? ? ? ? ?東芝日前宣布,他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言,這可謂是相當(dāng)重大的消息。
閃存是依靠內(nèi)含電荷的浮柵晶體管來進(jìn)行工作的。這些內(nèi)存區(qū)塊的排列方式要么是二維平面(平面NAND),要么以更為空間效率的豎列被堆疊起來(3D NAND)。
為了最大化存儲空間,這些內(nèi)存塊——不管是在二維平面還是三維空間——可以被分割進(jìn)更多的電荷電平以存儲更多數(shù)據(jù)。每存儲單元擁有4級電荷(2比特)的閃存被稱作多層單元(MLC),擁有8級電荷(3比特)的閃存則被稱作三層單元(TLC)。
四層單元(QLC)顯然是閃存技術(shù)發(fā)展的下一步。通過將每一個存儲單元分割成16個電荷電平(每單元4比特數(shù)據(jù)),它能夠?qū)崿F(xiàn)存儲容量上的進(jìn)一步擴(kuò)大。在曾經(jīng)的一段時間里,從TLC升級到QLC看上去似乎難度頗高,因為精確區(qū)分電荷電平所需要的生產(chǎn)精度是會成倍增加的。但在自己最新的3D NAND閃存當(dāng)中(使用了64層堆棧式QLC存儲單元),東芝就成功做到了這一點。
東芝的QLC技術(shù)實現(xiàn)了每閃存顆粒768Gb的容量,相比之前512Gb TLC顆粒顯然是巨大的提升。東芝指出,新的QLC顆粒能以16顆粒封裝,從而實現(xiàn)單設(shè)備1.5TB的容量——這被東芝稱為目前單獨一個單元的最大容量。
對于普通用戶而言,東芝的新技術(shù)意味著未來的大容量閃存可能會更便宜。不管是MLC、TLC還是QLC,它們的優(yōu)勢都是大幅增加存儲密度,從而拉低閃存的價格。但值得注意的是,閃存的速度和耐久度在容量提升的同時將會受到影響。
這個問題會在QLC身上延續(xù)下去,因為在每次讀取數(shù)據(jù)時需要區(qū)分的電荷電平變得更多了。但如果你希望以更低廉的價格買到更大容量的存儲設(shè)備,東芝的成功依然是個好消息。
東芝已經(jīng)在本月早些時候開始出貨3D QLC NAND閃存的樣品,以供客戶進(jìn)行評估。至于相關(guān)產(chǎn)品會在何時上市銷售,這目前還不得而知。
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