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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Diodes推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動(dòng)器

Diodes推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動(dòng)器

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低壓柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)組成和工作過(guò)程

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如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器,這會(huì)考慮到更快的開(kāi)關(guān)、過(guò)壓條件以及噪聲和 EMI 等問(wèn)題。他說(shuō):“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器,但你必須用額外的電路來(lái)補(bǔ)充它,通常這就是權(quán)衡?!?/div>
2023-10-09 14:21:40423

意法半導(dǎo)體推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器

2023 年 9 月 6 日,中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
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STGAP2HD和STGAP2SICD電流隔離型4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

下的虛假開(kāi)關(guān)。對(duì)于這兩個(gè)通道,該器件可以提供高達(dá)4A的強(qiáng)大柵極控制信號(hào),其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí),有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹,將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
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本用例將討論隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在便攜式發(fā)電站中的應(yīng)用。
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使用新型160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC實(shí)現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(jì)(第二部分)

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2023-07-31 22:54:59314

6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiC MOSFET)

新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430

鈺泰ETA3005多串10A主動(dòng)均衡芯片,壓差超低,可用MCU控制,

ETA3005是一種誘導(dǎo)式平衡器。與傳統(tǒng)的被動(dòng)平衡技術(shù)不同,ETA3005利用一種帶有電感器的控制方案,在兩個(gè)細(xì)胞之間移動(dòng)電流,直到細(xì)胞達(dá)到平衡。由于開(kāi)關(guān)特性,大大降低了傳統(tǒng)線平衡技術(shù)產(chǎn)生的熱功耗
2023-07-27 10:48:1279

二極管柵極驅(qū)動(dòng)器的啟動(dòng)時(shí)序

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《二極管柵極驅(qū)動(dòng)器的啟動(dòng)時(shí)序.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 16:18:420

DGD2101高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC

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2023-07-24 15:55:430

柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET兼容性

介紹 在設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430

羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器

通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題:驅(qū)動(dòng)電壓低,容易誤啟動(dòng);柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門(mén)的驅(qū)動(dòng)器,不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 15:08:36442

為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器,柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)

IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579

柵極驅(qū)動(dòng)器電流多少正常啊,柵極驅(qū)動(dòng)器電流怎么計(jì)算

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電子器件,它能夠?qū)⑿盘?hào)電平作為輸入,通過(guò)放大和轉(zhuǎn)換等過(guò)程,產(chǎn)生適合于驅(qū)動(dòng)下級(jí)器件的電源信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441356

Allegro在慕展期間推出GaN隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換密度

Allegro 在行業(yè)盛事慕展期間發(fā)布氮化鎵(GaN)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器AHV85110,這是Allegro Power-Thru產(chǎn)品系列的首次發(fā)布,AHV85110能夠提供2倍功率密度,以及更簡(jiǎn)單
2023-07-13 16:05:02416

Allegro MicroSystems推出新型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC

傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和單獨(dú)的隔離電源,在系統(tǒng)組裝時(shí),驅(qū)動(dòng)器、電源和FET之間的連接可能會(huì)帶來(lái)不必要的噪聲,并產(chǎn)生電磁干擾(EMI),從而降低系統(tǒng)性能。而要減輕這些影響可能會(huì)帶來(lái)更多設(shè)計(jì)復(fù)雜性,增大項(xiàng)目進(jìn)度時(shí)間和成本,以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40361

90V三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片-PT5619

PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
2023-07-11 16:12:24434

ABB 伺服驅(qū)動(dòng)器e180系列優(yōu)勢(shì)介紹

伺服驅(qū)動(dòng)器
北京北成新控發(fā)布于 2023-07-11 13:47:42

柵極驅(qū)動(dòng)器IC方面取得的進(jìn)步讓開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)新的功率密度水平

經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 輸出級(jí)和封裝的多項(xiàng)創(chuàng)新
2023-07-08 14:48:48317

步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器亮紅燈維修

步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-29 18:55:02

H5N3005LD H5N3005LS H5N3005LM 數(shù)據(jù)表

H5N3005LD H5N3005LS H5N3005LM 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 18:38:180

CM3003:高性價(jià)比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器

摘要:CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無(wú)刷電機(jī)控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動(dòng)電路
2023-06-08 14:32:41706

滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品

電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:09362

ZXGD3113W6 MOSFET 控制

ZXGD3113W6 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODESZXGD3113 旨在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)監(jiān)控 MOSFET
2023-06-06 12:53:47

ZXGD3107N8 MOSFET 控制

ZXGD3107N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODESZXGD3107N8同步控制設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET作為理想的整流。這是為了取代二極管以提高功率傳輸效率。比例柵極驅(qū)動(dòng)控制監(jiān)控
2023-06-06 12:45:05

