和復(fù)位即可，輸出是控制 LED 的亮滅，盤古 PGX-MINI 4K 板卡上共有 8 個(gè) LED，故而輸出 8bit 位寬的信號(hào)；設(shè)計(jì)一個(gè)計(jì)數(shù)器； 單個(gè)狀態(tài)計(jì)數(shù) 25000000，1 個(gè)亮滅周期的計(jì)數(shù)即為
2024-03-22 11:27:30
目前使用的是STM32L0系列芯片，采用tim6上升沿觸發(fā)使ADC采樣，但把定時(shí)器頻率配為4K后，采樣周期不對(duì)，首先想問tim6的時(shí)鐘源來自哪，其次是這個(gè)定時(shí)器頻率與采樣頻率的關(guān)系與計(jì)算，可以確認(rèn)采樣時(shí)間是大于轉(zhuǎn)換時(shí)間的
2024-03-20 06:18:18
盤古PGX-Mini 4K開發(fā)板，目前來說是一款性價(jià)比比較高的開發(fā)板，他用來入門FPGA怎么樣？
2024-03-16 07:17:45
IBUTTON 4KB PLUS TIME MEMORY CAN
2024-03-14 21:40:43
–高達(dá)2 MB的閃存可整理成允許邊寫邊讀的兩個(gè)存儲(chǔ)體
–高達(dá)256+4 KB的SRAM，包括64-KBCCM（核心耦合存儲(chǔ)器）數(shù)據(jù)RAM
–靈活的外部存儲(chǔ)器控制器，具有到32位數(shù)據(jù)總線：SRAM
2024-03-12 09:39:01
想入門盤古PGX-Mini 4K開發(fā)板，大佬可以分享一些學(xué)習(xí)資料嗎？
2024-03-04 12:51:51
盤古PGX-Mini 4K開發(fā)板，如何入門，教學(xué)資料在哪里下載
2024-03-03 08:27:37
磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在智能車載終端（T-BOX）中的應(yīng)用方案
2024-03-02 10:08:50
95 
VS034 PCie X4 X16 環(huán)出HDMI 游戲直播4K電腦內(nèi)置采集卡 .主機(jī)接口：PC1E2.0X420Gbps傳輸帶寬 ·音頻：直播設(shè)備/電腦音頻
2024-02-23 13:55:47
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
。
0x0000 0xXXXX NOP指令0會(huì)通過SDO輸出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的內(nèi)容。如果位C3 = 1，則熔絲編程命令成功。
這么做讀出的是控制寄存器的內(nèi)容，而不是存儲(chǔ)器的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
為每個(gè)可用的系統(tǒng)或時(shí)鐘存儲(chǔ)器位自動(dòng)創(chuàng)建PLC標(biāo)記。
2023-11-05 16:56:021280 
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS9481R200:USB-to-1-電線/iButton 1.8V 適應(yīng)器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS9481R200:USB-to-1-電線
2023-10-09 19:10:15
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
°C ~ +85°C
? 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)：
- CW24C02A，256 × 8 (2K 位)
- CW24C04A，512 × 8 (4K 位)
- CW24C08A，1024 × 8 (8K 位
2023-09-15 06:53:34
)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
本參考手冊(cè)面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20413 
HC89S105A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設(shè)計(jì)開發(fā)的增強(qiáng)型 8 位單片機(jī)，內(nèi)部最多 64K Bytes FLASH 程序存儲(chǔ)器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 15:11:21
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
iButton? 1K位只添加(DS1982)是一種堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，可以識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品或攜帶者的相關(guān)信息。該信息可以通過最少的硬件訪問，例如微控制器的一個(gè)端口引腳
2023-07-21 14:30:41
帶有SHA-1功能iButton?金融器件(DS1963S)具有4k位讀/寫數(shù)據(jù)區(qū)，通過簡單硬件就可完成數(shù)據(jù)讀寫。它的NV存儲(chǔ)器可根據(jù)需要建立公用數(shù)據(jù)和器件持有者或應(yīng)用環(huán)境的私有數(shù)據(jù)微數(shù)據(jù)庫。其片內(nèi)
2023-07-21 14:27:02
