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如附件，利用氮化鎵的高速開(kāi)關(guān)特性。解決上升及關(guān)斷的時(shí)間問(wèn)題。傳統(tǒng)的硅材料管子,受限于體內(nèi)寄生參數(shù).速度上跑不快.氮化鎵的dv/dt
2022-03-30 17:49:54
。我們來(lái)看看它的開(kāi)關(guān)技術(shù)與氮化鎵(鎵)為基礎(chǔ)的解決方案的對(duì)比。我們也得到了公司的采取什么規(guī)格是重要的應(yīng)用，如5G 波束指導(dǎo)和意義的集成電荷泵驅(qū)動(dòng)程序。射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)方法的權(quán)衡像門(mén)羅微電子的其他射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品
2022-06-13 10:34:18
也有更好的表現(xiàn)。模擬IC應(yīng)用廣泛，使用環(huán)節(jié)也各不相同，因此制造工藝也會(huì)相應(yīng)變化。砷化鎵（GaAs）：無(wú)線(xiàn)通信核心材料，受益5G大趨勢(shì)相較于第一代硅半導(dǎo)體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，因此
2019-05-06 10:04:10
5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-08-16 07:57:10
對(duì)于大規(guī)模MIMO系統(tǒng)而言，第4代氮化鎵技術(shù)和多功能相控陣?yán)走_(dá)(MPAR)架構(gòu)可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan，MACOM高級(jí)業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)和戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理解說(shuō)道，向5G移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)不斷加快
2019-08-02 08:28:19
個(gè)單獨(dú)元件組成的組件相比，可以更容易地對(duì)電路板進(jìn)行返工。第4代氮化鎵優(yōu)勢(shì)就半導(dǎo)體層面而言，第四代硅基氮化鎵(Gen4GaN)已經(jīng)作為L(zhǎng)DMOS的明確替代者來(lái)服務(wù)于針對(duì)5G部署的下一代基站，尤其對(duì)于
2017-08-03 16:28:14
的組件相比，可以更容易地對(duì)電路板進(jìn)行返工。第4代氮化鎵優(yōu)勢(shì)就半導(dǎo)體層面而言，第四代硅基氮化鎵(Gen4 GaN)已經(jīng)作為L(zhǎng)DMOS的明確替代者來(lái)服務(wù)于針對(duì)5G部署的下一代基站，尤其對(duì)于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
特性，成為直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)的強(qiáng)有力候選者。目前正在研究數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。
此外，自動(dòng)駕駛車(chē)輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線(xiàn)充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線(xiàn)跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率
2019-03-14 06:45:11
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送?，自動(dòng)駕駛車(chē)輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線(xiàn)充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線(xiàn)跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ aN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
，并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日，聯(lián)想官方在電商平臺(tái)發(fā)起氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價(jià)僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
首先報(bào)道了基于氮化鎵雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、波長(zhǎng)為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領(lǐng)導(dǎo)研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。從此，波長(zhǎng)為405 nm的氮化鎵紫光激光器的發(fā)展和應(yīng)用推動(dòng)
2020-11-27 16:32:53
的關(guān)鍵時(shí)刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，這推動(dòng)了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用，并使其定位為最適合未來(lái)5G無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施的實(shí)際促技術(shù)，其轟動(dòng)性市場(chǎng)影響可能會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來(lái)可以做到10英寸、12英寸，整個(gè)晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米