ZXGD3105N8 MOSFET 控制

ZXGD3105N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODESZXGD3105N8同步控制設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET作為理想的整流。這是為了取代二極管以提高功率傳輸效率。該器件由差分放大器檢測(cè)級(jí)
2023-06-06 12:38:08

ZXGD3104N8 MOSFET 控制

ZXGD3104N8  產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODESZXGD3104 旨在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)監(jiān)控
2023-06-06 12:23:56

ZXGD3103N8 MOSFET 控制

ZXGD3103N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODESZXGD3103 指在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)監(jiān)控 MOSFET
2023-06-06 12:15:31

ZXGD3101N8 MOSFET 控制

ZXGD3101N8  產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODESZXGD3101 指在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。這些AC-DC 轉(zhuǎn)換由差分放大器檢測(cè)級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成
2023-06-06 12:02:54

DRDC3105E6 繼電器 驅(qū)動(dòng)器

DRDC3105E6  產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DRDC3105 是一款集成固態(tài)直流繼電器驅(qū)動(dòng)器,可以切換感性負(fù)載。它通過(guò)充當(dāng)敏感邏輯電路和 3 至 6V DC 感應(yīng)繼電器線圈
2023-06-06 10:41:11

ZXGD3114N7 MOSFET 控制

ZXGD3114N7產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DIODESZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:15:17

ZXGD3112N7 MOSFET 控制

ZXGD3112N7產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DIODESZXGD3112N7 是一款 400V 有源 OR'ing MOSFET 控制,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 R DS(ON)功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:07:39

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473

柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用

柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526240

H5N3005LD H5N3005LS H5N3005LM 數(shù)據(jù)表

H5N3005LD H5N3005LS H5N3005LM 數(shù)據(jù)表
2023-05-09 19:48:080

川土微電子車規(guī)級(jí)CA-IS3221/3222隔離柵極驅(qū)動(dòng)器面市

? 川土微電子CA-IS3221/3222 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1車規(guī)級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布 01產(chǎn)品概述 CA-IS322X系列產(chǎn)品為雙通道、隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-24 18:31:401791

TM8273柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路資料

TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來(lái)產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率,峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí),TMI8723可以通過(guò)引腳VDS設(shè)置過(guò)電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311

如何定義柵極電阻、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì)MOSFET源極施加一些電阻?

您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06

茂睿芯柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-04-18 13:52:56699

薩科微slkor半導(dǎo)體研制的高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器-SL27517

,工程師們需要選用合適的柵極驅(qū)動(dòng)器,提高UPS的轉(zhuǎn)換效率和響應(yīng)速度,以滿足不斷增長(zhǎng)的UPS市場(chǎng)需求。高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電路,用于控制半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(例如MOSFET或IGBT)的導(dǎo)通和斷開(kāi),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制和調(diào)節(jié)。正確選擇高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-11 12:39:14279

如何利用高電流柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器,其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí),就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET,柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。
2023-04-08 09:19:29486

如何使用高速和高電流柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

具體而言,大電流柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)最小化開(kāi)關(guān)損耗來(lái)幫助提高整體系統(tǒng)效率。當(dāng) FET 打開(kāi)或打開(kāi)和關(guān)閉時(shí),會(huì)發(fā)生開(kāi)關(guān)損耗。要打開(kāi)FET,柵極電容必須充電超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電流有利于柵極電容
2023-04-07 10:23:291227

電力電子IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。   功率
2023-04-04 10:23:45546

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001

新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列,容易使用,最近發(fā)布的柵極驅(qū)動(dòng)器系列
2023-03-31 10:49:16735

ZXGD3005E6TA

柵極驅(qū)動(dòng) 25V 10A SOT26-6
2023-03-28 18:24:27

ZXGD3002E6TA

柵極驅(qū)動(dòng)IC 20V 9A SOT23-6
2023-03-28 18:24:27

ZXGD3006E6TA

柵極驅(qū)動(dòng) 10A 40V SOT26-6
2023-03-28 18:24:27

TF0216-USQ

高速、低壓側(cè)、單柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:40

TF2103M-TAH

半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:40

TF2104M-TAH

半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:39

TF2184-TAH

半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:38

TF2304M-TAH

半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:34

TF1503U-TAH

半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 12:51:49

LY3005LED驅(qū)動(dòng)控制芯片手冊(cè)

LY3005是一款多種模式可選的單芯片LED驅(qū)動(dòng)控制芯片,集成了鋰電池充電管理模塊、LED功能控制模塊和保護(hù)模塊,關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA。LY3005充電電流0.6A,最大輸出電流為1.2A,也可以
2023-03-24 15:46:011

用于電力電子器件的柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。
2023-03-23 16:48:48535

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514

DGD2190S8-13

SO-8中的高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-23 04:51:20

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