???????? 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì),易于控制特性的不均現(xiàn)象,因而成了22nm以后晶體管技術(shù)的有力候選。而且前者還具有能夠采用與此前相同的電路布局進行設(shè)計的特點。后者雖要求采用新的電路布局及工藝技術(shù),但有望比前者更加容易實現(xiàn)微細化(高集成化)。兩種技術(shù)以各自特色為宣傳重點,開始激烈爭奪新一代技術(shù)的寶座。在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15~17日,在美國夏威夷州檀香山舉行)上,似乎為了顯示人們對二者的關(guān)注度之高,相關(guān)企業(yè)及團體就FD-SOI元件發(fā)表了9篇論文,就FinFET發(fā)表了4篇論文。
采用ArF光刻技術(shù)實現(xiàn)基于FinFET的超小SRAM單元
在2009年舉行的“2009 IEDM”上,采用FinFET技術(shù)實現(xiàn)0.06um2或者0.039um2單元面積的超微細SRAM亮相。但是,這些產(chǎn)品都利用了電子束(EB)直描技術(shù),實用化方面還存在課題。此次,美國IBM、美國GLOBALFOUNDRIES、東芝及NEC電子(現(xiàn)為瑞薩電子)組成的小組發(fā)布了以現(xiàn)行ArF光刻技術(shù)實現(xiàn)0.063um2超微細SRAM的極具影響力的研究成果(論文序號:2.2)。通過采用Sidewall Image Transfe技術(shù),實現(xiàn)了40nm的Fin間距,解決了基于FinFET的SRAM的另一課題——因使用多個Fin而導(dǎo)致面積增大的問題。同時,還實現(xiàn)了80nm這一全球最小的柵極間距。作為實現(xiàn)超微細SRAM的技術(shù),這一成果給人FinFET更為出色的強烈印象。
在Bulk底板上混載SOI及塊狀硅元件
要實現(xiàn)最尖端SRAM,易于控制特性不均現(xiàn)象的FD-SOI元件可發(fā)揮威力。不過,ESD保護電路及功率MOSFET等需要較大電流的外圍電路沿用塊狀硅元件比較理想。從這一角度來看,二者的混載技術(shù)備受期待。在“2009 IEDM”上,多家企業(yè)發(fā)布了采用SOI底板、混載FD-SOI及塊狀硅元件的混載技術(shù)。
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、法國IMEP-LAHC及法國CEA-LETI組成的小組發(fā)布了在成本低于SOI底板的塊狀硅底板上混載FD-SOI與塊狀硅元件的技術(shù)(論文序號:6.2)。這是一項可實現(xiàn)低成本微細SoC的值得關(guān)注的技術(shù)。此次,F(xiàn)D-SOI元件領(lǐng)域通過在硅底板上使SiGe及Si固相生長,然后除去SiGe層并嵌入氧化膜,實現(xiàn)了局部SOI。在局部SOI上制作的FD-SOI元件的特性偏差在此前發(fā)布的產(chǎn)品中為最小水平(Avt=1.2mV um)。實證結(jié)果表明,在塊狀硅底板上制作的ESD保護電路可充分滿足實用需求。
FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發(fā)布
- FD-SOI(21721)
- FinFET(89655)
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機構(gòu)方面表示,新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設(shè)計進行互換,還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲器(envm)技術(shù)。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308
CAN-FD協(xié)議有哪些車用
以某車型為例,該項目已對CAN-FD網(wǎng)絡(luò)進行了量產(chǎn)化應(yīng)用,該項目基于電子電氣功能架構(gòu)搭建了集合多種車載網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),集信息域、互聯(lián)域、自動駕駛域、底盤動力域的多域融合的一汽新一代整車網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)
2023-07-18 11:25:48972
CAN FD幀結(jié)構(gòu)介紹
CAN FD幀結(jié)構(gòu) CAN FD節(jié)點可以正常收、發(fā)CAN報文,但CAN節(jié)點不能正確收、發(fā)CAN FD報文,因為其幀格式不一致。 與CAN一樣,CAN FD一共具有:幀起始,仲裁段,控制段,數(shù)據(jù)
2023-07-18 10:42:253804
CAN FD是什么意思 優(yōu)點有哪些
日益增加的需求。 什么是CAN FD? CAN FD協(xié)議是由Bosch以及行業(yè)專家預(yù)研開發(fā)的,并于2012年發(fā)布。通過標(biāo)準(zhǔn)化對其進行了改進,現(xiàn)已納入ISO 11898-1:2015。一開始的Bosch
2023-07-18 10:40:101403
數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid
今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid,它也是一種設(shè)計格點。介紹該格點前,我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2023-07-12 17:31:45731
ADM3055E/ADM3057E收發(fā)器CAN FD端口上IEC 61000-4-5浪涌保護的解決方案
在設(shè)計面向CAN FD網(wǎng)絡(luò)的EMC兼容解決方案時,主要難題是讓外部保護元件的動態(tài)性能與CAN FD收發(fā)器輸入/輸出結(jié)構(gòu)的動態(tài)性能相匹配。文中介紹了適用于ADM3055E/ADM3057E隔離信號
2023-07-11 11:29:41561
什么是FinFET?鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點?
