產(chǎn)品詳情:NPT2020是一個寬帶晶體管優(yōu)化DC - 3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
產(chǎn)品名稱:低噪音放大器QPA2626產(chǎn)品特性頻率范圍:17 - 22 GHz噪聲系數(shù):1.3分貝(典型值)小信號增益:25分貝(典型)功率:20 dBm(典型)IM3:- 55 dBc(典型)(功率
2018-06-28 09:20:27
產(chǎn)品名稱:氮化鎵晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍:30 - 1200 MHz輸出功率(p3db):40 W在1 GHz線性增益:20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
`產(chǎn)品型號: QPD1018產(chǎn)品名稱:晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率:2.7至3.1 GHz輸出功率(p3db)575瓦線性步態(tài)117.7分貝典型PAE3DB1:67.9%工作電壓:50 V低熱阻
2019-04-15 14:57:51
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
產(chǎn)品名稱:射頻功率晶體管QPD1020產(chǎn)品特性頻率范圍:2.7 - 3.5 GHz輸出功率(p3db):31 W在3.1 GHz線性增益:18.4分貝典型的3.1 GHz典型的pae3db:64%在3.1
2018-07-27 11:20:12
的0.25um GaN-on-SiC生產(chǎn)工藝制造。這是強大的5W的共源共柵LNA的輸入功率從0.03到3 GHz 17db典型增益和1.2分貝噪聲系數(shù)。理想的寬帶通信應(yīng)用在國防和商業(yè)市場。16引腳3x3的包
2018-07-27 11:26:50
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TGA2618-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:16 - 18 GHzNF:2.3分貝小信號增益:28分貝回波損耗:> 10分貝Output P1dB: 6 dBmPSAT = 10
2018-07-04 09:48:21
TGF2022-12 KU波段晶體管產(chǎn)品介紹TGF2022-12報價TGF2022-12代理TGF2022-12咨詢熱線TGF2022-12現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-07-18 11:51:59
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報價TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
SOT-89封裝使用鎳鈀金鍍層消除錫晶須的可能性。產(chǎn)品型號: TQP3M9008產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9008產(chǎn)品特性50到4000 MHz20.6分貝增益@ 1.9 GHz1.3分貝
2018-11-14 15:10:10
SOT-89封裝使用鎳鈀金鍍層消除錫晶須的可能性。產(chǎn)品型號: TQP3M9008產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9008產(chǎn)品特性50到4000 MHz20.6分貝增益@ 1.9 GHz1.3分貝
2018-11-14 15:11:32
SOT-89封裝使用鎳鈀金鍍層消除錫晶須的可能性。產(chǎn)品型號: TQP3M9008產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9008產(chǎn)品特性50到4000 MHz20.6分貝增益@ 1.9 GHz1.3分貝
2018-11-14 15:17:10
流和電壓。該裝置是裝在一個綠色的/符合RoHS標準QFN封裝。產(chǎn)品型號: TQP3M9041產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9041產(chǎn)品特性2.3 - 6 GHz工作帶寬超低噪聲,0.33分貝
2018-07-04 11:31:28
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計的結(jié)果進行模擬?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實際制作,以及電路特性的測量,并對電路的工作機制進行了驗證?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內(nèi)容簡介:《晶體管電路設(shè)計》(上)是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一,共分上下二冊?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
本電路是只用一只晶體管的簡易溫度遙測儀,他將溫度轉(zhuǎn)換為每秒鐘“咔嗒”聲的次數(shù),用AM短波收音機接收。實現(xiàn)溫度遙測。
2021-05-06 06:19:30
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝,也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi),容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術(shù))嚴格來說,晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件,包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
v-1 s-1,是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前,薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動。當務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?! √娲鷮?dǎo)電氧化物
2020-11-27 16:30:52
功率設(shè)計通常與集成電路 (IC) 邏輯一起使用,以驅(qū)動螺線管、發(fā)光二極管 (LED) 顯示器和其他小負載。 與使用標準單晶體管相比,達林頓晶體管設(shè)計具有多個優(yōu)勢。該對中每個晶體管的增益相乘,從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
,出于實際原因,保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要。 如前所述,實現(xiàn)更多計算能力的一種方法是縮小晶體管的尺寸。但隨著晶體管尺寸的減小,漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區(qū)域電流的能力。正因為如此,平面
2023-02-24 15:25:29
創(chuàng)作時間:2020-11-17目錄:1.使用MOS管作為開關(guān)控制的應(yīng)用2.單晶體管負載開關(guān)3.MOS管說明,什么是PMOS,什么是NMOS?4.實例,采用PMOS進行開關(guān)控制,且如何看懂
2021-10-29 08:39:45
`簡介:《晶體管電路設(shè)計》(上)是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一,共分上下二冊?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路,小型
2017-06-22 18:05:03
請教:單結(jié)晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測晶體管的性能?怎樣去檢測特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
的360 o內(nèi)可用。那么我們?nèi)绾卧O(shè)置晶體管的Q點偏置呢?–使用通常稱為基極偏置的過程可實現(xiàn)晶體管的正確偏置。但是在開始研究可能的不同晶體管偏置方式之前,首先讓我們想起一個基本的單晶體管電路及其電壓和電流
2020-11-12 09:18:21
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
。SOA的溫度降低方法雙極晶體管篇??MOSFET篇※降低的溫度基本是元件的溫度。關(guān)于元件溫度的詳細計算方法,請參照 "元件溫度的計算方法" 。附屬 SOA(安全工作區(qū)域)的溫度降低
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
判斷為不合格。正確觀點A:首先為了啟動數(shù)字晶體管,加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B:漸漸降低電壓,到規(guī)格書規(guī)定的3V時停止。因仍保持ON狀態(tài),故該產(chǎn)品為合格。C:如果繼續(xù)降低基極電壓,不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
:首先為了啟動數(shù)字晶體管,加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B:漸漸降低電壓,到規(guī)格書規(guī)定的3V時停止。因仍保持ON狀態(tài),故該產(chǎn)品為合格。C:如果繼續(xù)降低基極電壓,不能完全保持ON狀態(tài),而向OFF狀態(tài)
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個)、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
AD低噪音運放在增加外圍電阻后是否會增加整個放大電路的噪音?
