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電子發(fā)燒友網(wǎng)>光電顯示>基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

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光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測器在軍事和國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等;在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。
2018-02-05 15:39:0232639

新型光電探測器,有出色的傳感和成像能力

光電探測器是光傳感器;在照相機(jī)和其他成像器件中,光電探測器可感知被稱為光子的基本粒子的圖案,并根據(jù)這些圖案創(chuàng)造圖像。不同的光電探測器可感知到的光譜范圍不同。例如,在夜視鏡中,就可使用光探測器來感知肉眼不可見的熱輻射。另外,通過了解物質(zhì)反射光的特性,光電探測器還可用于識別環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)。
2018-07-05 10:07:003418

煙霧探測器如何選型 離子式和光電型的區(qū)別

離子型煙霧探測器對于那些微小的煙霧粒子的感應(yīng)要靈敏一些,而光電型煙霧探測器恰恰相反,光電型煙霧探測器對于那些稍大的煙霧粒子的感應(yīng)較靈敏,如果火災(zāi)產(chǎn)生的煙塵都是比較大的顆粒,那么采用光電型煙霧探測器比較好,而如果火災(zāi)產(chǎn)生的煙塵都是比較小的顆粒,那么采用離子型煙霧探測器比較好
2018-08-21 15:49:468407

紅外光電探測器的原理_紅外光電探測器的分類

紅外光電探測器是將入射的紅外輻射信號轉(zhuǎn)變成電信號輸出的器件?,F(xiàn)代紅外光電探測器所利用的主要是紅外熱效應(yīng)和光電效應(yīng)。這些效應(yīng)的輸出大都是電量,或者可用適當(dāng)?shù)姆椒ㄞD(zhuǎn)變成電量。
2019-12-02 16:01:3011957

光電探測器是什么_光電探測器有哪幾類

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測器在軍事和國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等;在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)
2019-12-06 10:29:5032956

光電探測器的應(yīng)用廣泛,它的基本原理是什么

現(xiàn)如今,光電探測器已經(jīng)應(yīng)用到各個領(lǐng)域。通過與LED或激光二極管結(jié)合,光電探測器可用于電路隔離器、入侵報警以及激光雷達(dá)等系統(tǒng),因此光電探測器的應(yīng)用領(lǐng)域和范圍都將隨著時間的推移而不斷擴(kuò)大,本期的內(nèi)容
2020-08-17 11:10:123569

光電探測器的帶寬是什么_光電探測器誤報原因

光電探測器的帶寬就是指探測器能在哪個頻段范圍內(nèi)正常工作,也就是可以探測哪些頻率的信號。需要用一個寬帶的信號源,比如高溫黑體,再借助傅里葉變換頻譜儀來測量。
2021-03-04 17:01:3416316

探測器和光子探測器的區(qū)別

探測器的換能過程包括熱阻效應(yīng)、熱伏效應(yīng)(珀耳帖(%1tier)效應(yīng)的可逆性)、熱氣FAN7530MX動效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)等。光子探測器的換能過程包括光生伏特效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、光電磁效應(yīng)和光電子發(fā)射效應(yīng)(外光電效應(yīng))等。
2021-03-05 14:19:089554

Ga2O3器件仿真技術(shù)面臨哪些難點

微波等領(lǐng)域,展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿Γ欢?b class="flag-6" style="color: red">Ga2O3材料的禁帶寬度高達(dá)~4.9 eV,臨界電場高達(dá)~8 MV/cm(是Si的2.7倍,SiC和GaN的2倍,Baliga優(yōu)值分別是SiC和GaN的10
2021-04-22 14:38:19715

最新成果展示:Ga2O3材料數(shù)據(jù)庫的開發(fā)及其在日盲紫外光電探測器中的應(yīng)用

Ga2O3材料是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達(dá)4.9 eV,可定向檢測日盲波段的紫外光,且不受太陽光背景輻射的影響,使得該材料有天然的日盲特性。日盲紫外光電探測器
2022-10-25 10:03:231075

基于二維材料的光電探測器在光通信波段應(yīng)用

光電探測器是一種將光信號轉(zhuǎn)化為電信號的傳感器件。高性能光電探測器,尤其是紅外光電探測器,在光通信、熱成像、醫(yī)療、軍事和環(huán)境監(jiān)控等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。根據(jù)探測波長的分類,紅外光電探測器可以分為近紅外
2022-11-14 14:33:512626

