英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181427 
全球知名的電子元器件授權(quán)代理商富昌電子（Future Electronics）為測(cè)試設(shè)備應(yīng)用推介來自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物鉭電容，旨在滿足測(cè)試設(shè)備應(yīng)用對(duì)高性能元件的需求。
2024-03-18 18:14:10680 
日前，Vishay 宣布，推出適于 IrDA 應(yīng)用的升級(jí)版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29125 碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。
2024-03-12 09:33:26239 
日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設(shè)計(jì)。這一系列熱敏電阻在25°C時(shí)阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18177 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
Vishay近日宣布推出升級(jí)版的TSOP18xx、TSOP58xx和TSSP5xx系列紅外(IR)接收器模塊，這些模塊經(jīng)過優(yōu)化，適用于遙控、接近探測(cè)和光幕應(yīng)用。
2024-02-01 14:06:54178 日前，Vishay光電子產(chǎn)品部宣布推出全新全集成接近傳感器，旨在提高消費(fèi)類電子應(yīng)用的效率和性能。這款新傳感器采用了先進(jìn)的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)性能提升，使其成為空間受限、電池供電應(yīng)用的理想選擇。
2024-02-01 14:00:37180 Vishay近日宣布推出一款全新的可見光敏感度增強(qiáng)型高速硅PIN光電二極管，以擴(kuò)充其光電二極管產(chǎn)品組合。這款光電二極管型號(hào)為VEMD2704，采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm頂視表面貼裝封裝，具有卓越的感光性能和快速的開關(guān)時(shí)間。
2024-02-01 13:58:23273 漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡(jiǎn)稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別。 首先，讓我們一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:45300 Vishay威世科技日前宣布，其光電子產(chǎn)品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費(fèi)類電子應(yīng)用的效率和性能而設(shè)計(jì)。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 MALVER N 、中國 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其光電子產(chǎn)品部推出全集
2024-01-26 15:45:36925 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
日前，Vishay 推出適合遙控、接近探測(cè)和光幕應(yīng)用的升級(jí)版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列紅外 ( IR ) 接收器模塊。增強(qiáng)型解決方案采用 Minicast 封裝
2024-01-19 16:41:23532 請(qǐng)問一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET為什么需要各擺2顆MOSFET,主要用途為何?為什么需要DL/DH需要各擺2顆?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
采用了LTC3789推薦電路設(shè)計(jì)的一款12V電源，該電源用于整車上，輸入電源即為蓄電池（7－16V），在GND采用了MOSFET作為防反接，負(fù)載為2－3R加熱線，采用200HZ的PWM控制，但是
2024-01-05 07:30:21
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
MOSFET的并聯(lián)使用
2023-12-19 09:40:33308 
目前想設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動(dòng)方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關(guān)斷，帶負(fù)載時(shí)GS極始終存在4V電壓無法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時(shí)，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。
2023-12-08 09:27:10394 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Vishay創(chuàng)新型二極管在汽車電子中的應(yīng)用.rar》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 10:00:17
0 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 國產(chǎn)新風(fēng)尚！WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01231 
金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時(shí)電子指南將詳述這類晶體管的工作機(jī)制，并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOSFET類型的實(shí)用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 管輸入端(柵極)的驅(qū)動(dòng)電路要比雙極型晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單得多。而且MOSFET管沒有存儲(chǔ)時(shí)間，就避免了復(fù)雜的 Baker 鉗位電路和比例基極驅(qū)動(dòng)電路。另外，雙極型晶體管β值在制造過程中可能相差達(dá)4
2023-09-28 06:33:09
V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器，用來提高負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時(shí)的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出三款適用于遙控系統(tǒng)的新系列微型紅外（IR）傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡
2023-09-04 15:31:00463 
— 2023 年 8 月 17 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)整流器與瞬變電壓抑制器（TVS
2023-08-18 15:30:38475 
2023 年8 月18 日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對(duì)汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的產(chǎn)品
2023-08-18 14:56:07372 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
Vishay 推出一種用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)和移動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域的新型反射式光傳感器。
2023-08-11 12:32:58538 OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在 6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A 最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號(hào)開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 Vishay 推出兩款新型固定增益紅外(IR)傳感器模塊，降低成本并提高室外傳感器應(yīng)用穩(wěn)定性。表面貼裝式 TSSP93038DF1PZA 和引線式 TSSP93038SS1ZA 采用小型 Minimold 封裝，典型光照強(qiáng)度為 1.3 mW/m2，可在陽光直射下穩(wěn)定工作，同時(shí)感光度足以支持光柵應(yīng)用。
2023-07-07 10:26:28415 Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面貼裝溝槽式 MOS 勢(shì)壘肖特基（TMBS）整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A 封裝。VxNL63
2023-07-07 10:24:59653 
日前發(fā)布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封裝，占位面積3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度僅為
2023-07-07 10:00:39447 
Q A 問： Vishay熱敏電阻的計(jì)算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計(jì)算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個(gè)電阻-溫度表。此免費(fèi)工具可下載到任何一臺(tái)
2023-07-05 20:05:09295 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型固定增益紅外（IR）傳感器
2023-06-29 09:37:12404 Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復(fù)整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay?Draloric RCS0805 e3 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 節(jié)省電路板空間的同時(shí) 減少元器件數(shù)量 降低加工成本 Vishay? 推出加強(qiáng)版 0805 封裝抗浪涌厚膜電阻器
2023-06-21 11:56:03631 
Vishay?Techno CDMA 系列電阻 節(jié)省空間型器件采用小型 2512 封裝 工作電壓達(dá) 1415 V 適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用 Vishay? 推出新系列小型 2512 封裝汽車級(jí)厚膜片
2023-06-21 07:40:00525 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級(jí) 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
? 推出新系列汽車級(jí) vPolyTan 表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器。 通過 AEC-Q200 認(rèn)證的 Vishay Polytech T51 系列 電容器提高了高溫高濕工作條件下的性能，降低了等效
2023-06-21 06:10:00529 
Vishay 的 WSL 系列采樣電阻采用全合金設(shè)計(jì)，功率可達(dá) 15W，同時(shí)具有低于 20ppm 的溫漂系數(shù)，以及低于 3 微伏每攝氏度的熱電動(dòng)勢(shì)系數(shù)，此外我們還提供四端子設(shè)計(jì)以幫助客戶提高電流檢測(cè)精度和長期可靠性。
2023-06-14 14:39:01361 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
2023-06-08 19:55:02374 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達(dá) 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強(qiáng)型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合
2023-05-24 17:09:59684 
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這意味著它通過使用電場(chǎng)來控制電流。MOSFET 通常有三個(gè)端子：柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導(dǎo)的電流通過施加到柵極的電壓進(jìn)行控制
2023-05-24 11:19:06720 MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場(chǎng)革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計(jì)似乎是不可能的。
2023-05-08 09:43:17304 
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC58640.9Q 的內(nèi)部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出加強(qiáng)版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達(dá)0.5
2023-03-29 17:00:06694 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論