近幾年，V2X技術(shù)的發(fā)展不能說(shuō)是不快，至少現(xiàn)在已經(jīng)能夠在路面上看到量產(chǎn)的V2X技術(shù)了。本文主要介紹了V2X中，DSRC和C-V2X兩種技術(shù)的進(jìn)化史。
2018-02-24 18:45:55
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之后下降了1%。借助視頻交換系統(tǒng)、圖片交換系統(tǒng)以及放大/縮小的功能設(shè)置，6寸PEDOT觸控面板與AMOLED顯示模組的技術(shù)整合得到了成功展示。 諸如ITO（氧化銦錫）等透明摻雜金屬氧化物一直是液晶顯示
2016-01-14 17:45:17
“十四五”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃。國(guó)內(nèi)氧化鎵材料研究單位主要包括中電科46所、深圳進(jìn)化半導(dǎo)體、上海光機(jī)所、鎵族科技、銘鎵半導(dǎo)體、富加鎵業(yè)等。此外，數(shù)十家高校院所積極展開(kāi)氧化鎵項(xiàng)目的研發(fā)工作，積累了豐富的技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車(chē)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器
2021-09-15 09:04:34
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
家電企業(yè)作為儲(chǔ)備技術(shù)。真正最多應(yīng)用于家電的電機(jī)控制IC產(chǎn)品是MCU。來(lái)自家電行業(yè)的信息顯示，意法半導(dǎo)體（ST）、NEC、瑞薩半導(dǎo)體是家電電機(jī)控制的主要MCU產(chǎn)品提供商。
2019-06-21 07:45:46
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
電阻和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個(gè)阻值隨外部待測(cè)氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
的發(fā)展。為使液晶能在顯示器中的應(yīng)用，透明電極的圖形化以及液晶與半導(dǎo)體電路一體化的微細(xì)加工技術(shù)必不可缺。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)步，這些技術(shù)已趨向成熟。20世紀(jì)40年代，開(kāi)發(fā)出矽半導(dǎo)體，利用傳導(dǎo)電子的 n 型
2018-11-29 16:22:36
Semiconductor, 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝。目前90%以上的集成電路IC生產(chǎn)技術(shù)都是屬于CMOS生產(chǎn)工藝。用CMOS工藝生產(chǎn)的MOS管一般耐壓都不高，功率也不大，但CMOS管導(dǎo)通內(nèi)阻可以
2012-05-21 17:38:20
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件
2019-10-15 07:25:21
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
(MGS)?？倻p少量由以下等式控制硅在高溫下暴露于氧化劑時(shí)，很容易在所有暴露表面形成氧化物薄層。硅的天然氧化物以二氧化硅 (SiO) 的形式存在。在 CMOS 制造方面，SiO2 可以作為器件結(jié)構(gòu)（例如柵極
2021-07-06 09:32:40
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來(lái)，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
使用這些納米線(xiàn)陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對(duì)具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線(xiàn)太陽(yáng)能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類(lèi)：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
步聚就可以變?yōu)殡娦盘?hào);其二傳感載體穩(wěn)定;其三為廉價(jià)。這樣的特點(diǎn)不僅為其進(jìn)化提供了清楚的路徑和空間，也為未來(lái)的大規(guī)模布設(shè)提供了經(jīng)濟(jì)上的可行性。半導(dǎo)體傳感器最清晰的進(jìn)化路徑有兩條，一是常溫敏感材料，二是
2015-12-01 14:26:44
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
金屬氧化物H+選擇性電極作為玻璃電極的替代材料已引起了廣泛的關(guān)注，文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的金屬氧化物pH電化學(xué)傳感器大部分是基于貴金屬氧化物電極，制備成本較貴，但W及其氧化物價(jià)格相對(duì)比校低。
2019-09-16 10:05:21
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
電鈴BNC高頻線(xiàn)接插器BUFFER緩沖器BUZZER蜂鳴器MOSFET-N1 N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-N2 雙柵型N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-N3 增強(qiáng)型N溝道金屬
2012-05-22 13:15:02
摘要本文章主要講述了顯示設(shè)備的發(fā)展史，從最初的膠片，CRT顯示器，液晶顯示，到LED顯示器。然后介紹了各種顯示器的工作原理，最后使用CC2530單片機(jī)驅(qū)動(dòng)OLED顯示器顯示漢字及英文。項(xiàng)目源代碼
2021-12-01 07:34:56
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或
2021-04-23 07:04:52
單芯片互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應(yīng)用以及特點(diǎn)？
2021-06-17 08:54:54
類(lèi)型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類(lèi)型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來(lái)軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
基于MEMS的TI TI DLP? Pico? 投影顯示技術(shù)的核心是一組高反射性鋁制微鏡，被稱(chēng)為數(shù)字微鏡器件 (DMD)。一個(gè)DMD可以包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)單獨(dú)控制的微鏡，每個(gè)微鏡位于相關(guān)的補(bǔ)償金屬氧化物
2022-11-18 06:41:21
