FERRITE CORE EPC 1.15UH 2PC SET
2024-03-14 23:00:25
FERRITE CORE EPC 1.56UH 2PC SET
2024-03-14 23:00:25
EPC2302,EPC23101 電源管理 評估板
2024-03-14 21:15:32
EPC23102 半 H 橋驅(qū)動(dòng)器(外部 FET) 電源管理 評估板
2024-03-14 20:16:58
CLASS-E AMPLIFIER BOARD EPC2112
2024-03-14 20:16:58
EVAL BOARD FOR EPC2112
2024-03-14 20:16:58
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態(tài)電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器,
2024-02-22 13:43:55
。EMC的主要目標(biāo)是防止不同設(shè)備或系統(tǒng)之間的電磁干擾(EMI)和互操作性問題。 與EMC密切相關(guān)的是EPC,EPC即是開放式產(chǎn)品技術(shù)規(guī)范(Electronic Product Code),是一種應(yīng)用于全球
2024-02-04 15:40:201053
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號: EPC2001:EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601:EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15362 自行車、電動(dòng)滑板車、無人機(jī)、機(jī)器人和直流伺服電機(jī)。 EPC9194演示板具有六 (6) 個(gè)EPC2302 100V eGaN FET,采用 3 x 5mm QFN 封裝。該板的尺寸
2023-11-14 16:53:02646 高效功率轉(zhuǎn)換 (EPC) 宣布推出 EPC9194,這是一款用于 3 相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的參考設(shè)計(jì)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14 V 至 60 V,可提供高達(dá) 60 Apk (40
2023-11-02 16:43:46397 ? 全球嵌入式計(jì)算方案供應(yīng)廠商研華科技隆重推出高性能嵌入式工控機(jī)EPC-B3000系列。該系列包括搭載了AMD Ryzen AM4 5000處理器的EPC-B3522和搭載第12代Intel
2023-10-24 11:37:35407 研華高性能邊緣計(jì)算機(jī)EPC-B5000系列,旨在提升圖形AI并處理復(fù)雜的圖形工作負(fù)載。該系列包含EPC-B5587、EPC-B5505和EPC-B5592,支持包括Intel Core / Xeon
2023-08-31 11:35:10250 全球嵌入式計(jì)算知名廠商研華隆重推出高性能嵌入式工控機(jī)EPC-B3000系列。該系列包括搭載了AMD Ryzen AM4 5000處理器的EPC-B3522和搭載第12代Intel Core處理器
2023-08-23 10:47:38240 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mode(增強(qiáng)型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 DMN2015UFDF 產(chǎn)品簡介DIODES 的DMN2015UFDF這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-06-30 16:25:18
DMN2015UFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的DMN2015UFDE這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-06-30 16:13:40
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器,快充電源和氮化鎵充電器的制造商,公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間,為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器,總輸出功率為65W,單口
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
,在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn),將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
、設(shè)計(jì)和評估高性能氮化鎵功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
和信號,一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
在該項(xiàng)目中,霍尼韋爾專家經(jīng)過深入分析、準(zhǔn)確建模,大膽創(chuàng)新,在原有霍尼韋爾PKS C300控制系統(tǒng)上嵌入2個(gè)EPC軟件,一個(gè)用于穩(wěn)定反應(yīng)入口溫度,另一個(gè)用于控制二層上部溫度。充分利用EPC的預(yù)估控制能力,使用閥位控制整體冷氫流,讓進(jìn)入整個(gè)反應(yīng)器的溫度保持平穩(wěn)。
2023-05-17 10:55:10496 非常偶然地,ESP8266 模塊會(huì)重置并顯示以下啟動(dòng)打?。?Fatal exception (28):
epc1=0x4000df2f, epc2=0x00000000, epc
2023-05-17 08:25:01
業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級聯(lián)型(cascade)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商 奈梅亨 , 2023 年 5 月 10 日 : 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 EVAL DEV FOR EPC2001 EGAN FET
2023-03-30 11:54:00
BOARD EVAL FOR EPC2015
2023-03-30 11:53:16
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
EVAL BOARD FOR EPC2016
2023-03-30 11:52:27
EPC2015 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-30 11:46:05
BOARD DEV FOR EPC2016
2023-03-29 22:59:19
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
2023-03-29 22:59:18
BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
2023-03-29 22:59:18
BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
2023-03-29 22:59:16
BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
2023-03-29 22:53:09
EPC2010 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:53:09
BOARD DEV FOR EPC8005 65V EGAN
2023-03-29 22:51:10
BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
2023-03-29 22:50:13
BOARD DEV FOR EPC2102 60V EGAN
2023-03-29 22:49:05
BOARD DEV FOR EPC2001C 100V
2023-03-29 22:48:53
BOARD DEV FOR EPC2021 80V EGAN
2023-03-29 22:48:53
BOARD DEV FOR EPC2020 60V EGAN
2023-03-29 22:48:52
DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
2023-03-29 22:48:51
BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
2023-03-29 22:47:21
BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN
2023-03-29 22:47:14
EPC2007C eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13
EPC2035 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13
BOARDDEVFOREPC2045&EPC2022
2023-03-29 22:47:13
BOARD DEV EPC2001/21 EGAN
2023-03-29 22:47:12
EPC8002 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC8004 40V EGAN
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2101 60V EGAN
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2106
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
2023-03-29 22:47:11
BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:47:11
EPC2015 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:10
BOARD DEV FOR EPC8010 100V EGAN
2023-03-29 22:47:09
EPC2012C eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:09
BOARD DEV EPC2010C EGAN FET
2023-03-29 22:47:09
BOARD DEV FOR EPC2103 80V EGAN
2023-03-29 22:47:06
EPC2104 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:06
BOARD DEV FOR EPC2014C
2023-03-29 22:47:05
BOARD DEV EPC2036 100V EGAN FET
2023-03-29 22:47:05
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN
2023-03-29 22:47:04
EPC2023 eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:04
BOARD DEV FOR EPC2024 40V EGAN
2023-03-29 22:47:03
BOARD DEV FOR EPC2022 100V EGAN
2023-03-29 22:47:03
BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:46:57
BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN
2023-03-29 22:46:56
BOARD DEV FOR EPC2033
2023-03-29 22:46:56
DEMO CIRCUIT FOR EPC2021 80V
2023-03-29 22:46:54
EPC2204
2023-03-29 22:46:06
EPC2206
2023-03-29 22:41:58
EPC2152ENGRT
2023-03-29 17:35:50
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
2023-03-28 22:23:38
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
2023-03-28 22:19:33
EPC2001C–增強(qiáng)型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
EPC2216
2023-03-28 13:54:39
EPC2040
2023-03-28 13:23:02
EPC2212
2023-03-28 13:21:51
EPC2045
2023-03-28 13:20:57
EPC2052
2023-03-28 13:16:25
EPC2051
2023-03-28 13:16:21
評論
查看更多