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2024-03-22 14:11:23
0 耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開關(guān)管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V 寬VIN 同步 4 開關(guān)降壓/升壓控制器LM34936-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:16:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《150mA、30V、3.2μA 靜態(tài)電流、低壓降線性穩(wěn)壓器TLV709數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 16:08:080 項目要做一個DC-DC車載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問題，想用兩級級聯(lián)的結(jié)構(gòu)，前級和后級用什么拓撲比較好？
2024-03-19 14:13:37
電路和系統(tǒng)。
DC-DC30V降壓24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降壓穩(wěn)壓芯片
產(chǎn)品描述
H4110是一種內(nèi)置30V耐壓MOS，并且能夠?qū)崿F(xiàn)精確恒壓以及恒流的異步降壓型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V 7 通道低側(cè)驅(qū)動器TPL7407LA數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:26:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V 7 通道低側(cè)驅(qū)動器TPL7407LA-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:09:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30v 5A同步降壓調(diào)節(jié)器FS2455數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-18 14:13:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V同步降壓調(diào)節(jié)器FS2450 數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-18 14:06:350 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有使能功能的 TPS709 150mA、30V、1μA IQ 穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-04 17:14:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有使能功能的TPS709-Q1 150mA、30V、1μA IQ穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-04 16:59:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，2.6 mOhm，160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:58:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，2.2 mOhm，180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:56:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，2.1 mOhm，180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:55:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，1.9 mOhm，200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:53:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，1.8 mOhm，200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:51:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，3.5 mOhm，120 A標準電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:50:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，3.3 mOhm，120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:46:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V，2.8 mOhm，160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:45:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:53:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 型號: PSMN017-80BS-VB絲印: VBL1806品牌: VBsemi參數(shù):- 封裝: TO263- 溝道類型: N-Channel- 最大電壓(Vds): 80V- 最大電流(Id
2024-02-03 10:40:38
壓的應(yīng)用需求。
產(chǎn)品特性
l內(nèi)置30V耐壓MOS,支持2.5V-24V輸入
l低靜態(tài)電流：100uA
l輸出電流：16~2000mA
lPWM調(diào)光：最高頻率25KHz，分辨率可達1000：1
l輸出電流精度
2024-02-01 16:44:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2A 30V 340KHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器EUP3482一般說明.pdf》資料免費下載
2024-01-11 16:30:560 在雙電源±15V的供電的狀態(tài)下，ADG1408的模擬通道能輸入30V（相對GND）的模擬電壓嗎？
2024-01-05 12:57:40
我按LT8390設(shè)計輸入9-36V，輸出28V，250W,參考250W的DEMO，現(xiàn)在的問題是：
1.輸入36V，空載時輸出電壓先升到30V，然后慢慢降到28V，這是為什么？
2.帶1A的負載
2024-01-04 07:48:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS2461：30V同步降壓調(diào)節(jié)器一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-22 10:58:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1R3-80SSF：N溝道MOSFET LFPAK88包目標數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2023-12-19 16:08:210 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SLD80N03T貼片MOS美浦森 30V 80A TO252，原裝現(xiàn)貨 SLD80N03T 美浦森 30V 80A TO252 N溝道 MOS
2023-11-30 16:26:19
利用AD5522怎么設(shè)計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設(shè)計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 新潔能NCE30P12S NCE P通道增強模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術(shù)，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級，為您的高電流負載應(yīng)用提供強大支持！采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 型號 PSMN025100D 絲印 VBE1102N 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 45A 導(dǎo)通電阻 18m
2023-11-03 15:21:13
NEXPERIA PSMN1R8-30PL - 100A, 30
2023-11-01 13:42:34