DS1961S在堅(jiān)固的iButton?器件內(nèi)集成了1024位EEPROM、64位密鑰、一個(gè)8字節(jié)的寄存器/控制頁(其中包含五個(gè)用戶讀/寫字節(jié))、512位SHA-1引擎和一個(gè)全功能的1-Wire?接口
2023-07-21 14:22:37
復(fù)制到EEPROM存儲(chǔ)器。該器件的特點(diǎn)是四個(gè)存儲(chǔ)頁面相互獨(dú)立，可以單獨(dú)進(jìn)行寫保護(hù)或進(jìn)入EPROM仿真模式，在該模式下，所有位的狀態(tài)只能從1變成0。DS1972通過一
2023-07-21 14:14:45
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS3600為帶有64字節(jié)SRAM的安全監(jiān)控電路，適用于要求安全存儲(chǔ)密鑰的應(yīng)用，包括POS終端。64B的密鑰存儲(chǔ)器在后臺(tái)持續(xù)檢測氧化效應(yīng)和內(nèi)存抄印。一旦檢測到篡改行為，將迅速清除密鑰存儲(chǔ)器，并產(chǎn)生負(fù)
2023-07-14 15:38:23
DS5002FP安全微處理器是DS5001FP 128k柔性微處理器的加密版。除了具有和DS5001FP一樣經(jīng)過擴(kuò)充的存儲(chǔ)器和I/O外，安全微處理器還集成了最先進(jìn)的加密功能。DS5002FP包括一套
2023-07-14 14:51:21
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 10:47:05
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 09:24:23
Thermochron? iButton?器件(DS1921G)是一種堅(jiān)固的自主系統(tǒng)，它測量溫度并將結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器單元中。它以用戶定義的速率記錄溫度，包括直接溫度值和直方圖。器件
2023-07-14 09:22:01
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位讀數(shù)或4096個(gè)16
2023-07-14 09:18:41
iButton?溫度記錄器(DS1922E)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的速率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096
2023-07-14 09:16:40
iButton?溫度記錄器(DS1925)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，可以測量溫度并將結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器中。記錄數(shù)據(jù)的頻率由用戶定義?？偣部梢?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)122K 8位數(shù)據(jù)記錄或61K 16位數(shù)據(jù)記錄
2023-07-14 09:11:23
器件帶有唯一的64位ROM注冊(cè)碼(ROM ID)，由工廠刻入芯片。每次可向存儲(chǔ)器寫入4個(gè)字節(jié)，安全的低成本工廠編程服務(wù)可對(duì)器件數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)編程，這也包括SHA-1安
2023-07-13 17:36:04
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
帶存儲(chǔ)器的雙路可尋址開關(guān)DS2406提供了一種簡便的方法，通過1-Wire?總線遠(yuǎn)程控制一對(duì)漏極開路晶體管和回讀每個(gè)晶體管的邏輯電平，從而實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。每個(gè)DS2406都具有工廠刻度在片內(nèi)的64位
2023-07-13 16:16:25
DS2505為16k位只添加存儲(chǔ)器，可以識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問，例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊(cè)碼，其中包括：48位
2023-07-13 16:14:03
DS2433是一款4K位1-Wire? EEPROM，用于識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問，例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2433帶有一個(gè)由工廠刻度的注冊(cè)碼
2023-07-13 16:01:33
DS2502-E48是DS2502 (1024位只加存儲(chǔ)器)的一個(gè)變種。它與標(biāo)準(zhǔn)DS2502的不同之處在于其用戶化ROM的家族碼為89h，在標(biāo)準(zhǔn)ROM序列號(hào)區(qū)的高12位為UniqueWare?標(biāo)識(shí)符
2023-07-13 15:56:50
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453771 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
