降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)簡(jiǎn)單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷?？刂?IC（未圖示）使用閉合反饋環(huán)路來控制輸出電壓。
2024-03-14 18:26:48
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于DDR存儲(chǔ)器終端的6A輸出、D-CAP+ 模式、同步降壓集成FET轉(zhuǎn)換器TPS53317A數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:27:18
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于DDR存儲(chǔ)器終端的6A輸出、D-CAP+ 模式、同步降壓集成FET轉(zhuǎn)換器TPS53317數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:54:540 TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
降壓轉(zhuǎn)換器（Buck Converter）也稱為降壓穩(wěn)壓器或降壓模塊，是一種電力電子設(shè)備，用于將高電壓轉(zhuǎn)換為低電壓。它的主要作用是將輸入電壓降低到所需的輸出電壓，以供給負(fù)載使用。降壓轉(zhuǎn)換器廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電子設(shè)備、通信設(shè)備、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化等。
2024-02-21 15:31:06466 
降壓轉(zhuǎn)換器（Buck Converter）是一種常見的直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器，用于將較高的直流輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的直流輸出電壓。在選擇用于降壓轉(zhuǎn)換器的二極管時(shí)，需要考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)和特性
2024-02-16 11:32:00380 
降壓DC/DC電壓轉(zhuǎn)換器，又稱為降壓轉(zhuǎn)換器、低壓降轉(zhuǎn)換器或簡(jiǎn)稱為降壓器，是一種電力轉(zhuǎn)換器，它能夠?qū)⑵漭斎氲闹绷麟妷?b class="flag-6" style="color: red">轉(zhuǎn)換成一個(gè)更低的直流輸出電壓。降壓轉(zhuǎn)換器的基本工作原理是通過開關(guān)電路和能量存儲(chǔ)元件
2024-02-16 09:37:00284 
為什么應(yīng)該在SEPIC轉(zhuǎn)換器中使用耦合電感？
2024-02-06 06:58:00
降壓-升壓轉(zhuǎn)換器是一種DC-DC轉(zhuǎn)換器，使用降壓和升壓轉(zhuǎn)換器的相同原理，采用簡(jiǎn)化的組合電路。
2024-02-01 14:51:41737 
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
存儲(chǔ)：與其他 NAND 閃存技術(shù)相比，SD NAND FLASH 具有更高的存儲(chǔ)密度，使其適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用。
可移植性：SD NAND FLASH 卡通常以標(biāo)準(zhǔn)的 Secure
2024-01-24 18:30:00
負(fù)阻抗轉(zhuǎn)換器可將輸入電阻變?yōu)樨?fù)值，輸入信號(hào)從運(yùn)放電路吸收電流，實(shí)現(xiàn)了Zin=Zo，但是我還是有點(diǎn)不明白他的電路原理，不能只是從反饋運(yùn)放的特性求出輸入輸出關(guān)系就結(jié)束了，正相解決分析這個(gè)電路的原理和工作
2024-01-23 16:43:20
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
YB2414高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器
概述：
YB2414是一款高效率500 kHz同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，能夠提供4A/5A電流。 YB2414可在4.5V至18V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，并集成
2024-01-13 12:14:59
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比，它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)：
高可靠性：SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì)，具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2A，21V 600KHz同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器SD8910英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-29 11:09:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SD8942同步整流降壓轉(zhuǎn)換器IC規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-27 09:48:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《800mA，2-6V輸入，1.5MHz同步降壓轉(zhuǎn)換器SD8916A英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-27 09:38:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SD8942異步整流降壓轉(zhuǎn)換器IC規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:21:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器SD8910規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:14:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SD8942首鼎600KHz，16V，2A同步降壓轉(zhuǎn)換器一般說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 11:33:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SD8906A降壓轉(zhuǎn)換器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 11:29:020 一、正確理解DC/DC轉(zhuǎn)換器
DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換 器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-12-19 07:09:16
數(shù)模轉(zhuǎn)換器AD9161能否穩(wěn)定的長(zhǎng)時(shí)間工作在2xNRZ模式下即轉(zhuǎn)換率為12Gsps ？
2023-12-14 07:34:35
YB2416D 30V 輸入，3A 輸出，CC&CV 控制，高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器
概述:
YB2416是一款輸入耐壓超過40V,在4.5V-30V輸入電壓條件下正常工作，并且能夠?qū)崿F(xiàn)
2023-12-13 11:53:17
為什么電容器是降壓轉(zhuǎn)換器和升壓轉(zhuǎn)換器的重要元件？
2023-11-27 17:00:15207 卡，這意味著MMC卡可以在支持SD卡的地方使用（但不一定反過來）。MMC和SD繼續(xù)共存，SD更受可移動(dòng)存儲(chǔ)器的歡迎，MMC（以eMMC的形式）更受嵌入式系統(tǒng)焊接存儲(chǔ)的歡迎。
2023-11-27 15:17:28200 
降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相當(dāng)于使用單個(gè)電感器的反激式轉(zhuǎn)換器，它們具備兩種主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：反相和同相。反相型的輸出電壓極性與輸入相反，而同相型的輸出與輸入電壓極性相同。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使得降壓-升壓轉(zhuǎn)換器能夠在不同應(yīng)用中靈活使用，尤其是在需要負(fù)輸出電壓的場(chǎng)景中。
2023-11-24 13:40:14262 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
YB2408CAX系列2A持續(xù)帶載，同步降壓轉(zhuǎn)換器
概述:
YB2408CAX系列是一款高效、高頻的同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，最高可帶載2A連續(xù)電流。YB2408CAX系列可在2.7V到5.5V的寬
2023-11-03 16:26:30
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
該SD8942是一個(gè)完全集成，高效率2A同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。SD8942在寬輸出電流負(fù)載范圍內(nèi)以高效率工作。該器件提供兩種工作模式，PWM控制和PFM模式開關(guān)控制，從而允許在更寬的負(fù)載范圍內(nèi)的高效率。該SD8942需要一個(gè)現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)外部元件的最低數(shù)量，并在一個(gè)6引腳SOT23 ROHS兼容封裝。
2023-10-27 16:09:550 大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
降壓轉(zhuǎn)換器（Buck Converter）和升壓轉(zhuǎn)換器（Boost Converter）都是常見的直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器，用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為不同的電壓水平。降壓轉(zhuǎn)換器將輸入電壓降低到輸出電壓以下，而升壓轉(zhuǎn)換器將輸入電壓提高到輸出電壓以上。
2023-10-05 16:15:00973 怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統(tǒng)稱它們為STM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
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2023-09-21 10:03:500 系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
英尚微提供的串行PSRAM存儲(chǔ)器件，該器件有SPI,QPI接口，支持單片機(jī)SPI,QPI接口，該RAM可配置為1位輸入和輸出獨(dú)立接口或4位I/O通用接口。所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負(fù)責(zé)。具有封裝小，容量大，成本低的優(yōu)勢(shì)。該產(chǎn)品是低成本低功耗高容量的ram資源外擴(kuò)的存儲(chǔ)解決方案。
2023-07-07 17:08:14629 任何降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器都可以用作逆變器，而無需更改工作原理圖。正常的降壓應(yīng)用和反相操作之間的唯一區(qū)別是連接點(diǎn)的標(biāo)簽。降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的 V外節(jié)點(diǎn)是逆變器中的GND。降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的 GND 節(jié)點(diǎn)為 -Vout在逆變器中。輸入功率，Vin，是兩個(gè)電路中的同一節(jié)點(diǎn)。
2023-06-25 11:15:27801 
