在雙電源±15
V的供電的狀態(tài)下，ADG1408的模擬通道能輸入
30V（相對(duì)GND）的模擬電壓?jiǎn)幔?/div>
2024-01-05 12:57:40
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49
362 
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：2.4V- 封裝：TO251**詳細(xì)參數(shù)說明：**FQU30N06L-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為60V，最大電流為25
2023-12-20 10:55:14
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介:FQD30N06-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET，適用于廣泛的高電壓和高電流
2023-12-19 11:37:24
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介:4N06L30-VB是一款N溝道功率MOSFET，適用于各種高功率和高電壓應(yīng)用。這款器
2023-12-19 11:22:53
型號(hào)：AO4446-VB絲?。篤BA1311品牌：VBsemi參數(shù)說明：- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動(dòng)，通常用于不同類型的應(yīng)用，如電源開關(guān)等。- **工作
2023-12-19 10:43:33
**品牌：** VBsemi**參數(shù)：**- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V,
2023-12-16 10:29:41
該型號(hào)AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET，具有30V電壓、6.5A電流的額定參數(shù)。其RDS(ON)在10V下為30mΩ，在4.5V下為33mΩ，適用于20V的門源
2023-12-13 14:59:03
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)參數(shù)說明：極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：6.5A；導(dǎo)通電阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs
2023-12-09 15:00:49
IRLR7843TRPBF (VBE1303)參數(shù)說明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：100A；導(dǎo)通電阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:47:58
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SLD80N03T貼片MOS美浦森 30V 80A TO252，原裝現(xiàn)貨 SLD80N03T 美浦森 30V 80A TO252 N溝道 MOS
2023-11-30 16:26:19
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
的 OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一個(gè)M1連接器，用于連接iMOTION模塊化應(yīng)用設(shè)計(jì)套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534 
利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 該型號(hào)AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET，具有30V電壓、6.5A電流的額定參數(shù)。其RDS(ON)在10V下為30mΩ，在4.5V下為33mΩ，適用于20V的門源
2023-11-09 17:13:58
? 中國(guó)上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57663 
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 該型號(hào)的30N06L-VB是一款功率N溝道MOSFET。由
2023-11-08 17:17:38
型號(hào) AM30N10-70D-T1-PF-VB絲印 VBE1104N品牌 VBsemi參數(shù)說明 類型 N溝道
2023-11-08 16:32:46
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 詳細(xì)參數(shù)說明 型號(hào): 2SK3105-T1B-A-VB 絲印: VB1330 品牌: VBsemi 參數(shù): N溝道,30V,6.5A,RDS
2023-11-08 11:12:50
型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術(shù)，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:55
0 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級(jí)，為您的高電流負(fù)載應(yīng)用提供強(qiáng)大支持！采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 型號(hào) AOD408 絲印 VBE1310 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 70A 導(dǎo)通電阻 7m
2023-11-03 16:13:50
型號(hào) IRF8788TRPBF絲印 VBA1302品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 20A 導(dǎo)通電阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。
2023-11-03 14:56:23293 
型號(hào) STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型號(hào) AO4430絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V
2023-11-03 11:26:46
AM2336NT1PF詳細(xì)參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A 導(dǎo)通電阻 30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-03 10:55:12
型號(hào) FDN337NNL絲印 VB1330品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-11-03 09:36:45
型號(hào) AO4410絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 門源
2023-11-02 16:45:48
型號(hào) SI4920DYT1E3絲印 VBA3316品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 8.5A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V
2023-11-02 15:19:13
型號(hào) FDMS9600S絲印 VBQA3303G品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 2個(gè)N溝道 額定電壓(VDS)
2023-11-01 15:35:50
型號(hào) B09N03A絲印 VBE1307品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V 門源
2023-11-01 15:27:17
型號(hào) AO3416絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.5A 導(dǎo)通電阻 30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V
2023-11-01 14:27:18
型號(hào) AFN4634WSS8RG絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
1.6Vth (V) 封裝類型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 MTD3302是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有30V的較高額定電壓和60A的大額定電
2023-10-31 15:03:49
型號(hào) FDN357NNL絲印 VB1330品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-10-31 14:43:01
型號(hào) IRLML2803TRPBF絲印 VB1330品牌 VBsemi參數(shù) N溝道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth
2023-10-31 14:00:49
型號(hào) IRF7313TRPBF絲印 VBA3328品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.8A/6.0A 導(dǎo)通電阻 22m
2023-10-31 11:48:47
型號(hào) AO4818絲印 VBA3316品牌 VBsemi參數(shù) 2個(gè)N溝道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8該
2023-10-31 11:34:59
型號(hào) IRF7413TRPBF絲印 VBA1311品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 12A 導(dǎo)通電阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
型號(hào) SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 27mΩ @10V
2023-10-28 15:05:44
型號(hào) AOD484 絲印 VBE1310 品牌 VBsemi 參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 70A RDS(ON) 7mΩ @ 10V，9mΩ @ 4.5V 門源
2023-10-28 14:07:26
型號(hào) SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導(dǎo)通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-10-12 10:04:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 11:35:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:43:170 供應(yīng)AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場(chǎng)效應(yīng)管-mos3400規(guī)格參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供mos3400規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:28:260 供應(yīng)AP30N03K 低結(jié)電容 30V MOS-30N03K場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:14:000 供應(yīng)AP30N03K 電壓30V的貼片MOS管TO-252封裝絲印30N03K，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:13:03
供應(yīng)AP30H80Q 電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管-N溝道 30V 80A 絲印30H80Q，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H80Q 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:59:23
供應(yīng)AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供30H80K規(guī)格書參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:52:000 供應(yīng)AP30H80K 30v耐壓n溝道mos管TO-252封裝 絲印:30H80K，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H80K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:50:43
供應(yīng)AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場(chǎng)效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:39:500 供應(yīng)AP30H150KA N溝道 30V 150A 絲印:30H150KA-30h150 mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:38:20
DMTH3004LFGQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMTH3004LFGQ 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-19 13:50:09
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
供應(yīng)AP50P03K 35a 30v p溝道增強(qiáng)型mos管絲印AP50P03，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP50P03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:31:063 供應(yīng)AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:19:590 STF140N6F7內(nèi)容簡(jiǎn)介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應(yīng)用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結(jié)構(gòu)
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
供應(yīng)mos PTS4842 30V/7.7A雙n溝道mos管，提供4842雙mos管規(guī)格書及關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:46:251 供應(yīng)PTS4842 MOS場(chǎng)效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級(jí)功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:45:17
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 請(qǐng)問CANbus至RS232協(xié)議轉(zhuǎn)換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
-30V P溝道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P溝道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
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