三星為滿足日益增長的市場需求宣布提高8GB HBM2顯存產能和生產量，為NVIDIA Volta顯卡開始備戰(zhàn)

　　三星宣布正在擴大8GB HBM2的生產量，滿足人工智能、HPC（高性能計算），先進圖形繪制、網絡系統(tǒng)和企業(yè)服務器等領域日益增長的市場需求。

　　三星半導體事業(yè)部今天宣布將會提高8GB HBM2顯存產能，以滿足日益增長的市場需求。三星最先在去年初量產出4GB容量的HBM2顯存，并且使用了相同的多層堆棧技術以提高單顯存芯片容量。三星選擇這個時機增加HBM2產能，和可能與NVIDIA將會在下一代Volta架構游戲顯卡中大規(guī)模引入HBM2顯存有關。

　　三星電子存儲銷售與營銷團隊副總裁Jaesoo Han表示，“通過擴產行業(yè)獨有的8GB HBM2產品，確保充足的供應滿足IT系統(tǒng)廠商開發(fā)新產品和升級系統(tǒng)，三星將與客戶密切合作，持續(xù)提供更先進的HBM2產品線?！?/p>

　　三星8GB HBM2由8個8Gb Die和一個緩沖Die在底部組成，通過TSV硅穿孔和micro-bumps微凸點技術彼此連接。每個8Gb Die包含5000多個TSV硅穿孔，三星8GB HBM2封裝有40000多個TSV。

　　三星半導體說宣布增加8GB HBM2顯存的目的很簡單，就是滿足各行各業(yè)在如人工智能、HPC高性能計算、先進的繪圖性能、網絡系統(tǒng)以及企業(yè)級服務器的需求，這些應用對于超高帶寬的顯存有著極致需求。

　　三星研發(fā)的8GB HBM2顯存技術上與之前的4GB基本一致，只不過是由原來的4-Hi堆棧提升至8-Hi堆棧，每一層顯存容量為8Gb（1GB），8層共同構成8GB容量，想比原來傳統(tǒng)的GDDR5顯存可以節(jié)省95%的PCB面積（AMD Fury和Vega就是最好的例證）。不過也別小瞧了三星的這個8-Hi堆棧，每層die之間都需要使用TSV硅穿孔技術連接，一層就要打上5000個微孔，8層就是40000多個孔，確實可怕。

　　三星的HBM2顯存擁有256GB/s的帶寬，是現(xiàn)在的GDDR5顯存8倍之多，也是HBM1的兩倍，而且HBM2的效能也得到了提升，每瓦特帶寬是GDDR5的兩倍，對于數(shù)據(jù)密集型計算的應用來說，優(yōu)勢巨大。

　　HBM2擁有256GB/s的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，是32GB/s GDDR5 DRAM芯片的8倍，較4GB容量翻倍的8GB HBM2有助于提高系統(tǒng)的性能和能源效率，可理想的升級密集、高端計算應用的數(shù)據(jù)處理，以及并行計算和圖形繪制。

　　為了滿足市場需求的增加，三星預計到2018上半年大量生產的8GB HBM2在HMB2的占比將超過50%。

　　HBM2和TSV（Through Silicon Via）技術應用于最新的DRAM解決方案，三星承諾致力于DRAM技術的創(chuàng)新，三星8GB HBM2可體現(xiàn)行業(yè)HBM2性能的最高水平，以及可靠性和能源效率。

　　此外三星甚至放言，在明年上半年之前，旗下所生產的8GB HBM2顯存將會覆蓋50%以上的HBM2市場。如果沒有NVIDIA的幫助，三星能完成自己放出的任務嗎？

　　雖說NVIDIA是三星HBM2顯存的最大客戶，在之前的NVIDIA Tesla P100、V100均已經用上了16GB的HBM2顯存，但是NVIDIA在Pascla架構上，頂級的GTX 1080、GTX 1080 Ti、Titan X、Titan Xp上只是用上了與美光聯(lián)合開發(fā)的超高頻率GDDR5X顯存，由高頻彌補GDDR5顯存帶寬不如HBM2的缺點，如此算來，GDDR5X還不算落后，NVIDIA可能因為成本原因不著急用上HBM2顯存。

　　而另一方面AMD則是已經在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設置HBCC主控，具備更加強大內存尋址性能。AMD已經完全押寶在HBM2上了，HBM3的應用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存。