容量輕松TB級(jí)、價(jià)格/功耗降低東芝3D閃存技術(shù)突破
雖然東芝的閃存業(yè)務(wù)風(fēng)雨飄搖，正在尋求出售，但技術(shù)人員卻不斷公布新的成果。
繼QLC閃存之后，東芝今天宣布全球首發(fā)了基于TSV（硅通孔）技術(shù)的3D閃存，依然基于自家BiCS架構(gòu)的TLC。
TSV是一種3D閃存“立體搭建”方案，這種通訊方式減少了漏電、更節(jié)省體積，相較傳統(tǒng)的Wire Bond（金線鍵合）在單芯片封裝后的功耗上極具優(yōu)勢(shì)。
得益于TSV，東芝宣稱可以做到最高48層堆疊，單芯片容量最高1TB（16die），接口速度1Gbps。
東芝表示，原型產(chǎn)品已經(jīng)在6月出貨，成品將在下半年上市。同時(shí)，業(yè)內(nèi)將在8月7日開幕的閃存峰會(huì)上有幸得以近距離了解產(chǎn)品詳情。
由此看來，今后xTB的SSD將成為市場(chǎng)的絕對(duì)主流，如果產(chǎn)能給力，在價(jià)格上進(jìn)一步下探并沖擊機(jī)械硬盤市場(chǎng)可以預(yù)見。
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