2017-08-29 11:21:41
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專(zhuān)業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級(jí)代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶(hù)聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
的智能手機(jī)將是LG G5。此款手機(jī)搭載驍龍820處理器，采用高通Adreno 530 GPU，配置5.6英寸2K顯示屏，后置攝像頭為2100萬(wàn)像素。最新消息還顯示，LG G5還將具備虹膜識(shí)別功能和指紋解鎖功能。
2015-12-15 11:22:15
電子、汽車(chē)和無(wú)線(xiàn)基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線(xiàn)中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
組合多個(gè)射頻能量通道，例如3x300W或2x500W等。支持的頻段范圍為915MHz到2.45GHz?！?商業(yè)OEM渴望借助硅基氮化鎵抓住高性能射頻能量系統(tǒng)的巨大市場(chǎng)機(jī)遇，但他們不希望將資源投資于
2017-08-03 10:11:14
已經(jīng)有不少硅基氮化鎵組件被通信客戶(hù)采用。為了保證供應(yīng)，MACOM不久前還與ST簽署了合作協(xié)議。從中可以看出，往后具有更大集成效能的半導(dǎo)體材料應(yīng)用或?qū)⒆呦驓v史的中央舞臺(tái)。5G促使企業(yè)加速?lài)?guó)內(nèi)本土化進(jìn)程目前
2019-01-22 11:22:59
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線(xiàn)與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線(xiàn)
2017-09-04 15:02:41
具有明顯優(yōu)勢(shì)。技術(shù)發(fā)展成熟后，硅基氮化鎵將受益于非常低的硅成本結(jié)構(gòu)，與目前碳化硅基氮化鎵比其晶圓成本只有百分之一，因?yàn)榕c硅工藝相比，碳化硅晶體材料的生長(zhǎng)速度要慢200至300倍，還有相應(yīng)的晶圓廠(chǎng)設(shè)備折舊
2017-08-30 10:51:37
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
650V，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用5*6mm QFN封裝，節(jié)省面積。2、NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD完整型號(hào)：NCP1342AMDCDD1R2G絲?。?342AMDCD簡(jiǎn)單
2021-01-08 17:02:10
、 邁克爾加成反應(yīng)2、 付-克烷基化反應(yīng)3、 羥醛縮合反應(yīng)（乙醇鈉）4、 磺化反應(yīng)、硝化反應(yīng)5、 重氮化反應(yīng)、疊氮化反應(yīng)6、 無(wú)溶劑反應(yīng)、30%的液液相反應(yīng)（大概率）技術(shù)參數(shù)：外形尺寸：50×80×4mm
2018-07-02 13:45:39
WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器是汶顥自主研發(fā)的微通道反應(yīng)器，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，微反應(yīng)器具有比表面積大、傳質(zhì)傳熱效率高、安全性高、放大效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)， WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器兼顧了傳質(zhì)與壓降
2018-06-29 10:49:09
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開(kāi)關(guān)
2018-07-19 16:30:38
項(xiàng)目名稱(chēng)：應(yīng)用于智能化工的微反應(yīng)器采集與控制系統(tǒng)開(kāi)發(fā)試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人主要從事微反應(yīng)器技術(shù)和智能化工的研究，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于STM開(kāi)發(fā)板的微反應(yīng)器系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，對(duì)開(kāi)發(fā)板的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用有過(guò)深入的學(xué)習(xí)和探索
2020-09-25 10:04:07
項(xiàng)目名稱(chēng)：微藻培養(yǎng)反應(yīng)器試用計(jì)劃：1、前期與ST的FA溝通stm32f103ret6關(guān)于實(shí)時(shí)時(shí)鐘起振問(wèn)題，建議更換G系列芯片；2、1中所提問(wèn)題實(shí)驗(yàn)階段并未出現(xiàn)時(shí)鐘起振問(wèn)題，在量產(chǎn)是出現(xiàn)不同批次
