電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅動電路復雜，驅動功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
3月3日，聯(lián)合電子官微發(fā)布，推出面向跨域融合的新一代整車運動域控制器VCU8.6平臺。
2024-03-04 09:52:04413 
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
BLF647PS BLF647PS BLF647PS 寬帶功率LDMOS晶體管適用于廣播發(fā)射機和工業(yè)應用的 200 W LDMOS RF 功率晶體管。該
2024-02-29 19:30:36
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號： BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號：
2024-02-29 16:13:32
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶體管RF功率晶體管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-預分
2024-02-29 14:46:47
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53508 
智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列晶體管的工作頻率
2024-02-26 23:27:57
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當?shù)碾妷?，從而?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43368 
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當我從評估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時，該程序有效。但是當我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350 對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領著人類科技發(fā)展的重要引擎。
2023-12-28 15:55:25734 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場效應功率晶體管英文資料.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:08:45
0 Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:11:06
晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:31427 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何設計出面向電機控制優(yōu)化的反饋系統(tǒng).pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:14:301 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當一個放大電路比如說晶體管放大電路當電壓放大時，由歐姆定律負載上的電流不就變大了嗎？這個我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
請問下飛思卡爾SC120529VLL6 讀寫能用什么設備讀寫？求助芯片的針腳定義圖？
2023-11-07 07:00:50
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導體器件的一種，應用廣泛，可以在計算機、電視、手機等各種設備中使用。晶體管工作時非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 在電源與充電樁等高功率應用中，通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應用通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管，主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先，最后一級
2023-10-22 14:47:33409 用于L波段雷達的600 W ldmos功率晶體管的頻率范圍為1.2 GHz至1.4 GHz。
2023-10-19 16:55:490 飛思卡爾K60芯片通訊口正常，開通IO口就復位，有哪位大神能指點迷津啊
2023-10-08 08:07:45
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
在過去的十幾年中，大功率場效應管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關速度,電源開關頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
設備等消費電子、通訊和工業(yè)控制應用領域。在這篇文章中，我們將深入探討晶體管的三種工作狀態(tài)。 一、截止狀態(tài) 當晶體管的控制電壓為零或負值時，電流無法通過晶體管，此時晶體管處于截止狀態(tài)。在晶體管截止狀態(tài)下，集電極的
2023-08-25 15:29:424363 650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業(yè)應用。
2023-08-16 23:36:51685 
分立晶體管是電子設計中最常見的元器件之一。該產品適用于眾多應用，從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 該晶體管功率放大器電路僅使用準互補放大器配置中的四個晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17964 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書，這些設備被設計用于HF和VHF通信，工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）以及廣播和航空航天應用程序。這些設備非常堅固，表現(xiàn)出高性能高達250MHz。
2023-07-28 17:45:470 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 產品發(fā)射區(qū)結構設計為梳狀結構。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射手跟隨開關電路。
2023-07-03 10:12:181936 
華為董事、ICT產品與解決方案總裁楊超斌在2023 MWC上海展5G Advanced論壇上宣布，2024年，華為將會推出面向商用的5.5G全套網(wǎng)絡設備。這也標志著ICT行業(yè)即將邁入5.5G時代。
2023-06-30 05:23:00430 高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
引言: 在當今科技迅猛發(fā)展的時代，高效能的功率電子器件對于各個領域的應用至關重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進的產品，憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
AEROPULSE FS50工業(yè)級高功率飛秒激光器NKTAEROPULSE FS50工業(yè)級高功率飛秒激光器是NKT基于優(yōu)異的的光子晶體光纖平臺的新型50W工業(yè)級飛秒光纖激光器。aeroPULSE
2023-05-24 14:02:03
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
2023-04-23 09:07:17
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節(jié)點和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發(fā)導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形（100μs/div） ? ? 由于隨后要計算開關時的功率損耗，所以要確認OFF→ON時和
2023-03-23 16:52:27762 
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