英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 一端的溫度、T2為物體另一端熱源的溫度，P 為熱源的功率。適用于 一維、穩(wěn)態(tài)、無(wú)內(nèi)熱源的情況下的熱阻。在近似分析中，我們依然可以參照此式。 簡(jiǎn)單的說(shuō)， 熱阻 Rth就是描述阻礙散熱的物理量，熱阻越大
2024-03-13 07:01:48
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場(chǎng)截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿。
2024-03-01 09:53:53163 英飛凌為基于CYW43012的設(shè)計(jì)降低功率峰值提供了哪些指導(dǎo)。
開機(jī)和喚醒時(shí)似乎出現(xiàn)浪涌功率峰值。
基于 CYW43012 的模塊似乎需要大約 600ma-700mA 的峰值電流消耗。
是否有偏移或序列函數(shù)的選項(xiàng)，這些函數(shù)需要較大的浪涌才能將峰值電流限制在 500mA 以內(nèi)？
2024-02-29 07:34:38
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
表面絕緣阻抗是指表面材料在電場(chǎng)中對(duì)電流的阻礙程度，通常用于衡量一個(gè)材料的絕緣性能。當(dāng)三防漆噴涂在某個(gè)表面后，如果這個(gè)表面的絕緣阻抗降低，意味著三防漆涂層并未提供預(yù)期的絕緣保護(hù)，可能存在電流在這個(gè)表面上的穿透或泄漏的問(wèn)題。
2024-01-12 09:45:49293 等大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對(duì)功率器件的可靠性要求很高，為此，針對(duì)自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評(píng)估技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了高溫
2024-01-04 09:41:54593 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電機(jī)的
熱繼電器的電流設(shè)置是電機(jī)額電
功率的多少倍?。?/div>
2023-12-19 08:18:44
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
性能提升，功耗降低！，這樣的MOSFET是你的最愛么？
2023-12-04 15:09:36114 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
隨著車載電子設(shè)備越來(lái)越多，功耗問(wèn)題變得日趨嚴(yán)重。例如，如果音頻功率放大器的靜態(tài)電流達(dá)到200ma，則采用12v電源時(shí)靜態(tài)功耗就高達(dá)2.4w。有沒(méi)有一種方法能開機(jī)但不需要揚(yáng)聲器發(fā)出聲音的時(shí)候，關(guān)閉放大器來(lái)降低功耗？
2023-11-29 08:14:15
電機(jī)熱功率應(yīng)該如何計(jì)算呢？
強(qiáng)制風(fēng)冷的選型如何選擇呢？和電機(jī)的熱功率又有什么樣的聯(lián)系呢？
2023-11-24 06:54:24
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對(duì)于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
的性能，限制了其在一些特定應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪聲是非常重要的。 1. 優(yōu)化器件結(jié)構(gòu) MOSFET的1/f噪聲來(lái)源于復(fù)雜的表面效應(yīng)。為了減小這種噪聲，可以從優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的角度入手。一種方法是增加器件面積。隨著面積的增加，器件中的1/f噪聲相對(duì)于總噪聲
2023-09-17 17:17:361208 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國(guó)慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
閃爍噪聲，也稱為1/f噪聲，是由于導(dǎo)體接觸點(diǎn)電導(dǎo)的隨機(jī)漲落引起的。在低頻區(qū)域，這種噪聲功率譜密度與頻率成反比，因此，它對(duì)電路的影響可能更加顯著。
在RF振蕩器中，閃爍噪聲尤其可能占主導(dǎo)地位。這可
2023-09-01 16:59:12
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
據(jù)介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
..........................................................................................................................................17
6 MOSFET 的放置和功率級(jí)布線
2023-08-11 17:16:13
采用 SOP8 封裝，且外圍元器件少。
特點(diǎn)
1.5A 的最大輸出電流
60V/2A 的內(nèi)部功率 MOSFET
效率高達(dá) 93%
頻率可調(diào)
熱關(guān)斷
逐周期過(guò)流保護(hù)
寬輸入電壓范圍：6~60V
采用 SOP8 封裝
應(yīng)用
分布式電源系統(tǒng)
電池充電器
工業(yè)電源系統(tǒng)
行車記錄儀，車載充電器，掃地機(jī)
2023-07-29 14:13:39
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確?？煽窟\(yùn)行.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 16:07:11
