電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>T3/E3/STS-1 Low Cost Repeater

T3/E3/STS-1 Low Cost Repeater

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

PE-65662NLT

XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:1 45UH
2024-03-14 22:19:27

PE-65664NL

XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:2CT 35UH
2024-03-14 22:19:27

推薦!一個經(jīng)典的單片機(jī)供電電路

)接地,處于截止?fàn)顟B(tài)。T3的基級電阻R7所連接的Test,T1都處于截止?fàn)顟B(tài),所以T3也處于截止?fàn)顟B(tài)。 電源+9V被T3隔離,沒有加載穩(wěn)壓芯片IC2上,IC2的輸出VCC保持低電平。電路關(guān)閉狀態(tài)電路圖
2024-03-14 09:15:05

SI4840BDY-T1-E3-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

**SI4840BDY-T1-E3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** SI4840BDY-T1-E3-VB- **絲?。?* VBA1410- **封裝
2024-02-20 11:06:42

S6E1C3能否產(chǎn)生重復(fù)啟動?

正在嘗試讓 i2c Master 在 S6E1C3 上運行。 我正在看 \" i2 \" c_master_polling 中的示例代碼。 我注意到它沒有顯示 “重復(fù)開始” 條件的示例。 S6E1C3 能否產(chǎn)生重復(fù)啟動? 如果是, CAN 提供有關(guān)如何完成此操作的一些指導(dǎo)。
2024-01-30 08:16:43

使用TLE9891/TLE9893調(diào)試,重新上電MCU會報CSC_OC_IS和WD_FAIL_STS兩個故障,導(dǎo)致無法驅(qū)動電機(jī)怎么解決?

_CLR FSWD_RST_CLR 還做過以下排查,但是故障任然存在 1、喂狗; 2、通過這個命令清除 MISC_CTRL.TRIG_RST=1; 3、FS_WDT self-test成功了; 4、參考了FS_WDT initialization 時序;
2024-01-24 06:55:13

TIMER3設(shè)置成外部捕獲模式,T3_EXT引腳每秒輸入10個脈沖,為什么得到的CNT寄存器和CAP寄存器的值這么大?

TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028 如果把TIMER3設(shè)置成事件計數(shù)模式,T3引腳 同樣每秒輸入10個脈沖,CNT計數(shù)就比較準(zhǔn)。
2024-01-17 07:40:32

SI4466DY-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOP8封裝的晶體管

型號:SI4466DY-T1-E3-VB絲印:VBA1303品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:N溝道- 額定電壓:30V- 額定電流:18A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):5mΩ @ 10V
2023-12-22 15:36:20

SI4420BDY-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOP8封裝的晶體管

型號:SI4420BDY-T1-E3-VB絲?。篤BA1311品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:N溝道- 額定電壓:30V- 最大持續(xù)電流:12A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):12m
2023-12-22 10:56:23

CA51F003T3 CA51F003T3芯片是基于1T 8051內(nèi)核的8位微控制器MCU

CA51F003T3芯片是基于1T 8051內(nèi)核的8位微控制器,它具有高性能、低功耗、高可靠性等特點,被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)中。一、CA51F003T3芯片的特點1. 高性能
2023-12-21 18:32:30

SI4848DY-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOP8封裝的晶體管

型號:SI4848DY-T1-E3-VB絲?。篤BA1158N品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:N溝道- 額定電壓:150V- 最大持續(xù)電流:5.4A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):80m
2023-12-21 17:35:48

SI4816BDY-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOP8封裝的晶體管

型號:SI4816BDY-T1-E3-VB絲?。篤BA1311品牌:VBsemi參數(shù)說明:- N溝道- 額定電壓:30V- 最大電流:12A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):12mΩ@10V
2023-12-21 17:12:00

SI2307CDS-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號:SI2307CDS-T1-E3-VB絲?。篤B2355品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:P溝道- 額定電壓:-30V- 最大持續(xù)電流:-5.6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):47m
2023-12-21 17:08:00

TN0200T-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

型號:TN0200T-T1-E3-VB絲?。篤B1240品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:N溝道- 額定電壓:20V- 最大連續(xù)電流:6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):24m
2023-12-21 16:58:46

SI4401BDY-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號:SI4401BDY-T1-E3-VB絲?。篤BA2412品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:P溝道- 額定電壓:-40V- 最大持續(xù)電流:-11A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):13m
2023-12-21 16:11:17

SI4425BDY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:SI4425BDY-T1-E3-VB絲?。篤BA2311品牌:VBsemi參數(shù):- P溝道- 最大耐壓:-30V- 最大電流:-11A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻:10mΩ @ 10V, 13m
2023-12-20 11:46:33