2023-11-21 08:13:12
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
噪音降低0~20分貝。同一管徑壁越厚,同一壁厚管徑越大,降低噪音效果越好。如DN200管道,其壁厚分別為6.25、6.75、8、10、12.5、15、18、20、21.5mm時,可降低噪音
2020-12-10 16:15:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
LDO就是一個運算放大器加一個晶體管。運算放大器使用兩個參考點 — 一個是內(nèi)部帶隙基準,另一個是輸出端的電阻分壓電路。在穩(wěn)壓過程中,電阻分壓網(wǎng)絡(luò)的電壓值向運算放大器提供與帶隙基準相比較的反饋。比較
2022-01-20 07:46:56
簡單晶體管收音機原理圖
2008-07-04 14:57:167270
單晶體管、80W、50甚高頻放大器電路圖
2009-04-08 09:22:091642
單晶體管鋸齒波發(fā)生器電路圖
2009-07-01 11:40:28842
低噪音放大電路圖
2009-08-06 14:25:241601 單晶體管實驗操作振蕩器
采用以值2N366
2009-09-12 11:33:13724 高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么
具有高速電子移動率、低噪音特性、高fr(斷開頻率)等優(yōu)良的特性。以使用化合物半導(dǎo)本
2010-03-01 11:12:073576 如何制作單晶體管FM接收機(英文)Build A One Transistor FM Radio
Schematic diagram for the Original One Transistor FM Radio
2010-03-09 15:43:491891 低噪音放大器,低噪音放大器是什么意思
低噪音放大器 低噪音放大器是一類特殊的電子放大器,主要用于通訊系統(tǒng)中將接收自天線
2010-03-10 16:56:19876 圖1中的簡單晶體管測試儀可以判斷出晶體管的類型,并且能幫助檢測出晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。其方法是檢查被測晶體管三個端子T1、T2和T3之間流過的各種可能電流方向的
2012-03-28 18:02:541769 這一系列數(shù)字晶體管的目的是取代一個單一的設(shè)備和它的外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個單一的偏置電阻網(wǎng)絡(luò)組成的兩個單晶體管;電阻和串聯(lián)基地基地發(fā)射極電阻。BRT消除這些單獨的組件,將它們集成到一個單一的設(shè)備。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
2017-04-05 15:17:3414 單晶體是指樣品中所含分子(原子或離子)在三維空間中呈規(guī)則、周期排列的一種固體狀態(tài)。而整個物體是由許多雜亂無章的排列著的小晶體組成的,這樣的物體叫多晶體。
2017-12-08 17:21:04115824 斯坦福研究人員開發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲器”(1T1R)單元。這種1T1R存儲單元相對于含有阻變存儲器但沒有晶體管的存儲單元,能夠提供極大好處。
2018-01-23 17:23:596482 單晶體管FM接收機(英文),One Transistor FM Receiver by MPF102
關(guān)鍵字:單晶體管FM接收機
One
2018-09-20 19:14:191342 LT3062:45V VIN,微功耗,低噪音,200 mA LDO數(shù)據(jù)表
2021-05-13 15:08:240 低噪音電纜、F46絕緣低噪音電纜、耐輻照低噪音電纜、低電容低噪音電纜、水聽器電纜、水密低噪音電纜等多種型號規(guī)格的電纜。 電纜中產(chǎn)生噪音的原因有: 1)介質(zhì)本身內(nèi)部分子摩擦; 2)電纜電容的改變; 3)電纜介質(zhì)的壓電效應(yīng); 4)電纜
2022-03-29 11:42:202175 單晶體管正激轉(zhuǎn)換器
2022-11-14 21:08:001 PNP 達林頓晶體管-BCV46
2023-02-07 19:26:110 帶有外部晶體管驅(qū)動器的簡單RC濾波器可抑制LDO噪聲。噪聲密度與頻率的關(guān)系圖顯示,濾波器抑制LDO噪聲超過46dB,并實現(xiàn)了7nV/√Hz的本底噪聲。
2023-02-09 15:47:54615 PNP 達林頓晶體管-BCV46-Q
2023-02-09 21:22:550 頻譜分析儀在測量過程中常常會受到噪音的干擾,這會影響到測量結(jié)果的準確性和可靠性。為了降低噪音的影響,可以采取以下措施:
2023-08-23 15:52:07452
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