2019-09-06 11:34:21
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領(lǐng)著提倡開(kāi)發(fā)和實(shí)施全面性方法，確保在嚴(yán)苛操作環(huán)境下，GaN設(shè)備也能夠可靠地運(yùn)行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統(tǒng)的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內(nèi)在特性。
2019-07-31 06:19:34
，該晶圓有望實(shí)現(xiàn)縱型FET。與碳化硅基的縱型MOS FET相比，在性能方面，縱型FET具有更高的潛力（下圖5）。與利用傳統(tǒng)的體塊式氮化鎵晶圓制成的芯片相比，實(shí)驗(yàn)制作的二極管的ON電阻值降低了50%，縱
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
在反應(yīng)之前將原料一次性加入反應(yīng)器中，直到反應(yīng)達(dá)到規(guī)定的轉(zhuǎn)化率，即得反應(yīng)物，通常帶有攪拌器的釜式反應(yīng)器。
2019-10-24 09:01:32
當(dāng)提到 5G 的承諾 – 小于 1 毫秒的延遲、100 倍的網(wǎng)絡(luò)能量效率、20 Gbps 的峰值數(shù)據(jù)速率以及10 Mps/m2 的區(qū)域流量容量，提供商們?nèi)源笥锌蔀椤?b class="flag-6" style="color: red">5G 預(yù)定在 2020 年進(jìn)行商業(yè)發(fā)布，預(yù)計(jì)可以提供所有這些顯著的優(yōu)勢(shì)，包括更“綠色”和高效的通信網(wǎng)絡(luò)。
2019-07-26 07:56:47
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。第一步：元器件選型對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢(shì)，但在設(shè)計(jì)上也帶來(lái)一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿(mǎn)意。但通過(guò)共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
。
圖 6：沒(méi)有輸入濾波器、基于氮化鎵器件的逆變器于PWM = 100 kHz、DT = 21 ns、C = 2 x 22 μF 陶瓷； U相電流 500 mA/div、輸入電壓 200 mV
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
，一些射頻氮化鎵廠(chǎng)商開(kāi)始考慮在未來(lái)的手持設(shè)備中使用氮化鎵。對(duì)于現(xiàn)在的手機(jī)而言，氮化鎵的性能過(guò)剩，價(jià)格又太貴。但將來(lái)支持下一代通信標(biāo)準(zhǔn)（即5G）的手機(jī)，使用氮化鎵是有可能的。氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或
2016-08-30 16:39:28
大幅降低電流在保護(hù)板上的損耗，隨著手機(jī)充電功率達(dá)到200W，電池端的電流達(dá)到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導(dǎo)熱措施來(lái)為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無(wú)需導(dǎo)熱材料，降低快充過(guò)程中
2023-02-21 16:13:41
、穩(wěn)定性、高效性。汶顥微反應(yīng)器熱量緩沖需求量低，占地面積小，自動(dòng)化程度高，極大地節(jié)省了人力及物力資源?；谖⒘骺?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的微通道反應(yīng)器，代表著綠色化工的發(fā)展方向。汶顥自主研發(fā)的多結(jié)構(gòu)微反應(yīng)器兼顧了傳質(zhì)與壓降兩大
2018-06-28 13:28:02
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置?！ 『?jiǎn)單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過(guò)渡能力。對(duì)于單個(gè)氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡(jiǎn)單的方法，可以使用12V驅(qū)動(dòng)器
2023-02-21 16:30:09
小得多，因此每塊晶圓就可以生產(chǎn)出更多的氮化鎵器件，從而實(shí)現(xiàn)可量產(chǎn)、具低成本、成熟、迅速反應(yīng)和非常易于擴(kuò)展的供應(yīng)鏈。
誤解5 ：GaN FET和集成電路的價(jià)格昂貴
這是關(guān)于氮化鎵技術(shù)最常見(jiàn)的錯(cuò)誤觀念！ 氮化
2023-06-25 14:17:47
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器是汶顥科技自主研發(fā)的微通道反應(yīng)器，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，微反應(yīng)器具有比表面積大、傳質(zhì)傳熱效率高、安全性高、放大效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)， WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器
2018-06-22 15:55:21
生物反應(yīng)器的作用是為生物體代謝提供一個(gè)優(yōu)化的物理及化學(xué)環(huán)境，使生物體能更快更好地生產(chǎn)，得到更多需要的生物量或代謝產(chǎn)物。