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:43:170 供應(yīng)AP30N03K 低結(jié)電容 30V MOS-30N03K場效應(yīng)管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:14:000 供應(yīng)AP30H80Q 30v 80a n mos管-鋰保mos管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H80Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:00:130 供應(yīng)AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供30H80K規(guī)格書參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:52:000 供應(yīng)AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:39:500 供應(yīng)AP3004S 30v 20a n mos管-mos3004參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3004S 30v 20a n mos管規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:27:380 12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內(nèi)置了60V NMOS升壓型LED驅(qū)動器，可以有效地驅(qū)動LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來監(jiān)測LED驅(qū)動器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59509 DMN3042LFDF 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMN3042LFDF 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能
2023-09-07 12:26:05
本實驗的目的是使用ARM KEIL MDK工具包向您介紹恩智浦Cortex?-M33處理器系列，該工具包采用μVision?集成開發(fā)環(huán)境。
在本教程結(jié)束時，您將自信地使用恩智浦處理器和Keil
2023-08-24 07:46:51
AP4435C -20a -30v的耐壓mos管絲印:4435規(guī)格書參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3160規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:25:181 供應(yīng)AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:590 該電源提供可在0至30V之間調(diào)節(jié)的cc電壓，電流強度為1A，并具有內(nèi)置的可編程電流限制。
2023-07-25 17:26:401784 
HAT1108C 數(shù)據(jù)表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-07-13 18:31:360 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
供應(yīng)mos PTS4842 30V/7.7A雙n溝道m(xù)os管，提供4842雙mos管規(guī)格書及關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:46:251 供應(yīng)PTS4842 MOS場效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
阻（Rdson）- 這是MOSFET在線性區(qū)域內(nèi)的電阻。它與MOSFET的尺寸和結(jié)構(gòu)有關(guān)，Rdson越小，MOSFET的效率就越高。 3. 最大漏電流（Idmax）- 這是MOSFET在最大允許溫度下能承受
2023-06-02 14:09:032008 電流驅(qū)動。SY7201是理想的驅(qū)動多達8個白色led串聯(lián)或高達30V。特點? 輸入電壓范圍為2.5~30V? 開關(guān)電流限制值2A? 驅(qū)動LED字符串高達30V? 1
2023-05-18 16:03:03
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動器 SiLM27624 系列，支持高達 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅(qū)動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
請問CANbus至RS232協(xié)議轉(zhuǎn)換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
我正在使用 S32G goldvip 上的 fleetwise 服務(wù)將車輛數(shù)據(jù)發(fā)布到云端。發(fā)布間隔設(shè)置為 2 秒，我每 2 秒看到一次數(shù)據(jù)反映在云（Timestream 數(shù)據(jù)庫）中。
但是隨機出現(xiàn)大約 30-40 秒的巨大延遲才能在云端獲取數(shù)據(jù)。
2023-04-25 06:38:38
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節(jié)鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:56630 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節(jié)鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:374 PSMN3R9-100YSFX
2023-04-06 23:35:27
PSMN057-200B
2023-04-06 23:33:29
PSMN040-100MSE
2023-04-06 23:31:45
HAT1108C 數(shù)據(jù)表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-03-30 18:59:570 PSMN3R8-100BS
2023-03-29 22:43:13
PSMN4R8-100YSEX
2023-03-29 22:42:57
PSMN0R9-25YLD
2023-03-29 21:45:13
PSMN4R8-100BSE
2023-03-29 21:38:39
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
2023-03-29 21:24:33
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
2023-03-29 21:23:55
MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
2023-03-29 11:42:09
MOSFET N-CH 30V QFN3333
2023-03-29 11:38:21
MOSFET N-CH 30V QFN3333
2023-03-29 10:56:40
MOSFET N-CH 30V QFN3333
2023-03-29 10:56:39
MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1
2023-03-29 10:12:08
LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
PSMN030-60YS
2023-03-28 14:51:19
PSMN1R0-30YLC
2023-03-28 14:47:19
MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
2023-03-27 14:39:12
MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
2023-03-27 14:38:05
NOW NEXPERIA PSMN4R3-30PL - 100A
2023-03-27 14:34:36
NOW NEXPERIA PSMN2R6-30YLC - 100
2023-03-27 14:32:26
NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A
2023-03-27 14:28:55
NOW NEXPERIA PSMN1R7-30YL - 100A
2023-03-27 14:27:35
PSMN4R2-40VSH - DUAL N-CHANNEL 4
2023-03-27 13:53:29
1 特點? 全橋拓撲結(jié)構(gòu)? 高集成度，外圍簡單? 內(nèi)置 30V /0.25ΩNMOS? 內(nèi)置 30V /0.60ΩPMOS? 6.5-30V 輸入電壓范圍? 輸入沖擊電壓高達 40V? 開關(guān)頻率
2023-03-26 17:22:32
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