DS3112具有六種不同的發(fā)送時(shí)鐘和六種不同的接收時(shí)鐘類型：發(fā)送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時(shí)鐘，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時(shí)鐘。由于電路中同一級(jí)的時(shí)鐘具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
4 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲(chǔ)器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 Exoplayer 開發(fā)的播放器，硬解碼4K 60FPS 265編碼，視頻掉幀
用安卓自帶的播放其，不會(huì)掉幀
開發(fā)調(diào)用的omx標(biāo)準(zhǔn)庫。有沒有各位遇到過類似的問題，要怎么解決
2023-05-25 14:38:52
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
占用了 4K 的關(guān)鍵 RAM，維護(hù)人員努力工作以使其成為標(biāo)準(zhǔn)核心的一部分。
這是一個(gè)大問題，因?yàn)?ESP8266 的大多數(shù)重要用途（例如使用 BearSSL）需要大量可用 RAM，而 4K 是其中的很大
2023-05-19 10:10:25
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0內(nèi)核，帶有存儲(chǔ)器保護(hù)單元。最高支持48MHz系統(tǒng)時(shí)鐘頻率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
我正在使用帶有 yocto linux 的 i.MX8 qm 板。
我已經(jīng)閃現(xiàn)了 NXP 提供的預(yù)構(gòu)建 yocto 圖像（imx-image-multimedia-imx8qmmek.wic.zst）
我已經(jīng)連接了 4k Dart BCON 相機(jī)
但我無法訪問相機(jī)，有人可以就此問題提出建議或指導(dǎo)我。
2023-05-06 08:09:50
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
字節(jié)和 192K字節(jié))和高達(dá) 4K字節(jié)的后備 SRAM，以及大量連至2條APB總線、3條AHB總線和1個(gè)32位多AHB總線矩陣的增強(qiáng)型I/O與外設(shè)。所有型號(hào)均帶有3個(gè)12位 ADC、2個(gè) DAC、1個(gè)
2023-04-20 18:11:37
字節(jié)和 192K字節(jié))和高達(dá) 4K字節(jié)的后備 SRAM，以及大量連至2條APB總線、3條AHB總線和1個(gè)32位多AHB總線矩陣的增強(qiáng)型I/O與外設(shè)。所有型號(hào)均帶有3個(gè)12位 ADC、2個(gè) DAC、1個(gè)
2023-04-19 21:13:57
和 SRAM的容量分別高達(dá) 1M字節(jié)和 192K字節(jié))和高達(dá) 4K字節(jié)的后備 SRAM，以及大量連至2條APB總線、3條AHB總線和1個(gè)32位多AHB總線矩陣的增強(qiáng)型I/O與外設(shè)。所有型號(hào)均帶有3個(gè)12位
2023-04-19 18:49:37
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
我正在使用 S32KDS 來配置 S32K144 的時(shí)鐘。 當(dāng) SOSC 范圍選擇為中等時(shí)，我嘗試將 SOSC 頻率設(shè)置為4 MHz。但是存在錯(cuò)誤（如圖所示）。它說“輸出頻率必須在范圍內(nèi)：8 MHz
2023-04-14 06:41:45
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時(shí)時(shí)鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲(chǔ)器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile 存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 時(shí)鐘頻率：- 技術(shù)：NAND Flash 存儲(chǔ)器接口類型：- 存儲(chǔ)器容量：4Gb
2023-03-24 15:09:04
存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile 存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 時(shí)鐘頻率：- 技術(shù)：NAND Flash 存儲(chǔ)器接口類型：- 存儲(chǔ)器容量：8Gb
2023-03-24 15:09:04
產(chǎn)品介紹—— 新一代4K級(jí)別大視野高分辨率連續(xù)變倍鏡頭。與傳統(tǒng)變焦系統(tǒng)相比，視野大小提升1.45X以上。 這款4K同軸定格變倍鏡頭，采用精密光路設(shè)計(jì)，具有大倍率
2023-03-23 11:01:44
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論