IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
2024-03-13 11:46:21
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型號和規(guī)格，以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數(shù)的考慮，下面將詳細介紹這些參數(shù)。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的IGBT型號的額定電壓應(yīng)大于應(yīng)用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12253 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18177 
的CE電壓在到達最高點時刻之前，會有一個小尖峰，就是會先有一個極點然后再到達最大值，請問這是什么原因？是IGBT的驅(qū)動引起的還是其他什么原因，請具體解釋？
2024-02-21 20:12:42
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業(yè)控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點
2024-02-19 14:33:28472 聊聊什么是IGBT的膝電壓？ IGBT是一種半導體器件，常用于功率放大和電流控制應(yīng)用。作為一種開關(guān)器件，IGBT能夠在低驅(qū)動電壓下實現(xiàn)較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關(guān)鍵的特性之一，本文將對
2024-02-03 16:23:43286 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個開關(guān)器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45447 Vishay威世科技日前宣布，其光電子產(chǎn)品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費類電子應(yīng)用的效率和性能而設(shè)計。
2024-01-29 10:21:38283 。
產(chǎn)品特征
l 內(nèi)置150V高壓MOS
l 寬壓8V-120V輸入范圍
l 支持輸出電壓最低可調(diào)至3.3V
l 典型的1.5A持續(xù)電流及4A峰值瞬間電流
l 轉(zhuǎn)換效率最高可達95%
l 超低的待機功耗
2024-01-26 14:13:26
MOS管在DCDC恒壓/恒流電路中扮演著重要的角色。DCDC恒壓電路用于將一個直流電源的電壓轉(zhuǎn)換為另一個恒定的電壓輸出。DCDC恒流電路則用于將一個直流電源的電流轉(zhuǎn)換為另一個恒定的電流輸出。
MOS
2024-01-20 15:30:35
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率
2024-01-17 17:31:28126 
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率
2024-01-17 17:09:45150 
電壓和電流對電源濾波器是否具有影響？ 電壓和電流是電源濾波器中的兩個重要參數(shù)，它們對電源濾波器有著直接的影響。本文將詳細介紹電壓和電流對電源濾波器的影響，并探討它們之間的實際關(guān)系。 1. 電壓對電源
2024-01-11 16:38:30234 轉(zhuǎn)眼2024年的第一個周末了，也許只有到了隆冬，我們才會知道，我們身上有著一個不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時，我們聊了Hybrid(Si IGBT+SiC MOS
2024-01-07 09:35:17432 
使用LTC3112，輸入3.3V，輸出3.8V0.7A，怎么設(shè)計才能使電源轉(zhuǎn)換效率最高？有沒有仿真工具軟件可以在設(shè)計過程中仿真轉(zhuǎn)換效率和輸出紋波等參數(shù)？
2024-01-04 08:03:57
使用LTC4359，做負載開關(guān)控制，要具有防反充功能和完全斷開電壓功能，問題如下：
1.資料里寫明輸入最高電壓100V，可我需要輸入電壓DC400V，下圖是我的設(shè)計方案，這樣用有問題嗎？
我不確定
2024-01-04 07:31:47
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導體IGBT系列。
2024-01-03 13:41:09310 
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導體IGBT系列。
2024-01-03 11:44:30240 
。 首先，讓我們了解一下這兩種器件的簡單工作原理。MOS管，即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，由金屬柵、氧化物絕緣層和半導體基底構(gòu)成。通過在金屬柵上施加電壓來控制半導體中的電流。而IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種混合的MOS管和雙極型晶體
2023-12-19 09:25:161744 MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:43161 
MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列，同步整流線圖推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:17198 
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率
2023-12-18 09:40:221150 
、詳實、細致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱，中文稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT (雙極型三極管) 和MOS (絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。
2023-12-12 09:54:34659 
SL9008是一款內(nèi)置MOS管、具有PWM調(diào)光功能的LED降壓恒流芯片，適用于3.6-60V的輸入電壓范圍。它采用了先進的電路設(shè)計，確保了高效率和長壽命，同時具有寬電壓輸入范圍和優(yōu)異的負載調(diào)整率
2023-12-11 15:52:12
IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。
2023-12-08 09:27:10394 
Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:38785 上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
2023-12-01 10:20:11307 
分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單
2023-11-30 17:00:48519 
在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關(guān)系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
2023-11-29 15:09:43494 
分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33997 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機制
2023-11-29 14:19:08778 
