AMD徹底逆襲：GF直奔7nm工藝 Intel的10nm卻要等到2020年

　　近日，GlobalFoundries公布了7nm的進(jìn)度、技術(shù)指標(biāo)和量產(chǎn)安排，令半導(dǎo)體界為之一振。

　　GlobalFoundries因?yàn)榭s寫為GF、同時(shí)曾經(jīng)被AMD擁有、至今也是AMD最主要的代工伙伴，所以即使“賣身”到了中東，也還是被硬件愛(ài)好則會(huì)親切地稱為“AMD女友”。

　　雖然Intel、三星、臺(tái)積電等對(duì)手都選擇用在14nm之后用10nm過(guò)度一代，但GF卻直奔7nm。

　　今天，Anandtech公開了全球六大代工廠的官方制程路線圖，可以看到，臺(tái)積電和GF的7nm最快，都能在2018年量產(chǎn)。

　　不過(guò)，GF為7nm劃分了三代，第一代是DUV（深紫外光刻），而導(dǎo)入EUV（極紫外光刻）需要到2019年。

　　技術(shù)指標(biāo)上，GF的第一代/第二代7nm相較14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗，芯片成本降低30%。

　　DUV和EUV在細(xì)節(jié)指標(biāo)上的區(qū)分還是很大，比如DUV的氬氟（ArF）準(zhǔn)分子激光波長(zhǎng)是193nm，而EUV只有13.5nm。

　　回到進(jìn)度對(duì)比上，Intel實(shí)在是有些難堪，1個(gè)10nm要用到2020年，那時(shí)候AMD基于7nm的Zen 2/3都應(yīng)發(fā)布了。