由于多相降壓轉(zhuǎn)換器的性質(zhì)，靜態(tài)工作條件下的感知效率會(huì)有所不同，具體取決于負(fù)載和輸出電壓測(cè)量連接以及PCB布局的對(duì)稱性。評(píng)估多相降壓轉(zhuǎn)換器的工程師應(yīng)了解本文探討的效率測(cè)量的細(xì)微差別以及PCB布局。需要
2023-06-15 16:25:32494 
本文介紹隔離式降壓轉(zhuǎn)換器的工作原理以及如何選擇變壓器，這是設(shè)計(jì)隔離式降壓轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵步驟。它討論 要考慮哪些參數(shù)，選擇變壓器時(shí)應(yīng)遵循的數(shù)學(xué)原理，以及這些參數(shù)如何影響整個(gè)電路。
2023-06-14 17:07:15782 
Nexperia | SD卡電平轉(zhuǎn)換器 - NXS0506UP Nexperia（安世半導(dǎo)體）的最新電平轉(zhuǎn)換器是市場(chǎng)上支持新標(biāo)準(zhǔn)的首款器件，便于系統(tǒng)設(shè)計(jì)者搶先一步開發(fā)出具有更大存儲(chǔ)空間、可更快訪問
2023-05-29 10:34:09314 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器，能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
需要 PF8200 的所有降壓轉(zhuǎn)換器的效率數(shù)據(jù)。請(qǐng)幫助曲線。
輸入電壓為5V。
輸出配置：
降壓 1&2（2 相）- 0.8V，7A
降壓 3 - 0.8V，0.1A
降壓 4
2023-05-16 09:04:11
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
在4位逐次逼近型轉(zhuǎn)換器中，D/A轉(zhuǎn)換器的基準(zhǔn)電壓為10v，輸入的模擬電壓為6.92v，求轉(zhuǎn)換結(jié)果
2023-05-09 14:19:57
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
源位于輸出之上、下方或等于輸出。這可以通過兩個(gè)獨(dú)立的電源轉(zhuǎn)換器和兩個(gè)控制器IC來實(shí)現(xiàn)。更好的解決方案是使用單個(gè)降壓-升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，它提供了更小、更簡(jiǎn)單、更高效的設(shè)計(jì)，這些屬性在手持設(shè)備中至關(guān)重要。
2023-04-20 11:35:01677 
51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少？可以達(dá)到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程將在CH32V103開發(fā)板上實(shí)現(xiàn)SD卡檢測(cè)和SD卡容量信息讀取。 1、SD卡簡(jiǎn)介及相關(guān)函數(shù)介紹SD存儲(chǔ)卡( Secure Digital Memory Card)是一種基于半導(dǎo)體快閃存儲(chǔ)器
2023-04-19 16:32:36
我們將 4GB emmc 與 iMXRT1052 一起使用。 我們正在為控制器電源使用降壓降壓轉(zhuǎn)換器 (3V3)。在 IMXRT1050-EVKB（SCH-30168，PDF：SPF-30168
2023-04-19 06:41:45
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
您是否有數(shù)控 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)？我想知道數(shù)字控制電源（等 BUCK，BOOST）。有沒有PI調(diào)節(jié)應(yīng)用于電源的例子？
2023-04-17 07:51:06
PD快充的發(fā)展，猶如脫韁的野馬，不斷奔跑，從智能手機(jī)到移動(dòng)設(shè)備，再到各種電動(dòng)工具的開發(fā)應(yīng)用，PD快充市場(chǎng)的發(fā)展一日千里。面對(duì)快速增長(zhǎng)的PD快充市場(chǎng)，寶礫微電子適時(shí)推出集成雙路恒流降壓轉(zhuǎn)換器
2023-04-14 09:21:22
LM5017系列產(chǎn)品等降壓轉(zhuǎn)換器或穩(wěn)壓器集成電路（IC）可以從正VIN產(chǎn)生負(fù)VOUT在DC/DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域是常識(shí)。乍一看，使用降壓穩(wěn)壓器IC的反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的電路圖與降壓轉(zhuǎn)換器十分相似（圖1a和1c）。但是兩個(gè)電路也存在重大差異，無論是在電壓和電流高低，切換電流流動(dòng)還是在布局上。
2023-04-11 09:41:51584 
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
電壓的形式存儲(chǔ)能量意味著使用更高的電壓水平，以便從更高的效率中受益。因此，需要功能強(qiáng)大的DC/DC轉(zhuǎn)換器將電壓降低到另一個(gè)水平，以便為控制電子設(shè)備提供輔助電壓（圖1）。另一方面，通往智能電網(wǎng)的道路
2023-04-06 16:26:04
_B2_10 FlexSPI1_A_DATA3 GPIO_SD_B2_11為了通過 FlexSPI1 設(shè)置從外部存儲(chǔ)器啟動(dòng)，我使用了類似于 MIMXRT1170-EVK 的啟動(dòng)設(shè)置方案。外部觸點(diǎn) BOOT_CFG[11:0] = “0
2023-04-06 06:03:46
不同的芯片，與線性穩(wěn)壓器LDO相比較，效率高是DC/DC的顯著優(yōu)勢(shì)。通常效率在70%以上，效率高的可達(dá)到95%以上。DC/DC常見三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為Buck（降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器），Boost（升壓型DC
2023-04-04 14:58:34
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
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