在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)管）所構(gòu)成
2023-11-29 14:08:04547 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:37:15
4 承受所需的功率和電流。一般來說，功率較大的直流穩(wěn)壓電源需要選擇功率較高的MOS管，以確保其正常工作。 2.電壓能力：MOS管的耐壓能力也是選擇的重要考慮因素之一。直流穩(wěn)壓電源中，輸出電壓通常比輸入電壓高，因此選擇的MOS管需要具備足夠的耐壓能
2023-11-16 14:39:26481 、高效率、高可靠性等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種電源、電機控制、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。本文將介紹一款具有內(nèi)置MOS管、電流能力2.5A、耐壓40V的SL3061芯片，并探討其是否可以替代芯龍XL1509系列。
一
2023-11-13 15:24:19
Abracon 超級電容
Supercapacitor
Abracon推出全新的5.5V 紐扣式超級電容和電壓高達7.5V EDLC串聯(lián)超級電容器模組。相比現(xiàn)有的2.7V和3V 超級電容
2023-11-06 14:18:58
是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型DC-DC，芯片內(nèi)置100V/5A功率MOS，最高輸入電壓90V。SL3036具有低待機功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率等特性。支持大電流輸出，輸出
2023-10-25 17:45:15
。 MOS管為什么需要電源啟動？ MOS管是一種主動元件，需要在電路中特定的工作環(huán)境下才能正常工作，否則將無法實現(xiàn)所需的功能。所以，為了確保MOS管在工作時能夠正常運行，必須通過電源的啟動來確保MOS管引腳接收到正確的電壓信號。只有在發(fā)
2023-10-24 10:11:04716 IGBT在控制極上加正電壓可以控制導通，電壓為0時可以讓其關(guān)斷，那么加一個反壓呢？IGBT會是什么情況？ 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及反壓對其產(chǎn)生
2023-10-19 17:08:11860 IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動的P型BJT。
2023-10-18 10:28:072717 
，推出了系列化的滿足工業(yè)應(yīng)用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于白色家電、逆變焊機、工業(yè)變頻、感應(yīng)
2023-10-16 11:00:14
體，IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關(guān)器件，可用于多種
2023-10-16 10:28:541213 
反激式電源MOS管漏極開機瞬間尖峰電壓很大，如何解決？
本電源設(shè)計輸入范圍直流30V---700V，輸出電壓11V/100mA，反射電壓80v，實測變壓器漏感<15uH
以下波形測試
2023-10-09 23:06:47
的控制要求。
2、IGBT驅(qū)動IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負壓驅(qū)動，兩者的區(qū)別在于關(guān)斷時的門極電位。采用負壓關(guān)斷可以避免因米勒電容
2023-10-07 17:00:40
AH8788A是一款集成同步開關(guān)的降壓轉(zhuǎn)換器，提供解決方案適用于車載充電器、快充適配器和智能排插。AH8788A內(nèi)置功率MOS，輸入電壓范圍為9.6V到32V，輸出電壓范圍為3V到12V，-大可
2023-09-27 11:07:50
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達600多伏。
我調(diào)整了一下RCD電路，比如增大原來的470pf電容到1.88nf，繼續(xù)增大尖峰就不再下降了，電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
MOS管在服務(wù)器電源上的應(yīng)用——PFC與全橋式LLC電路，推薦瑞森半導體-超結(jié)MOS系列；DC/DC同步整流SR線路，推薦瑞森半導體-低壓MOS系列。
2023-09-21 11:25:57546 
MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里來的？? MOS管中的橫向BJT是一種重要的結(jié)構(gòu)，它能夠起到放大信號的作用，也被廣泛應(yīng)用于邏輯電路中。對于MOS管中的橫向BJT來說，其基極電壓對于整個結(jié)構(gòu)
2023-09-18 18:20:42691 怎么選擇MOS管的尺寸大小和電壓？? MOS管是現(xiàn)代電子電路中應(yīng)用最廣泛的一種電子元件，其應(yīng)用范圍涉及到許多領(lǐng)域，比如說電源管理、信號處理、開關(guān)控制等等。而在選擇MOS管的時候，尺寸大小和電壓是我們
2023-09-17 16:44:492458 IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 近年來，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41907 
MOS管（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動電壓降低可能會受到以下因素的影響
2023-09-05 09:48:15618 TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調(diào)制載波輸出功能，適用于代碼學習應(yīng)用，供電電壓范圍2.0 V至5.5
2023-09-04 15:31:00463 
MOS開啟電壓一般為多少？ MOS（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）是一種常見而重要的半導體器件。在電子行業(yè)中，MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計、功率放大、數(shù)字信號處理、高速數(shù)據(jù)傳輸和電子設(shè)備控制等方面
2023-09-02 11:14:045913 等性能，被廣泛應(yīng)用于音頻、視頻、通訊、電源等領(lǐng)域。 MOS管是一種半導體器件，包括源極、柵極、漏極三個電極。其工作原理是通過柵極施加電壓，控制源漏流的大小，從而實現(xiàn)信號放大或開關(guān)控制。當柵極施加電壓時，會形成電場，控制電荷的移動
2023-09-02 10:05:211757 igbt和mos管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:013217 設(shè)計用于驅(qū)動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅(qū)動器IC
?軌到軌輸出
?保護功能
?浮動高側(cè)驅(qū)動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
管型號大全，供讀者參考。 1. IRF510: 這是一款N溝道MOS場效應(yīng)管，主要應(yīng)用于低電壓、低功率的開關(guān)電源中。其最大漏極電壓為100V，最大漏電流為5.6A，可靠性高、性價比較高。 2. IRF540: 這也是一款N溝道MOS管，具有較高的開關(guān)速度和較低的導通電阻，適用于