PbSe量子點被用于制備高性能的光電探測器

光電探測器在圖像傳感、環(huán)境監(jiān)測、通信等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。近年來,量子點作為一種光電性能優(yōu)異的半導(dǎo)體納米材料,被廣泛應(yīng)用于光電探測器。PbSe量子點具有優(yōu)異的吸光性能,被用于制備高性能的光電探測器。
2022-11-21 10:10:352224

高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

氧化鎵(Ga2O3)是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體(禁帶寬度為4.9 eV),具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點,是日盲紫外探測理想的半導(dǎo)體材料?;?b class="flag-6" style="color: red">Ga2O3的日盲紫外光電探測器已有很多的報道。
2023-03-28 11:48:012799

混合硅基光電探測器的各項性能研究

在本例中,我們將研究混合硅基光電探測器的各項性能。單行載流子(uni-traveling carrier,UTC)光電探測器(PD)由InP/InGaAs制成
2023-04-23 09:31:10897

有機(jī)光電倍增探測器的原理

與有機(jī)太陽能電池類似,有機(jī)光電倍增探測器的結(jié)構(gòu)主要包含單質(zhì)結(jié)及體異質(zhì)結(jié)兩種類型。最早提出的有機(jī)光電倍增探測器包含了陽極、活性層及陰極三個部分,夾在兩電極之間的活性層由單一的N型或P型有機(jī)化合物構(gòu)成,這種類型的器件被稱為單質(zhì)結(jié)器件。另外一種器件的活性層為給/受體(D/A)混合材料,被稱為體異質(zhì)結(jié)器件。
2023-04-25 07:22:13463

InGaAs/InP光電探測器

要摘InGaAs光電探測器被廣泛地應(yīng)用于光纖通訊領(lǐng)域,由于其特有的優(yōu)點,國外已應(yīng)用于空間遙感領(lǐng)域.本文簡要介紹了InGaAs/InP的物理特性、PIN光電探測器結(jié)構(gòu)和主要性能指標(biāo),討論了研制InGaAs/InP空間遙感用光電探測器的意義.
2023-06-19 16:42:212

氧化鎵(Ga2O3)溝槽二極管的相關(guān)研究進(jìn)展

Ga2O3技術(shù)成熟的一個主要障礙是器件過熱。對于Ga2O3溝槽器件,盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比,[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率(kT[010])更高,但具有[100]溝槽的Ga2O3溝槽器件很少被采用。
2023-06-21 11:40:58573

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng),在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。由于紫外光在很多領(lǐng)域中具有重要的研究和應(yīng)用價值,日盲紫外探測器的發(fā)展對于提高測量的精確性和可靠性具有重要意義。
2023-08-04 11:21:08762

光電探測器工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域

光電探測器是一種用于檢測光線的傳感器,其應(yīng)用范圍非常廣泛。下面將介紹一些主要的使用范圍:1.通信與網(wǎng)絡(luò)光電探測器在通信和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域中扮演著重要角色。在光纖通信系統(tǒng)中,光電探測器用于檢測傳輸?shù)墓庑盘柌?/div>
2023-09-09 08:30:262077

光電探測器的主要噪聲源及其成因

光電探測器的主要噪聲源及其成因 光電探測器是一種基于光電轉(zhuǎn)換原理實現(xiàn)信息傳輸和處理的電子元器件。它的核心部件是光電傳感器,可以將接收到的光信號轉(zhuǎn)換為電信號,從而實現(xiàn)信號的放大、濾波、調(diào)制、解調(diào)、數(shù)字
2023-09-19 16:44:541815

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV,理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm,是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料
2023-10-11 16:06:30526

一種用于調(diào)控Ga2O3薄膜的表面電子結(jié)構(gòu)的的熱重組工程

氧化鎵(Ga2O3)因其超寬的帶隙和高臨界擊穿電場,可滿足當(dāng)前器件大功率和微型化的發(fā)展需求,已成為新一代電力電子和光電器件的熱門材料。目前日盲紫外光電探測Ga2O3的一個重要應(yīng)用,而提高其光電探測
2024-01-19 15:35:20220

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