2019-10-23 09:10:09
由于反應(yīng)物的分子在反應(yīng)器內(nèi)停留時(shí)間相等，所以在反應(yīng)器內(nèi)任何一點(diǎn)上的反應(yīng)物濃度和化學(xué)反應(yīng)速度都不隨時(shí)間而變化，只隨管長(zhǎng)變化。
2019-10-28 09:12:03
：AIXA）聯(lián)合宣布，200mm晶圓AIXTRON G5+ C和G10-AsP系統(tǒng)已獲得艾邁斯歐司朗的認(rèn)證，可用于滿(mǎn)足Micro LED應(yīng)用需求。愛(ài)思強(qiáng)的MOCVD系統(tǒng)AIX G5+ C和全新
2023-02-16 09:39:30
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
無(wú)可爭(zhēng)議的冠軍。它已經(jīng)在雷達(dá)和5G無(wú)線(xiàn)技術(shù)中得到了應(yīng)用，很快將在電動(dòng)汽車(chē)的逆變器中普及。你甚至可以買(mǎi)到基于氮化鎵的USB壁式充電器，它們體積小且功率非常高。不過(guò)，還有比它更好的東西嗎？有能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
設(shè)計(jì)一個(gè)新穎、一次性使用的生物反應(yīng)器，具有高性能且便于使用，使之在同類(lèi)產(chǎn)品中的中脫穎而出。 使用NI LabVIEW和NI 單板 RIO，以一個(gè)通用控制平臺(tái)開(kāi)發(fā)一個(gè)集成的生物反應(yīng)器。 生物反應(yīng)器
2018-02-09 07:17:47
979 的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí)，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181381 本視頻主要詳細(xì)介紹了反應(yīng)器類(lèi)型，分別有管式反應(yīng)器、釜式反應(yīng)器、有固體顆粒床層的反應(yīng)器、塔式反應(yīng)器、噴射反應(yīng)器等。
2018-11-04 09:19:4816959 本視頻主要詳細(xì)介紹了常見(jiàn)反應(yīng)器，分別有釜式反應(yīng)器、流化床反應(yīng)器、固定床反應(yīng)器、膜生物反應(yīng)器以及塔式反應(yīng)器。
2018-11-04 09:53:5913472 指在反應(yīng)器內(nèi)裝填顆粒狀固體催化劑或固體反應(yīng)物，形成一定高度的堆積床層，氣體或液體物料通過(guò)顆粒間隙流過(guò)靜止固定床層的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)非均相反應(yīng)過(guò)程。本視頻主要介紹了固定床反應(yīng)器的優(yōu)缺點(diǎn)以及列管式固定床反應(yīng)器優(yōu)缺點(diǎn)。
2018-11-04 09:58:5225101 流化床反應(yīng)器是一種利用氣體或液體通過(guò)顆粒狀固體層而使固體顆粒處于懸浮運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，并進(jìn)行氣固相反應(yīng)過(guò)程或液固相反應(yīng)過(guò)程的反應(yīng)器。本視頻主要介紹了流化床反應(yīng)器的優(yōu)缺點(diǎn)。
2018-11-04 10:05:4524960 生物反應(yīng)器，是指利用自然存在的微生物或具有特殊降解能力的微生物接種至液相或固相的反應(yīng)系統(tǒng)。本視頻首先介紹了生物反應(yīng)器優(yōu)點(diǎn)，其次介紹了生物反應(yīng)器對(duì)比反應(yīng)器的優(yōu)點(diǎn)，最后介紹了氣升式生物反應(yīng)器優(yōu)缺點(diǎn)。
2018-11-07 16:24:3615306 IC反應(yīng)器是基于UASB反應(yīng)器顆?；腿喾蛛x器的概念而改進(jìn)的新型反應(yīng)器，可看成是由兩個(gè)UASB反應(yīng)器的單元相互重疊而成。它的特點(diǎn)是在一個(gè)高的反應(yīng)器內(nèi)將沼氣的分離分成兩個(gè)階段。底部一個(gè)處于極端的高負(fù)荷，上部一個(gè)處于低負(fù)荷。
2018-11-10 10:47:5614613 本視頻主要詳細(xì)介紹了uasb反應(yīng)器的特點(diǎn)，分別有構(gòu)造簡(jiǎn)單巧妙、反應(yīng)器內(nèi)可培養(yǎng)出厭氧顆粒污泥、實(shí)現(xiàn)了污泥泥齡（SRT）與水力停留時(shí)間（HRT）的分離、UASB反應(yīng)器對(duì)各類(lèi)廢水有很大的適應(yīng)性、能耗低，產(chǎn)泥量少以及不能去除廢水中的氮和磷。
2018-11-10 10:51:0310065 UASB反應(yīng)器廢水被盡可能均勻的引入反應(yīng)器的底部，污水向上通過(guò)包含顆粒污泥或絮狀污泥的污泥床。厭氧反應(yīng)發(fā)生在廢水和污泥顆粒接觸的過(guò)程。
2018-11-18 09:36:1119182 二甲基甲酰胺合成反應(yīng)器為立式結(jié)構(gòu)，它通過(guò)4個(gè)支耳懸掛在裝置框架上，在反應(yīng)器的側(cè)面有上下2個(gè)DN80的法蘭口，法蘭面和設(shè)備的內(nèi)壁間距為200mm，這兩個(gè)法蘭口用來(lái)安裝液位測(cè)量?jī)x表。反應(yīng)器采用
2022-11-08 12:07:04696 德國(guó)彗諾微反應(yīng)器連續(xù)補(bǔ)料計(jì)量泵|內(nèi)含Microinnova微通道反應(yīng)器集成案例。翁開(kāi)爾是德國(guó)彗諾微反應(yīng)器連續(xù)補(bǔ)料計(jì)量泵中國(guó)總代理。
2022-06-16 09:26:21357 
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