2023-08-18 14:35:337571 在 IGBT驅(qū)動電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔著接受控制系統(tǒng)信號并傳輸信號，確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅(qū)動板由IGBT驅(qū)動芯片、驅(qū)動外圍電路、驅(qū)動輔
2023-08-04 17:35:03609 如圖，MOS管剛啟動時波形會從5V降到3點多V，后面慢慢又會升回正常的5V，請問是什么原因?qū)е?b class="flag-6" style="color: red">電壓掉落的？我MOS管就驅(qū)動一個電機。
2023-08-01 11:02:55
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅(qū)動的話，請問去驅(qū)動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。
2023-07-13 11:03:24268 
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導體器件，且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 09:15:451486 
。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅(qū)動（例如
2023-07-05 16:34:291053 在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候，在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。
2023-07-01 16:06:29492 
IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合，由于會導致?lián)p壞的危險，因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點請注意。
2023-06-30 09:19:221150 當MOS管關(guān)斷之后，在DCM工作條件下的Vds電壓變化展示如下圖所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是開關(guān)電源的輸入電壓，而Vor就是反射電壓。
2023-06-25 15:15:232990 
雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會控制MOS管導通。
2023-06-25 14:49:24759 
摘要：CM3003是一款高性價比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動器芯片，具有邏輯信號輸入處理、欠壓保護、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動等功能。該芯片適用于無刷電機控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動電路
2023-06-08 14:32:41706 
引言：MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負載開關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強型MOS為示例。MOS驅(qū)動電路的基本要求包括：對柵極施加足夠高于Vth的電壓的能力，以及對輸入電容進行足夠充電的驅(qū)動能力，本節(jié)介紹MOS的驅(qū)動電路示例。
2023-06-08 11:55:599243 
摘要：前兩天同學做了一個電路，功能就是用MOS管來控制一個電源的開關(guān),但是做出來后發(fā)現(xiàn)不能用控制MOS管的開關(guān)，MOS管一直處于導通狀態(tài)。一起來看看到底是什么原因？
2023-06-06 10:36:522845 
mos管漏極電壓8V,柵極電壓9V，仍低于源極12V電壓，持續(xù)導通。現(xiàn)電路板出現(xiàn)故障后，柵極電壓上升很快，達到11.7V，mos管截止，造成漏極無電壓輸出，達不到輸出供電效果。請教大神們講解下此電路原理，最有可能出錯的地方？mos管和運放經(jīng)過單獨驗證，是正常的
2023-06-05 22:50:12
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置柵極驅(qū)動器，可斷開負載。 PL30502集成了兩個低導通電阻功率FET：一個7mΩ的開關(guān)FET和一個7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09
一般情況下，常見的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會在Datasheet中被提及到，這是因為IGBT通常會反并聯(lián)續(xù)流二極管
2023-05-25 17:21:031068 
IGBT導通后，電源1000V，電阻100Ω，仿真出電路電流10A（如圖1、圖2），這個沒問題。但電源1000V，電阻10Ω，仿真出電流為什么不是100A（如圖3、圖4）？是IGBT引起的嗎？
圖1
圖2
圖3
圖4
2023-05-25 11:47:38
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車載充電機、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
2023-05-22 08:59:39700 
和PD3.1PHY，支持PD3.1、BC1.2規(guī)范、UFCS以及多種主流的DPDM快充協(xié)議。最高可支持32V電壓輸入和輸出。主要應(yīng)用于筆記本電腦、顯示器、移動電源、快充適配器等領(lǐng)域。2.規(guī)格?系統(tǒng)控制?C
2023-05-18 22:49:2529 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車載充電機、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
2023-05-18 16:32:20585 
igbt在電動汽車上的作用 IGBT是一種由控制電路控制、是否導電的半導體；由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件；IGBT使電源品質(zhì)好、效率高
2023-05-17 15:15:191316 igbt和mos管的優(yōu)缺點 在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路
2023-05-17 15:11:541041 在開關(guān)電源里MOS導通時D—S之間的電壓為什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
便攜式儲能電源MOS管應(yīng)用，主逆變儲能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 10:13:57397 
便攜式儲能電源MOS管應(yīng)用，主逆變儲能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 09:00:51554 
初步的了解了以上的關(guān)于MOS管的一些知識后，一般的就可以簡單的分析，采用MOS管開關(guān)電源的電路了。
2023-03-27 13:54:154040 概述OC5802L 是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型 DC-DC，芯片內(nèi)置 60V/5A 功率 MOS，支持最高輸入電壓 55V。OC5802L 具有低待機功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率
2023-03-24 11:35:11
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