推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹,另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:374414
PCAN-Router(FD)
PCAN-Router(FD)前情提要隨著實際的應(yīng)用開發(fā),工業(yè)生產(chǎn)線智能化也使得其內(nèi)部的網(wǎng)絡(luò)框架越來越復(fù)雜,對設(shè)備之間的通信也提出了更高的要求:-是否可實現(xiàn)通道間通信?-是否實現(xiàn)CAN與CANFD
2023-06-21 10:09:39677
一種具有低反向?qū)〒p耗的氧化鎵縱向FinFET
由于Fin溝道的夾斷作用,可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸,形成無結(jié)二極管。因此,在反向續(xù)流時,無結(jié)的FD實現(xiàn)極低的反向?qū)妷海╒on)。
2023-06-16 10:24:47122
華為版ChatGPT將7月發(fā)布 或已接近GPT-3.5
華為版ChatGPT將7月發(fā)布 或已接近GPT-3.5 在AI賽道華為即將披露大動作。市場傳言華為ChatGPT將在7月份正式發(fā)布,具體發(fā)布時間或者在7月7日的發(fā)布會上,也就是7月7日的華為云開發(fā)者
2023-06-06 12:47:022346
線下培訓(xùn) | 瑞薩電子RA MCU CAN/CAN FD技術(shù)培訓(xùn)
? //?? CAN/CAN FD協(xié)議憑借其多節(jié)點通信、高可靠性、低成本和可擴展性優(yōu)勢。被廣泛運用于汽車、軌道交通、工業(yè)控制、工業(yè)自動化、新能源等領(lǐng)域。 為了更好的幫助開發(fā)者使用CAN/CAN FD
2023-06-04 16:25:01471
什么是接近傳感器 選擇接近傳感器的參數(shù)
接近傳感器是一種用于檢測物體是否接近的傳感器,通常被用于自動化控制和機器人技術(shù)中。接近傳感器可以檢測物體的位置、速度、方向等參數(shù),廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、智能家居、汽車等領(lǐng)域。根據(jù)檢測原理的不同,接近傳感器可以分為多種類型,如感應(yīng)式、電容式、光電式等。
2023-05-31 14:28:121897
英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(高達10kW)。
2023-05-18 16:18:24315
請問TJA1044BT支持can fd嗎?
TJA1044T不支持canfd,
TJA1044BT能否替代TJA1044T?
TJA1044BT支持can fd嗎?
2023-05-18 07:29:54
臺積電向?qū)W界開放16nm FinFET技術(shù)
臺積電宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計人才并推動全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-04-23 09:29:035165
接近傳感器種類——五種接近傳感器類型及優(yōu)缺點
產(chǎn)品、產(chǎn)品轉(zhuǎn)移的生產(chǎn)自動化機器 2·安全用途 ·探測金屬物體、軍械庫、地雷等?! ‰姼惺?b class="flag-6" style="color: red">接近傳感器的優(yōu)點 1·非接觸式檢測 2·環(huán)境適應(yīng)性;耐受工業(yè)領(lǐng)域常見的條件,如灰塵和污垢 3·在金屬傳感
2023-04-20 15:23:09
手機SOI開關(guān)不可忽視的射頻開關(guān)設(shè)計
目前手機中應(yīng)用最廣泛的是半導(dǎo)體器件開關(guān),如RF-SOI開關(guān),pHEMT開關(guān)等。這些半導(dǎo)體開關(guān)的功能與普通的電氣開關(guān)相同,符號表示也一致。
2023-04-20 09:26:151352
S32K342上有CAN FD的Demo嗎?
我瀏覽了SDK提供的所??有demo,但我還沒有看到CAN FD的Demo。S32K342 上有 CAN FD 的 Demo 嗎?
2023-04-17 06:37:58
基于SOI的嵌入式III-V族激光器的單片集成
在本研究工作中,邊緣耦合器和圖案化溝槽在具有220 nm厚的頂部Si層和3 μm厚的SiO2掩埋氧化物(BOX)層的SOI晶片上制造。
2023-04-13 10:56:02162
ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344
如何使用S32K14WEVB-Q064評估板來實現(xiàn)CAN FD?
我們計劃使用這個 S32K14WEVB-Q064 評估板來實現(xiàn) CAN FD??梢钥吹紺AN收發(fā)器TJA1145A:支持CAN FD。但我們不確定此評估板中使用的確切部件微控制器部件號。我們可以從
2023-04-04 06:56:15
50a 600v igbt 驅(qū)動電路SGTP50V60FD2PF規(guī)格書參數(shù)
供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592
超低功耗的i.MX 8ULP:將高能效邊緣智能進行到底!
跨界應(yīng)用處理器 上得以實現(xiàn)! 基于高能效的28nm FD-SOI工藝、支持超過20種電源模式的μPower技術(shù),以及對于有功和低功耗狀態(tài)下器件運行的優(yōu)化——i.MX 8ULP提供了出色的芯片級能效優(yōu)化。加之創(chuàng)新的Energy Flex架構(gòu)、強大的圖形能力、EdgeLock安全區(qū)域等豐富
2023-03-29 08:25:02629
MPC5741/4P是否支持CAN FD?
誰能告訴我 MPC5741/4P 是否支持 CAN FD?我翻了一下RM,沒有找到關(guān)于CAN FD的資料,不僅是“CAN FD”這個字符,還有CAN FD的regesters,我只發(fā)現(xiàn)它可以支持CAN 2.0B,所以我認為5741和5744 不支持 CAN FD。
2023-03-23 07:31:57
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