耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開關(guān)管和同步整流管，通過它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
F7314-VB是VBsemi品牌推出的雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有兩個(gè)P—Channel溝道，支持-30V電壓，電流特性為-7A，在VGS為10V和20V時(shí)，RDS(ON)為35mΩ。閾值電壓
2024-03-19 11:46:22
, VGS=20V- 閾值電壓：Vth=-1.42V封裝：SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介：DTM4407-VB是一款高性能P-Channel溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管，具有-30V額定電壓、-
2024-03-18 11:57:29
無(wú)線充低壓MOS管3G03 SOT23-6 30V N+P溝道MOS常用場(chǎng)效應(yīng)管，是電子工程領(lǐng)域中常用的電子元器件之一。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著重要的角色，特別是在無(wú)線充電領(lǐng)域，其應(yīng)用更是廣泛。首先
2024-03-07 20:19:09
在一般情況下，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，FET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。
2024-03-06 16:44:50
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超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了超導(dǎo)電性和晶體管的場(chǎng)效應(yīng)特性，提供了低噪聲、低功耗和高速等優(yōu)異特性。
2024-03-06 16:23:39279 
逆變器中場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的原因有哪些? 逆變器中場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的原因有以下幾個(gè)方面： 1. 導(dǎo)通電阻發(fā)熱：在工作過程中，場(chǎng)效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流會(huì)通過導(dǎo)體。根據(jù)歐姆定律，通過導(dǎo)體的電流與電阻成正比，因此
2024-03-06 15:17:20185 如何區(qū)分和選用晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管 晶體三極管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是兩種常用的半導(dǎo)體器件，用于電子設(shè)備中的放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)電流。為了正確選擇并區(qū)分它們，我們需要了解它們的工作原理、結(jié)構(gòu)
2024-03-06 14:22:33199 場(chǎng)效應(yīng)管，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 15:31:17514 
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是如何實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的呢？ 三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是兩種常見的電子元件，被廣泛用于電子設(shè)備中的信號(hào)放大器電路。它們的工作原理不同，但都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。下面將詳細(xì)介紹三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
2024-02-04 09:32:12349 逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置，常用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是逆變器中的關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)開關(guān)直流電，實(shí)現(xiàn)直流電的變換
2024-01-31 17:17:01423 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不會(huì)有明顯的改變。此時(shí)三極管功率基本不變，電流達(dá)到飽和，電壓降也已經(jīng)是最小值。
場(chǎng)效應(yīng)管以N增強(qiáng)型為例，其本質(zhì)是一個(gè)壓控電阻，通過控制柵源電壓控制漏源電阻，具有互導(dǎo)特性，輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻，在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請(qǐng)問此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
2586場(chǎng)效應(yīng)管能不能使用3205場(chǎng)效應(yīng)管代替？ 場(chǎng)效應(yīng)管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中，包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等。然而，在一些場(chǎng)合下，我們可能需要找到一個(gè)能夠
2024-01-15 15:49:57317 電機(jī)是在電動(dòng)割草機(jī)、電動(dòng)鏈鋸、電動(dòng)碎枝機(jī)、電動(dòng)吹風(fēng)機(jī)等園林工具的核心部件。對(duì)于在研發(fā)此類適用園林工具電機(jī)的電機(jī)廠家而言，如何選對(duì)MOS管廠家來供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管則是非常重要的一環(huán)。
2024-01-12 09:17:49169 
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
Multisim是一種基于電路仿真的軟件，可以用于仿真和分析各種電路，包括場(chǎng)效應(yīng)管MOS。要修改MOS的參數(shù)，首先需要了解MOS的基本原理和參數(shù)，然后使用Multisim的工具來修改這些參數(shù)
2024-01-04 11:03:541294 (ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=-1.7V應(yīng)用簡(jiǎn)介：STU417S-VB是一款P—Channel溝道的功率場(chǎng)效應(yīng)管，封裝為TO252。
2023-12-29 11:24:58
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應(yīng)用
2023-12-28 14:53:31471 場(chǎng)效應(yīng)管兩端并二極管有什么用處? 場(chǎng)效應(yīng)管和二極管是電子器件中常見的兩類元件，它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)和應(yīng)用中有著重要的作用。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的原理、結(jié)構(gòu)和特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管是半導(dǎo)體元件中的一種，其工作原理基于電場(chǎng)
2023-12-21 11:27:16430 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常用的電子元件，其特點(diǎn)是控制端電流小、輸入電阻高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。場(chǎng)效應(yīng)管的放大電路可以分為三種接法，包括共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。本文將詳盡、詳實(shí)
2023-12-20 10:45:02806 場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的原理? 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種三極管，常用于電子放大電路中。FET的原理是利用半導(dǎo)體材料的特性來控制電流和電壓，以實(shí)現(xiàn)放大作用。通過理解FET工作的原理，我們可以了解到FET
