“高密度存儲(chǔ)與磁電子材料關(guān)鍵技術(shù)”取得突破性進(jìn)展

阻變存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器、高靈敏度磁傳感器和隔離耦合器件等是具有良好應(yīng)用前景的新型存儲(chǔ)和磁電子技術(shù)，在移動(dòng)通信、個(gè)人電腦、數(shù)碼相機(jī)、電子標(biāo)簽等領(lǐng)域具有廣闊的市場(chǎng)價(jià)值?！笆濉逼陂g，863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域支持了 “高密度存儲(chǔ)與磁電子材料關(guān)鍵技術(shù)”主題項(xiàng)目。近日，科技部高新司在北京組織專家對(duì)該主題項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。

該項(xiàng)目開展了與CMOS工藝兼容的阻變與電極材料組合體系研究，研發(fā)的TaOx阻變存儲(chǔ)器；芯片制造基于中芯國(guó)際集成電路制造有限公司8英寸0.13μm標(biāo)準(zhǔn)邏輯生產(chǎn)工藝線，芯片級(jí)讀取時(shí)間達(dá)到十納秒級(jí)，寫操作電壓滿足0.13μm或0.11μm技術(shù)代標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝IO承受電壓；研發(fā)了低熱導(dǎo)率的新型超晶格相變材料，研發(fā)了非對(duì)稱環(huán)狀微電極結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)器單元，制備出了相變存儲(chǔ)器陣列；開展了磁性隧道結(jié)等磁電子材料研究，制備了基于磁隧道結(jié)的磁傳感器原型器件，完成了基于磁電子材料的具有非易失性鎖存功能的雙芯和三芯兩種單通道數(shù)據(jù)隔離耦合接口芯片。

該項(xiàng)目的實(shí)施突破了先進(jìn)的高密度存儲(chǔ)與磁電子材料器件的關(guān)鍵技術(shù)，培養(yǎng)了高水平信息存儲(chǔ)與磁電子器件研發(fā)隊(duì)伍，對(duì)于我國(guó)新型電子材料技術(shù)與信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有支撐作用。

“十三五”期間，為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》，并將“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”列為發(fā)展重點(diǎn)之一，重點(diǎn)圍繞第三代半導(dǎo)體和微電子材料的研發(fā)，著力解決半導(dǎo)體及微電子產(chǎn)業(yè)面臨的重大共性問(wèn)題，在核心半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝流程的優(yōu)化以及關(guān)鍵技術(shù)的開發(fā)等方面形成突破，力爭(zhēng)推動(dòng)跨界技術(shù)整合，搶占先進(jìn)電子材料技術(shù)的制高點(diǎn)。