SI4850DY-T1-E3-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:SI4850DY-T1-E3-VB絲?。篤BA1630品牌:VBsemi參數(shù):- N溝道- 最大耐壓:60V- 最大電流:7.6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻:27mΩ @ 10V, 32m
2023-12-20 10:44:08

SI2314EDS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:SI2314EDS-T1-E3-VB絲?。篤B1240品牌:VBsemi參數(shù):- N溝道- 最大耐壓:20V- 最大漏電流:6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V
2023-12-18 17:09:54

SI4413DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

根據(jù)提供的型號和參數(shù),以下是對該 MOSFET 型號 SI4413DY-T1-E3-VB 的詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:**型號:** SI4413DY-T1-E3-VB**絲?。?* VBA2311
2023-12-18 17:08:07

SI4825DDY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:SI4825DDY-T1-E3-VB絲印:VBA2311品牌:VBsemi參數(shù):- P溝道- 額定電壓:-30V- 最大電流:-11A- 開態(tài)電阻 (RDS(ON)):10mΩ @ 10V
2023-12-14 16:08:27

TN0200TS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:TN0200TS-T1-E3-VB絲?。篤B1240品牌:VBsemi參數(shù):- 溝道類型:N溝道- 最大耐壓:20V- 最大持續(xù)電流:6A- 開通電阻(RDS(ON)):24m
2023-12-14 10:12:05

TN0200K-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:TN0200K-T1-E3-VB絲印:VB1240品牌:VBsemi參數(shù):- 類型:N溝道- 最大耐壓:20V- 最大電流:6A- 靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V
2023-12-13 17:37:54

SI4948BEY-T1-E3-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號:SI4948BEY-T1-E3-VB絲?。篤BA4658品牌:VBsemi參數(shù):- 類型:2個P溝道- 額定電壓(Vds):-60V- 最大持續(xù)電流(Id):-5.3A- 導(dǎo)通電阻(RDS
2023-12-13 17:35:24

SI9424DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

詳細(xì)參數(shù)說明:- 型號:SI9424DY-T1-E3-VB- 絲印:VBA2216- 品牌:VBsemi- 參數(shù):P溝道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ @ 4.5V,19.2m
2023-12-13 15:28:40

SI9945AEY-T1-E3-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)參數(shù)說明:極性:2個N溝道;額定電壓:60V;最大電流:6A;導(dǎo)通電阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;門源電壓范圍:20Vgs
2023-12-13 10:51:41

SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)參數(shù)說明:N+P溝道,±60V,正向電流6.5A,反向電流5A,導(dǎo)通電阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),正負(fù)閾值電壓
2023-12-13 10:46:20

SI4435DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)參數(shù)說明:極性:P溝道;額定電壓:-30V;最大電流:-7A;導(dǎo)通電阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;門源
2023-12-13 10:26:00

SI4946BEY-T1-E3-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI4946BEY-T1-E3(VBA3638)是一款N溝道MOS型號,封裝為SOP8。該產(chǎn)品具有以下參數(shù):工作電壓為60V,最大電流為6A,開通電阻為27mΩ(在10V下),32mΩ(在4.5V下
2023-11-30 16:04:23

SI4953ADY-T1-E3-VB一種2個P溝道SOP8封裝MOS管

詳細(xì)參數(shù)說明:該型號VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封裝的P溝道MOSFET。它具有兩個P溝道,工作電壓為-30V,最大電流為-7A。其在10V下的導(dǎo)通電阻為35m
2023-11-20 17:48:10

SI9435DY-T1-E3-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

型號   SI9435DY-T1-E3-VB絲印   VBA2333品牌   VBsemi參數(shù)   P溝道 工作電壓  
2023-11-15 17:26:51

SI9435BDY-T1-E3-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

型號   SI9435BDY-T1-E3-VB絲印   VBA2333品牌  VBsemi參數(shù)   P溝道 工作電壓  
2023-11-15 11:56:53

SI4848DY-T1-E3-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

型號   SI4848DY-T1-E3-VB絲印   VBA1158N品牌  VBsemi參數(shù)   N溝道,150V,5.4A,RDS(ON),80m
2023-11-15 11:11:18

TN0200TS-T1-E3-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET

型號  TN0200TS-T1-E3-VB絲印  VB1240品牌  VBsemi參數(shù)   溝道類型  N溝道 最大耐壓
2023-11-13 11:56:41

TN0200K-T1-E3-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET

型號  TN0200K-T1-E3-VB絲印  VB1240品牌  VBsemi參數(shù)   類型  N溝道 最大耐壓  
2023-11-11 11:53:29

