額定電流 - 15W LED日光燈恒流驅(qū)動(dòng)方案設(shè)計(jì)

　?。?） 額定電流Irating

　　mos管關(guān)斷后，D4給電感L1提供續(xù)流回路，所以通過(guò)D4的電流不會(huì)超過(guò)電感L1飽和電流IL.

　?。?） 反向恢復(fù)時(shí)間trr

　　由于電路工作的頻率較高，所以需要反向恢復(fù)時(shí)間小的超快恢復(fù)肖特基，以防止誤觸發(fā)，建議選用trr小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。

　?。?） 正向?qū)▔航礦F

　　正向?qū)▔航礦F越小，效率越高，盡可能選擇正向?qū)▔航敌〉某旎謴?fù)肖特基。

　　■所以選擇反向耐壓為600V，額定電流為1A，反向恢復(fù)時(shí)間小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。

　　13.輸出電容C9

　　輸出電容的作用是減小LED電流的波動(dòng)，越大越好，但由于體積的限制，建議選擇容值為0.47uF到1uF之間耐壓400V為的CBB電容。

　　14.mos管Q1

　　（1） mos管耐壓VDSS

　　mos管的最大耐壓為交流整流后的電壓最大值，留50%的裕量，選取耐壓值為

　?。?） mos管的額定電流IFET

　　流過(guò)mos管的電流取決于最大占空比，本系統(tǒng)最大占空比為50%，所以留過(guò)mos管的額定電流為

　　mos管的額定電流為工作電流3倍時(shí)，損耗較小，所以選取mos管的額定電流IFET≥1A.

　?。?） mos管開(kāi)啟電壓Vth

　　要保證Vth小于芯片的驅(qū)動(dòng)電壓，即Vth《11V，由于一般高壓mos管的Vth為3~5V，所以這個(gè)參數(shù)不需要過(guò)多考慮。

　?。?） mos管導(dǎo)通電阻Rdson

　　mos管的導(dǎo)通電阻Rdson越小，mos管的損耗就越小。

　?。?） 額定溫度

　　實(shí)際工作溫度不能超出其額定溫度的范圍。

　　■ 所以選擇耐壓為600V，額定電流大于或等于1A，Rdson較小的mos管。

　　15.CS取樣電阻R4，R7，R8

　?。?） R4，R7，R8的阻值

　　設(shè)R7，R8串聯(lián)后再與R4并聯(lián)的電阻為RCS，輸出的電流波動(dòng)范圍為0.3，

　　則：

　　選取合適的R4，R7和R8，保證調(diào)節(jié)R8可以得到需要的輸出電流Io，且無(wú)論怎樣調(diào)節(jié)R8，Io都不會(huì)太大以至于損壞期間。

　?。?） 電阻類型

　　RCS上承受的功率為P=I2O×RCS=0.11W ，所以R4，R7采用0805封裝的貼片電阻，為了調(diào)節(jié)R8時(shí)輸出電流不會(huì)變化太快，所以選擇R8為精密可調(diào)電阻。

　　16.續(xù)流電感L2和續(xù)流二極管D5

　　加L2和D5的主要目的是為了給芯片VCC供電，從而關(guān)斷芯片HV腳的供電，減小損耗。工作原理為：當(dāng)mos管導(dǎo)通時(shí)，電感L2儲(chǔ)能，電容C7給芯片供電，當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí)，L2給芯片VCC供電，并給電容C7充電。

　　選擇L2的原則是使芯片VCC的供電電壓保持在11~12V之間，建議選擇電感量為18uH，飽和電流與L1相同的電感。選擇續(xù)流二極管D5時(shí)，為了防止誤觸發(fā)，建議選用恢復(fù)時(shí)間小于75ns的超快恢復(fù)肖特基。