0 在過(guò)去的幾年里，MOSFET已經(jīng)成為功率開關(guān)的首選器件應(yīng)用程序。雖然導(dǎo)通電阻顯著降低，但它們通常需要驅(qū)動(dòng)器級(jí)以獲得最佳性能，特別是當(dāng)由低電壓、低電流源驅(qū)動(dòng)時(shí)。這就是雙極晶體管固有優(yōu)勢(shì)的優(yōu)勢(shì)所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
電池到系統(tǒng)（BAT-to-SYS）連接阻抗至關(guān)重要，它通過(guò)減少裕量和功耗來(lái)影響電池運(yùn)行時(shí)間。外部調(diào)整管可將阻抗降低 50% 以上。本應(yīng)用筆記給出了MAX8662電源管理IC的智能電源選擇器功能，可驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，以降低開關(guān)電阻和功耗。顯示性能數(shù)據(jù)。
2023-06-25 14:26:07245 
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:35:01
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 10:37:54
引言：電阻器可施加的最大功率會(huì)隨著溫度而變化，但以往大多不考慮電阻器的溫度，僅通過(guò)“電阻器負(fù)載功率在額定功率的30％以內(nèi)”等條件來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)，在引腳型電阻器為主流的時(shí)代，即使使用這樣的設(shè)計(jì)，在產(chǎn)品
2023-06-14 16:53:00916 
【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
在測(cè)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)在NFC TX過(guò)程中，主板的GND 有干擾。
VBAT 和 VDD(up) 都連接到電池。
有什么辦法可以改善嗎？
降低發(fā)射功率有用嗎？
如何通過(guò)軟件或硬件降低TX功率？
2023-05-18 08:34:45
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我想降低有源和 LPCD 模式下的射頻功率，以減少讀取范圍和功耗。我目前正在讀取 70mm 的 ISO 卡。
當(dāng)前配置如下：
我想我應(yīng)該降低 VDDPA，但有很多與此相關(guān)的設(shè)置。
TXLDO_VDDPA_MAX_RDR（0008h）設(shè)置為3V3，但讀取范圍相同。
我應(yīng)該觸摸哪些鍵設(shè)置？
2023-04-28 07:24:02
污染物，從而阻止了活化反應(yīng)的發(fā)生。在熱的化學(xué)鎳溶液中，會(huì)產(chǎn)生氫氣釋放出焊料掩膜單體。然后，它禁止化學(xué)鎳的反應(yīng)并破壞化學(xué)平衡。
原因2：阻焊層不良的表面會(huì)導(dǎo)致焊盤表面劣化。
原因3：填充在微通孔中
2023-04-24 16:07:02
如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度。將要考查的因素包括： ?外殼材料和外殼表面處理 ?上殼，下殼和周圍的內(nèi)部間距PCB ?PCB的底部冷卻（即PCB的底部表面與外殼的內(nèi)部表面接觸
2023-04-21 15:19:53
的拋光鋁外殼，由于鋁是良好的導(dǎo)熱體，輻射交換差，其效果更為顯著； l 陽(yáng)極化鋁材料的溫度變化介于前兩組結(jié)果之間。這是因?yàn)?，雖然鋁具有良好的導(dǎo)熱性，但陽(yáng)極化鋁的表面性質(zhì)允許良好的輻射換熱； l 并排地看
2023-04-21 15:00:28
如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度。將要考查的因素包括： ?外殼材料和外殼表面處理 ?上殼，下殼和周圍的內(nèi)部間距PCB ?PCB的底部冷卻（即PCB的底部表面與外殼的內(nèi)部表面接觸
2023-04-20 17:08:27
器件的系統(tǒng)時(shí)，電路設(shè)計(jì)人員應(yīng)該注意以下的熱因素： l 即使完全打開，MOSFET也會(huì)因?yàn)镮2.R而耗散功率。（RDS（on）為器件導(dǎo)通電阻） l I2.RDS（on）損失將導(dǎo)致器件和其他地方的溫度
2023-04-20 16:49:55
PCB阻焊油墨根據(jù)固化方式，阻焊油墨有感光顯影型的油墨，有熱固化的熱固油墨，還有UV光固化的UV油墨。而根據(jù)板材分類，又有PCB硬板阻焊油墨，F(xiàn)PC軟板阻焊油墨，還有鋁基板阻焊油墨，鋁基板油墨也
2023-04-19 10:07:46
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021248 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單，但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。下面我會(huì)花一點(diǎn)時(shí)間，一點(diǎn)點(diǎn)來(lái)解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-18 09:19:31600 像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512 
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC58640.9Q 的內(nèi)部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
顯影不良，降低解像度；預(yù)烘時(shí)間過(guò)短，或溫度過(guò)低，在曝光時(shí)會(huì)粘連底片，在顯影時(shí)，阻焊膜會(huì)受到碳酸鈉溶液的侵蝕，引起表面失去光澤或阻焊膜膨脹脫落?！ ?、曝光 曝光是整個(gè)工藝過(guò)程的關(guān)鍵。如果曝光
2023-03-31 15:13:51
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