SI9948AEY-T1-E3-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET

型號 SI9948AEYT1E3絲印 VBA4658品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明  極性 2個P溝道 額定電壓 60V 額定電流 5.3A 開通電阻(RDS(ON)) 58m
2023-11-07 10:56:52

D3V3L1B2T 1 通道雙向 TVS 二極管

D3V3L1B2T  產(chǎn)品簡介DIODES 的 D3V3L1B2T 這款在取代低工作電壓至關(guān)重要的便攜式應(yīng)用中的多層壓敏電阻 (MLV),與 MLV 相比,它具有卓越的電氣特性,例如更低
2023-10-10 19:54:24

全志T113-S3入門資料匯總(避坑指南)一

啟動器,負(fù)責(zé)將屋子收拾干凈,等后面linux系統(tǒng)進(jìn)來入駐。 我們需要用串口連接板子上的E2,E3,GND,可以用usb-ttl工具去連,于是電腦上就可以通過usb-ttl看到T113串口輸出的信息了
2023-09-08 10:15:04

labview怎么讀取.sie和.sts文件啊?

labview如何讀取eDaq測試生成的.sie文件?? 以及另外一個軟件生成的.sts文件?
2023-08-30 15:34:23

TIMER3設(shè)置成外部捕獲模式,得到的CNT寄存器和CAP寄存器的值怎么會這么大呢?

TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028 如果把TIMER3設(shè)置成事件計數(shù)模式,T3引腳 同樣每秒輸入10個脈沖,CNT計數(shù)就比較準(zhǔn)。
2023-08-29 07:09:18

T3-1T+是一款變壓器

Mini Circuits 的 T3-1T+ 是一款巴倫,頻率為 0.05 至 250 MHz,插入損耗為 0.43 至 2.16 dB,電流為 30 mA,功率為 0.25 W,回波損耗為 5 至
2023-08-24 15:43:07

T3-1T-KK81+是一款變壓器

 Mini Circuits 的 T3-1T-KK81+ 是一款巴倫,頻率為 0.05 至 250 MHz,插入損耗為 0.43 至 2.16 dB,電流為 30 mA,功率為 0.25
2023-08-24 15:17:05

全志t3和a40i有什么區(qū)別?

全志t3和a40i有什么區(qū)別? 全志是中國芯片制造商,在市場上推出了很多種芯片,其中t3和a40i是兩種非常受歡迎的產(chǎn)品。這兩種芯片在市場上都備受關(guān)注,但很多人并不知道它們之間的區(qū)別是什么。本文
2023-08-16 11:16:212351

求助,STM32F103ZET6絲印ST后面的e3e4是什么意思?

e4 菲律賓(PHL)產(chǎn)的批次工作正常,e3臺灣(TWN)生產(chǎn)的批次工作不正常。
2023-08-07 12:41:40

TPS-1 Low-cost Solution Kit-硬件手冊 Rev.1.02

TPS-1 Low-cost Solution Kit - 硬件手冊 Rev.1.02
2023-07-06 18:46:411

全志科技T3國產(chǎn)工業(yè)核心板規(guī)格書(四核ARM Cortex-A7,主頻1.2GHz)

1 核心板簡介創(chuàng)龍科技SOM-TLT3是一款基于全志科技T3處理器設(shè)計的4核ARM Cortex-A7國產(chǎn)工業(yè)核心板,每核主頻高達(dá)1.2GHz。核心板通過郵票孔連接方式引出CSI、TVIN、MIPI
2023-06-28 10:16:23

全志科技T3國產(chǎn)工業(yè)評估板規(guī)格書(四核ARM Cortex-A7,主頻1.2GHz)

1 評估板簡介創(chuàng)龍科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3處理器設(shè)計的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗國產(chǎn)評估板,每核主頻高達(dá)1.2GHz,由核心板和評估底板組成。評估板接口資源豐富
2023-06-28 10:11:48

HFTA-09.0: T3/E3/STS-1光纖擴(kuò)展

通常,T3/E3/STS-1 信號在短距離內(nèi)傳輸,但某些應(yīng)用需要更長的距離。T3/E3/STS-1 光纖到銅轉(zhuǎn)換器接收銅纜信號并將其轉(zhuǎn)換為光信號,通過光纖鏈路傳輸。一對轉(zhuǎn)換器將 T3/E3
2023-06-10 15:28:44501