際此萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的來(lái)臨，圖像傳感可說(shuō)是促進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個(gè)重要接口，是萬(wàn)物之“眼”。安森美半導(dǎo)體寬廣的成像和像素技術(shù)和圖像傳感器陣容，配以公司在成像領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)超越人眼界限的創(chuàng)新
2019-07-25 06:36:49
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
是它的一大缺點(diǎn)。 透射式液晶適用范圍 OLED現(xiàn)在的OLED面板主要分為L(zhǎng)TPS OLED和氧化物OLED，主要應(yīng)用于室內(nèi)環(huán)境。 由于LTPS一般很難在大尺寸上很好地滿(mǎn)足工藝一致性上的要求，現(xiàn)在很難突破
2019-09-23 08:00:00
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半導(dǎo)體安裝技術(shù)，是倒裝芯片安裝技術(shù)的芯片嗎？謝謝問(wèn)候，缺口
2020-06-15 16:30:12
技術(shù)，它們發(fā)光而不是擴(kuò)散或反射次級(jí)光源。是有機(jī)發(fā)光二極管的首字母縮寫(xiě)。OLED 是一種自發(fā)光技術(shù)，由夾在兩個(gè)電極之間的多個(gè)半導(dǎo)體有機(jī)層組成，其中至少一個(gè)是透明的。透明電極由導(dǎo)電透明氧化銦錫(ITO)涂層
2022-04-04 10:31:10
的發(fā)展，將出現(xiàn)若干新的半導(dǎo)體技術(shù)，在芯片之上或者在芯片之外不斷擴(kuò)展新的功能。圖1就顯示了手機(jī)芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。
2019-07-24 08:21:23
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件
2019-10-10 07:33:06
對(duì)于模擬CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過(guò)壓（信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓）。了解這兩大危害，用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。
2021-03-09 08:34:53
的發(fā)展。為使液晶能在顯示器中的應(yīng)用，透明電極的圖形化以及液晶與半導(dǎo)體電路一體化的微細(xì)加工技術(shù)必不可缺。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)步，這些技術(shù)已趨向成熟。20世紀(jì)40年代，開(kāi)發(fā)出矽半導(dǎo)體，利用傳導(dǎo)電子的 n 型
2018-11-01 16:21:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來(lái)，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見(jiàn)
2016-10-07 22:07:14
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
一、展會(huì)概況展會(huì)名稱(chēng)：第四屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體及顯示技術(shù)展 展會(huì)時(shí)間：2021 年 12 月 8 日-10 日 展會(huì)地點(diǎn)：深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館） 主辦單位：深圳市中新材會(huì)展有限公司、中國(guó)通
2021-11-17 14:05:09
半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測(cè)器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類(lèi)氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類(lèi)氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報(bào)道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成
2016-11-27 22:34:51
我用的金屬氧化物半導(dǎo)體型氣體傳感器。在進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換之前，對(duì)其信號(hào)調(diào)理時(shí)，需要考慮哪些干擾？怎么設(shè)計(jì)濾波器？用的ADC芯片是AD7991 消息編輯者為：航 張
2018-11-07 09:24:33
半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類(lèi)可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)
2019-06-27 06:18:41
電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專(zhuān)用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開(kāi)和關(guān)的策略。
2020-10-29 09:08:19
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
金屬氧化物變阻器應(yīng)用于能量吸收電路的研究摘要：對(duì)金屬氧化物變阻器（MOV）的物理特性進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上提出了將MOV 吸收能量的過(guò)程分為三個(gè)階段即：換流部分、線(xiàn)性吸收部分、電流漸近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
美國(guó)斯坦福大學(xué)研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，加熱鐵銹之類(lèi)金屬氧化物，可以提升特定太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率和能量?jī)?chǔ)存效率。這一發(fā)現(xiàn)由《能源和環(huán)境科學(xué)》雜志刊載。與現(xiàn)有硅太陽(yáng)能電池不同，這類(lèi)太陽(yáng)能電池是以金屬
2016-03-07 15:18:52
及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工模擬試題考前練習(xí)。1、【判斷題】 電傷是指觸電時(shí)電流的熱效應(yīng)、化學(xué)效應(yīng)以及電刺擊引起的生物效應(yīng)對(duì)人體外表造成的傷害。（√）2、【判斷題】 金屬氧化物避雷器的特點(diǎn)包括動(dòng)作迅速、無(wú)續(xù)流、殘壓低、通流量大等。（√）3、【判斷題】 在變壓器閉合的鐵芯上...