2023-12-07 15:48:241317 動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。
2. MOSFET工作原理
MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-11-28 15:53:49
如圖：這個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
2023-11-24 16:54:18632 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？ 大部分情況下，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓（G極）不會(huì)大于漏極電壓（D極）。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過改變柵極與漏極之間的電場(chǎng)來控制漏極電流
2023-11-23 09:13:451045 場(chǎng)效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管? 場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:143242 如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極？場(chǎng)效應(yīng)管可以算是三極管嗎？ 場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的電子器件。它由源極（source）、柵極
2023-11-21 16:05:231291 CP8331是同步轉(zhuǎn)換器，其輸入電壓范圍為6V的30V。它有一個(gè)集成的低側(cè)開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管，消除了外部二極管的需要，減少組件數(shù)。通過集成的90mΩ和65mΩ MOSFETs，低智商和在光負(fù)荷下的脈沖跳躍，使效率最大化。
2023-11-21 15:59:58161 
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2023-11-20 14:45:56
3 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。其中，JFET是由一個(gè)pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521226 
如何簡(jiǎn)單判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞？ 場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類型之一。要判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞，需要考慮其性能參數(shù)、制造
2023-11-17 11:41:30690 環(huán)路24V電壓接的場(chǎng)效應(yīng)管的漏極，VCC接源極，DRIVE接?xùn)艠O，AD421的電路就是按數(shù)據(jù)手冊(cè)上接的，COM沒有接24V的地。
為什么通電后場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)管腳都是24V，換了芯片跟FET也依然是這樣。
2023-11-16 07:23:24
利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系？對(duì)于初學(xué)者來說，這兩個(gè)名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場(chǎng)效應(yīng)管？
2023-11-13 17:23:05756 
大功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極（D）和源極（S）之間并聯(lián)了一只二極管，我們測(cè)量出有阻值的一次也就是D、S并聯(lián)的那只二極管的阻值。
2023-11-13 11:35:37575 
與三極管一樣，場(chǎng)效應(yīng)管不僅可以對(duì)模擬信號(hào)放大，也可作為控制開關(guān)使用，之所以我們將開關(guān)電路（而不是放大電路）的應(yīng)用提前介
2023-11-10 14:19:59846 
場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
在過去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
供應(yīng)AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場(chǎng)效應(yīng)管-mos3400規(guī)格參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供mos3400規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:28:260 供應(yīng)AP30N03K 低結(jié)電容 30V MOS-30N03K場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:14:000 供應(yīng)AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場(chǎng)效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:39:500 既然效率這么好，在國(guó)內(nèi)能有什么優(yōu)質(zhì)MOS管使用呢？除市場(chǎng)中的IPT020N10N5參數(shù)型號(hào)，我們還是選擇飛虹半導(dǎo)體的FHL300N1F2A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-09-23 11:22:33797 
為什么MOS管又稱為場(chǎng)效應(yīng)管呢？ MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的半導(dǎo)體器件，由于其結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用
2023-09-20 17:05:41933 場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動(dòng)。常見的場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512222 可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別。
2023-09-09 16:09:591282 可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅（SCR）和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見的器件，它們?cè)诓煌膽?yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SCR和FET的工作原理及它們之間的區(qū)別
2023-09-08 11:47:03887 ，因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和檢測(cè)，以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的類型 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（N-channel FET）和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（P-channel FET）。這兩種類型的場(chǎng)效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:243310 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 場(chǎng)效應(yīng)管的原理與作用 場(chǎng)效應(yīng)管在電路中起什么作用？? 場(chǎng)效應(yīng)管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個(gè)半導(dǎo)體材料制成，可以調(diào)節(jié)電流的流動(dòng)，被廣泛應(yīng)用于電路的放大和開關(guān)控制。 場(chǎng)效應(yīng)管
2023-09-02 11:31:132852 場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法 mos怎么測(cè)量好壞？? 場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）是一種半導(dǎo)體器件，其被廣泛應(yīng)用于各種電路中。在使用場(chǎng)效應(yīng)管前，我們需要先測(cè)量其好壞，以確保其正常工作，否則可能導(dǎo)致電路故障。本文將介紹
