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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

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氮化芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎?

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2023-06-30 16:13:40

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念

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2023-06-25 14:17:47

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化器件

的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。 氮化器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
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拆解報(bào)告:橙果65W 2C1A氮化充電器

前言 橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器,快充電源氮化充電器的制造商,公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間,為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化充電器,總輸出功率為65W,單口
2023-06-16 14:05:50

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

為什么氮化比硅更好?

,在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。 氮化功率芯片前所未有的性能表現(xiàn),將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16

氮化: 歷史與未來

的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn),并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢

更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

、設(shè)計(jì)和評估高性能氮化功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。 應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化領(lǐng)域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08

什么是氮化功率芯片?

和信號,一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56

霍尼韋爾EPC讓先進(jìn)控制一步到位!

在該項(xiàng)目中,霍尼韋爾專家經(jīng)過深入分析、準(zhǔn)確建模,大膽創(chuàng)新,在原有霍尼韋爾PKS C300控制系統(tǒng)上嵌入2個(gè)EPC軟件,一個(gè)用于穩(wěn)定反應(yīng)入口溫度,另一個(gè)用于控制二層上部溫度。充分利用EPC的預(yù)估控制能力,使用閥位控制整體冷氫流,讓進(jìn)入整個(gè)反應(yīng)器的溫度保持平穩(wěn)。
2023-05-17 10:55:10496

求助,ESP8266異常重置28 with epc1=0x4000df2f的原因是什么?

非常偶然地,ESP8266 模塊會(huì)重置并顯示以下啟動(dòng)打?。?Fatal exception (28): epc1=0x4000df2f, epc2=0x00000000, epc
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業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級聯(lián)型(cascade)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商 奈梅亨 , 2023 年 5 月 10 日 : 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420

EPC9102

EVAL DEV FOR EPC2001 EGAN FET
2023-03-30 11:54:00

EPC9107

BOARD EVAL FOR EPC2015
2023-03-30 11:53:16

EPC9115

EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57

EPC9106

EVAL BOARD FOR EPC2016
2023-03-30 11:52:27

EPC9016

EPC2015 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-30 11:46:05

EPC9010

BOARD DEV FOR EPC2016
2023-03-29 22:59:19

EPC9004

BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
2023-03-29 22:59:18

EPC9006

BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
2023-03-29 22:59:18

EPC9005

BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
2023-03-29 22:59:16

EPC9002

BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
2023-03-29 22:53:09

EPC9003

EPC2010 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:53:09

EPC9025

BOARD DEV FOR EPC8005 65V EGAN
2023-03-29 22:51:10

EPC9018

BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
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EPC9038

BOARD DEV FOR EPC2102 60V EGAN
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EPC9002C

BOARD DEV FOR EPC2001C 100V
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EPC9034

BOARD DEV FOR EPC2021 80V EGAN
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EPC9033

BOARD DEV FOR EPC2020 60V EGAN
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EPC9010C

DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
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BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
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EPC9029

BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN
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EPC9006C

EPC2007C eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13

EPC9049

EPC2035 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13

EPC9080

BOARDDEVFOREPC2045&EPC2022
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EPC9019

BOARD DEV EPC2001/21 EGAN
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EPC9022

EPC8002 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
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EPC9024

BOARD DEV FOR EPC8004 40V EGAN
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BOARD DEV FOR EPC2101 60V EGAN
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EPC9055

BOARD DEV FOR EPC2106
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BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
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EPC9017

BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
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EPC9201

EPC2015 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
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EPC9030

BOARD DEV FOR EPC8010 100V EGAN
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EPC2012C eGaN? Series Power Management Evaluation Board
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BOARD DEV EPC2010C EGAN FET
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EPC2104 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
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BOARD DEV FOR EPC2014C
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BOARD DEV EPC2036 100V EGAN FET
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EPC9004C

BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN
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EPC9031

EPC2023 eGaN? Series Power Management Evaluation Board
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EPC9032

BOARD DEV FOR EPC2024 40V EGAN
2023-03-29 22:47:03

EPC9035

BOARD DEV FOR EPC2022 100V EGAN
2023-03-29 22:47:03

EPC9013

BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:46:57

EPC9046

BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN
2023-03-29 22:46:56

EPC9047

BOARD DEV FOR EPC2033
2023-03-29 22:46:56

EPC9203

DEMO CIRCUIT FOR EPC2021 80V
2023-03-29 22:46:54

EPC2204

EPC2204
2023-03-29 22:46:06

EPC2206

EPC2206
2023-03-29 22:41:58

EPC2152ENGRT

EPC2152ENGRT
2023-03-29 17:35:50

EPC2015

TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
2023-03-28 22:23:38

EPC2001

TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
2023-03-28 22:19:33

EPC2001C

EPC2001C–增強(qiáng)型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32

EPC2216

EPC2216
2023-03-28 13:54:39

EPC2040

EPC2040
2023-03-28 13:23:02

EPC2212

EPC2212
2023-03-28 13:21:51

EPC2045

EPC2045
2023-03-28 13:20:57

EPC2052

EPC2052
2023-03-28 13:16:25

EPC2051

EPC2051
2023-03-28 13:16:21

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