2021-09-16 07:45:10
最新大綱及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工證考試考前練習(xí)。1、【判斷題】 金屬氧化物避雷器的特點(diǎn)包括動(dòng)作迅速、無(wú)續(xù)流、殘壓低、通流量大等。（√）2、【判斷題】 絕緣子是用來(lái)固定導(dǎo)線(xiàn),并使導(dǎo)線(xiàn)與桿塔之間保持絕緣狀態(tài)。（√）3、【判斷題】 電氣設(shè)備冷備用狀態(tài)指設(shè)備的開(kāi)關(guān)和刀閘均在打...
2021-09-16 06:24:36
半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）
2022-01-17 14:16:58
大多數(shù)實(shí)用氣敏傳感器是金屬氧化物半導(dǎo)體或金屬氧化物固體電解質(zhì)材料制作的．所以，把它們分為氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器兩類(lèi)．前者利用待測(cè)
2009-04-06 09:09:27
30 以二氧化錫可燃性氣體傳感器為代表的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和以二氧化鋯濃差電池氧氣傳感器為代表的金屬氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器實(shí)用化以來(lái)的短短幾十年，
2009-04-06 09:14:4824 DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數(shù)字金屬氧化物半導(dǎo)體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字
2022-11-29 10:41:01
論述了金屬氧化物SnO 2 的氣敏機(jī)理, 并對(duì)通過(guò)摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物以及形成復(fù)合型、多組分氧化物等方法制備SnO 2 薄膜氣敏傳感器的最新研究成果進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹。
2009-06-27 08:35:4928 討論了金屬氧化物半導(dǎo)體表面的氣2氣、氣2固反應(yīng)及其相應(yīng)的電子過(guò)程, 建立了分析氣敏作用機(jī)理的理論模型, 并提出了改進(jìn)傳感器性能的指導(dǎo)性意見(jiàn)。關(guān)鍵詞: 氣敏傳感器; 金
2009-07-02 09:52:2920 半導(dǎo)體氣敏傳感器有多種分類(lèi)方法，主要一種是將其分為兩類(lèi)—電導(dǎo)控制型氣敏傳感器和電壓控制氣敏傳感器。其中電導(dǎo)控制型一般以金屬氧化物半導(dǎo)體材料如SnO、ZnO、FeO系為基體
2009-11-23 14:03:5236 產(chǎn)品介紹YF-9800-NOX氮氧化物在線(xiàn)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，是奕帆科技按照《氮氧化物污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》，專(zhuān)門(mén)針對(duì)排放類(lèi)氣體，自主研發(fā)生產(chǎn)的用于連續(xù)監(jiān)測(cè)氮氧化物濃度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，該套設(shè)備選用了7寸高清彩屏實(shí)時(shí)顯示
2023-03-13 14:53:41
金屬氧化物氣敏傳感器(VI）
以二氧化錫可燃性氣體傳感器為代表的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和以二氧化鋯濃差電池氧氣傳感器為代表的金屬氧化物固體電解
2010-02-26 17:14:5814 該HI-8585 and HI-8586 是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計(jì)用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動(dòng)ARINC 429總線(xiàn)，兩個(gè)邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線(xiàn)接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線(xiàn)規(guī)范設(shè)計(jì)的硅柵互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十九節(jié):金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
4.3 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
結(jié)型場(chǎng)
2009-09-17 10:49:371050 
金屬氧化物陶瓷濕敏元件
將極其微細(xì)的金屬氧化物顆粒在高溫1300℃下燒結(jié)，可制成多孔體的金屬氧化物陶瓷，在這種多孔體表面加上電極，引出接線(xiàn)端子就可做
2009-11-12 16:28:001160 基于氧化物半導(dǎo)體的CMOS電路有望實(shí)現(xiàn)
東京工業(yè)大學(xué)教授細(xì)野秀雄研究室，利用一氧化錫（SnO）開(kāi)發(fā)出了n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體，由此基于氧化物半
2010-03-13 09:42:57905 iPhone主板芯片及整機(jī)配置的進(jìn)化史。iPhone主板芯片的進(jìn)化史，很詳細(xì)的配置清單升級(jí)過(guò)程，很專(zhuān)業(yè)很詳細(xì)。
2011-08-24 08:03:431167 本文將著重介紹氧化物無(wú)機(jī) 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進(jìn)展. 本文簡(jiǎn)述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 安森美半導(dǎo)體推出新的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，提供切合指紋識(shí)別及種種醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)等日益增多的高端生物測(cè)定應(yīng)用需求所要求的速度、分辨率及信噪比(SNR)性能