3. 歐姆龍PLC - CP1E與CP1E-S主要硬件區(qū)別#硬聲創(chuàng)作季

plc歐姆龍CP1E
或許發(fā)布于 2023-06-07 13:12:22

【瑞薩FPB-RA6E1快速原型板】開箱+環(huán)境搭建+e2studio項目搭建

1.選擇一個目錄作為工作目錄 2.文件--新建--新建瑞薩C/C++--新建RA 3.項目名稱為testblink,點擊下一步。然后選擇borad,選擇FPB-RA6E1,選擇調(diào)試器為j-link,如下
2023-05-25 01:17:30

T3A3-08 寬帶雙音終結(jié)器 (T3) 混頻器

   T3A3-08 是一款寬帶雙音終結(jié)器 (T3) 混頻器,集成了一個僅正偏壓的 LO 緩沖放大器。它是一種具有成本效益的即插即用混頻器,具有出色的線性度和低正弦波
2023-05-24 15:08:45

ESP32-WROOM32-UE只有一個觸摸針 (T6) 不工作的原因?

使用 ESP-IDF V4.4.2。 在 PCB1 上讀取是可以的: [size=85%]T0:[1605,1605] T1:[1101,1102] T2:[1571,1571] T3:[1558,1558] T
2023-04-12 07:31:43

STS321240B301

STS321240B301
2023-04-06 23:34:43

CT817B(S)(T3)-H

CT817B(S)(T3)-H
2023-04-06 23:31:04

XRT94L31IB

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:30:04

XRT94L33IB-L

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:30:04

XRT94L33IB

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:28:42

XRT94L31IB-L

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:28:37

DS32512

IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:44

DS32512A2

IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:42

XRT75L03DIVTR-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:35

XRT75R06DIB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:34

XRT75R06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:34

XRT75L03DIV

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:32

XRT75L06DIB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75L06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75R06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75R12DIB

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75R12DIB-L

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:32

XRT73R12IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:31

XRT75L03IV

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:31

XRT75L03IVTR-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:31

XRT75L06DIB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:31

XRT75L06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:31

XRT73L06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73R06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73R06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73R12IB-L

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73L06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:29

XRT75R12IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:49:44

XRT75L03DIV-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:49:43

XRT75L03IV-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:49:43

XRT75R12IB-L

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:49:43

XRT75R06DIB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:49:42

DS3154N+

IC LIU DS3/E3/STS-1 QD 144CSBGA
2023-04-06 11:48:59

DS3150QNC1+

IC LIU DS3/E3/STS-1 28-PLCC
2023-04-06 11:48:58

VDD_PCIE_DIG_1P8_3P3電壓變化是否也需要更改設(shè)備樹?

;; //disable-gpio = <&lsio_gpio1 3 GPIO_ACTIVE_LOW>; reset-gpio = <&amp
2023-04-03 06:31:15

全志T3+Logos FPGA開發(fā)板——雙屏異顯開發(fā)案例

OUT雙屏異顯方案。全志T3處理器顯示驅(qū)動中最重要的顯示資源為圖層,支持0和1兩路顯示通道。其中第0路顯示通道支持16個圖層(含視頻圖層4個),第1路顯示通道支持8個圖層(含視頻圖層4個),所有圖層都支持
2023-03-31 16:31:44

全志T3+Logos FPGA核心板——Linux系統(tǒng)使用手冊

/T31將LinuxSDK_AA_BB_CC_DD.tar.gz開發(fā)包拷貝至Windows下的SharedFolders共享目錄,LinuxSDK版本請以實際情況為準(zhǔn)。圖 2此時可在Ubuntu
2023-03-31 16:30:26

全志T3+Logos FPGA開發(fā)板——MQTT通信協(xié)議案例

。Host# CC=/home/tronlong/T3/lichee/out/sun8iw11p1/linux/common/buildroot/host/usr/bin
2023-03-31 15:35:28

CT817D(SL)(T3)-H

CT817D(SL)(T3)-H
2023-03-29 17:57:32

XRT7296IWTR

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-27 12:19:54

XRT7296IWTR-F

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-27 12:19:54

sts8200

哪位大佬有STS8200模擬/數(shù)字混合信號測試系統(tǒng)的講解或者經(jīng)驗啊,目前只找到了手冊和說明書
2023-03-25 13:54:51

XRT7298IW

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-25 04:30:15

XRT7298IWTR

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-25 04:30:13

TJA1042T和TJA1042T/3之間有什么區(qū)別嗎?

一開始用的是TJA1042T,現(xiàn)在換成TJA1042T/3。除了EMC,還有什么特別需要測試的嗎?SPLIT 可以幫助穩(wěn)定總線上的隱性電壓電平,TJA1042T/3 沒有 SPLIT,這有什么區(qū)別嗎?
2023-03-24 07:43:40

已全部加載完成