2023-09-02 11:20:101063 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:251531 場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:176875 晶閘管和場(chǎng)效應(yīng)管的主要區(qū)別 晶閘管（SCR）和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是電子元件中最為常見的兩種半導(dǎo)體器件。SCR是一種雙極型半導(dǎo)體器件，傳統(tǒng)應(yīng)用在直流電路的開關(guān)和耦合等方面，而FET則是一種單極型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:54:061026 場(chǎng)效應(yīng)管常用驅(qū)動(dòng)芯片有哪些？ 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種可以控制電流的半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用廣泛的一種器件。在這種器件中，輸入電壓可以控制輸出電流的大小，因此可以應(yīng)用在很多電子電路中。而為
2023-08-25 15:47:392608 ，電流可以流過二極管，而在反向偏置條件下，電流幾乎無(wú)法通過。因此，二極管通常用于整流器和保護(hù)電路中。 而場(chǎng)效應(yīng)管，縮寫為FET，是一種三極器件，包括源極、漏極和柵極。與二極管不同，它需要用外部電場(chǎng)控制柵極與源極之間的
2023-08-25 15:41:401172 工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種三極管，可以通過改變柵極電壓調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電阻。場(chǎng)效應(yīng)管的原理是利用電場(chǎng)控制載流子濃度，其主要特點(diǎn)是輸入電阻大，高頻特性好。場(chǎng)效應(yīng)管可以分為N溝道和P溝道兩種結(jié)構(gòu)。 可控硅（SCR）是一種雙
2023-08-25 15:41:381547 場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件，但它們?cè)谥圃?、結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有著顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹
2023-08-25 15:41:362301 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動(dòng)。雖然它們?cè)谀承┓矫婵赡苡幸恍┫嗨浦?，但它們也有很多明顯的不同點(diǎn)。下面將會(huì)詳細(xì)
2023-08-25 15:29:343024 供應(yīng)AP2080Q 場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）20V 30A參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2080Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 16:45:380 場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
2023-08-18 16:01:28591 
商品名稱：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)：KHB2D0N60P品牌：KEC封裝：TO-220VDSS ：600VVGSS:±30VID:2APW:54WT stg :-55-155°R DS(ON)：5.0ΩVGS:10VQg(typ.): 10.9nC
2023-08-17 15:25:40
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:131018 
場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295251 
FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502153 
HAT1108C 數(shù)據(jù)表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-07-13 18:31:360 Transistor，簡(jiǎn)稱FET）,由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（Junction Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET，1952年誕生）和應(yīng)用更為廣泛的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（Meta
2023-06-29 09:21:342017 
Transistor，簡(jiǎn)稱FET ）,由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ Junction Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET，1952年誕生 ）和應(yīng)用更為廣泛的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
2023-06-28 08:39:283644 
供應(yīng)PTS4842 MOS場(chǎng)效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級(jí)功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:45:17
場(chǎng)效應(yīng)管防反接電路其功能和二極管防反接電路一樣，其目的都是防止電源的正負(fù)輸入端接反而導(dǎo)致負(fù)載電路燒毀等意外情況發(fā)生。場(chǎng)效應(yīng)管防反接電路相比二極管防反接電路最大的優(yōu)勢(shì)是幾乎零壓降，二極管的壓降一般
2023-06-10 09:30:48673 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）。
2023-06-10 09:27:33411 
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。
2023-05-25 17:27:362957 
場(chǎng)效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-05-16 15:29:45948 場(chǎng)效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 1.是N溝道，耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場(chǎng)效應(yīng)管，上電就短路，焊下來后測(cè)量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
根據(jù)提問者的意思，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:062437 
為什么測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻時(shí)要用測(cè)量輸出電壓的方法呢？
2023-05-06 16:15:01
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開關(guān)頻率
2023-05-01 18:36:131102 
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候
2023-04-19 09:11:441286 場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。就其性能而言，場(chǎng)效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)明顯提升整體性能。兩者對(duì)比如下表。
2023-04-17 11:53:131411 
HAT1108C 數(shù)據(jù)表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-03-30 18:59:570 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管
2023-03-24 13:58:22
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