2011-11-11 09:09:35643 近日，中國(guó)大陸首塊氧化物TFT液晶屏（18.5英寸HD Oxide TFT-LCD）及首塊氧化物AMOLED顯示屏（4英寸WQVGA Oxide AMOLED）在京東方研發(fā)成功，同時(shí)，相關(guān)工藝技術(shù)及設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)也已完成。
2012-03-16 08:38:131209 友達(dá)光電參與國(guó)際資訊顯示學(xué)會(huì)，會(huì)上將首次發(fā)表全世界最大65寸Full HD OLED電視面板技術(shù)，該面板采用先進(jìn)金屬氧化物半導(dǎo)體TFT背板，與世界精細(xì)金屬遮罩（FMM）OLED蒸鍍技術(shù)。
2013-05-21 11:04:521605 本文介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管相關(guān)知識(shí)的詳解。
2017-11-22 19:54:1333 臺(tái)灣顯示器制造商中華映管（CPT）在Touch Taiwan臺(tái)灣觸控、面板暨光學(xué)膜展覽會(huì)上展出了采用Gen 4狹縫擠出涂布設(shè)備處理的涂覆iXsenic金屬氧化物半導(dǎo)體涂層的5.8 英寸LCD 顯示
2018-02-12 12:14:001228 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660 下。 ? 氮氧化物檢測(cè)儀的技術(shù)特點(diǎn)： 1、采樣探頭結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、帶恒溫加熱、陶瓷濾芯，保養(yǎng)維護(hù)非常方便。 2、系統(tǒng)參照CEMS標(biāo)準(zhǔn)要求，采用抽取式冷干法，配備了雙路半導(dǎo)體制冷、KNF采樣泵、氣水分離器、精細(xì)過(guò)濾器等。 3、自帶超大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2021-01-13 15:52:39407 本書(shū)系統(tǒng)地介紹了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件和金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計(jì)諸問(wèn)題。全書(shū)共分六章。第一章為引言。第二章和第三章闡述了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件的工作原理，推導(dǎo)出器件的基本方程并介紹
2021-03-21 11:04:3219 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號(hào)：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00248 
本文介紹了用μ-PCD方法對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的遷移率和Vth漂移的評(píng)價(jià)結(jié)果。
2021-12-20 15:22:23855 
薄膜晶體管TFTs采用氧化鋅等非晶氧化物半導(dǎo)體，如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO，由于其在平板顯示器上的高應(yīng)用潛力，目前是深入研究的課題。由于其相對(duì)于
2022-01-14 13:54:35434 
制造具有鋁柵極的電容器，以通過(guò)在HP4145參數(shù)分析儀上的破壞性電場(chǎng)擊穿測(cè)試來(lái)確定器件的介電強(qiáng)度，使用同時(shí)高頻/低頻系統(tǒng)從C-V測(cè)試中獲得總氧化物電荷和界面陷阱密度。 介紹 水清洗工藝是去除污染物最常用的技術(shù)。這種去除對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)至關(guān)重要，因?yàn)槿藗兤毡檎J(rèn)
2022-06-20 16:11:27688 
半導(dǎo)體器件制造中涉及的一個(gè)步驟是在進(jìn)一步的處理步驟，例如，在形成柵極氧化物之前。進(jìn)行這種清洗是為了去除顆粒污染物、有機(jī)物和/或金屬以及任何天然氧化物，這兩者都會(huì)干擾后續(xù)處理。特別是清潔不充分是對(duì)柵極
2022-06-21 17:07:391229 
隨著氧化物技術(shù)迭代升級(jí)，不斷完善，各個(gè)企業(yè)亦各顯神通，那么京東方作為半導(dǎo)體顯示龍頭企業(yè)，在氧化物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域上也是率先發(fā)力，已有多年的技術(shù)積累并取得了重大突破。跟小酷一起了解一下吧！
2022-07-15 11:42:412002 MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)方面給大家進(jìn)行簡(jiǎn)單的描述介紹。
2022-10-19 17:39:463791 
華映科技擁有自主研發(fā)的金屬氧化物面板技術(shù)，這是目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的氧化物器件技術(shù)。這種技術(shù)的突破，使得華映科技在全球顯示行業(yè)的地位日益提升。2023年，公司的一款12.6寸金屬氧化物2.5K高刷高靈敏臻彩屏，在第十一屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)上榮獲了顯示創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2023-10-10 16:57:09456 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《大學(xué)寢室門(mén)的進(jìn)化史:RFID的寢室門(mén)禁系統(tǒng).rar》資料免費(fèi)下載
2023-11-08 09:19:530 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41262 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開(kāi)關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:56:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開(kāi)關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:12:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開(kāi)關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 13:49:530
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