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2024-03-22 14:00:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21750-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:38:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車類 4A、6A 增強(qiáng)型隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21551x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 11:40:320 液體 PMIC - 柵極驅(qū)動(dòng)器 0 ~ 1 ml/分鐘
2024-03-14 22:30:05
Diodes 公司推出一款符合汽車規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動(dòng)器,讓用戶能獨(dú)立控制三個(gè)通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31640 榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器,該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù),集成了多種保護(hù)功能,專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng),MicrochipTechnologyInc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 Microchip近日宣布推出一款創(chuàng)新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器采用了Augmented Switching?專利技術(shù),進(jìn)一步擴(kuò)展了其mSiC解決方案系列,為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此,電路設(shè)計(jì)人員經(jīng)常求助于為硅MOSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器,從而需要仔細(xì)考慮各種因素以獲得最佳性能。 GaN晶體管與Si MOSFETs 與硅MOSFETs相比,eGaN FETs表現(xiàn)出不同的特性,影響其與專為后者設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器一起工作。一些主要差
2024-03-05 14:28:16399 這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用,從而簡(jiǎn)化并加快系統(tǒng)集成 ? 萬(wàn)物電氣化推動(dòng)了碳化硅 (SiC)技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車等中高
2024-03-01 16:57:54318 在電子設(shè)備領(lǐng)域,“驅(qū)動(dòng)”一詞占據(jù)著至關(guān)重要的地位,充當(dāng)推動(dòng)信號(hào)、控制和電源的力量。這個(gè)復(fù)雜世界中的一個(gè)重要組件是隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,這項(xiàng)技術(shù)在確保各種電子系統(tǒng)高效、安全運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-03-01 16:16:43207 GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門(mén)為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此,電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器,這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開(kāi)關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:341236 納芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,這款產(chǎn)品具有出色的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-15 15:14:21457 必易微新推出的柵極驅(qū)動(dòng)器 KP85402,專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個(gè)高可靠性、低成本的解決方案,以滿足各種柵極驅(qū)動(dòng)需求。
2024-01-08 15:33:25390 驅(qū)動(dòng)器IC,包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160V的絕緣體上硅片(SOI)柵極驅(qū)動(dòng)器均為
2024-01-08 08:13:50150 非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在,借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng)器供電變得空前簡(jiǎn)單。
2023-12-21 11:46:42334 報(bào)告內(nèi)容包含:
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57156 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列,一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代,電子元件是塑造我們生活的無(wú)數(shù)技術(shù)奇跡的支柱。從智能手機(jī)到電動(dòng)汽車以及介于兩者之間的所有產(chǎn)品,電子元件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。稱為柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵組件在控制半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文深入探討了柵極驅(qū)動(dòng)器的原理、其重要性以及它們?nèi)绾未龠M(jìn)電子電路和系統(tǒng)的高效運(yùn)行。
2023-12-06 10:05:32431 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:00:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADuM4135:提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 09:37:154 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《4.0 A隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM7223應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 09:13:231 使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南(一)
2023-11-28 16:18:10271 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4121/ADuM4121-1數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 10:52:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:57:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 GaN和SiC的使用數(shù)量正在急劇增加,但是并非所有柵極驅(qū)動(dòng)器都適合使用這些技術(shù),ADI針對(duì)這些GaN和SiC產(chǎn)品提供了豐富柵極驅(qū)動(dòng)器,并將柵極驅(qū)動(dòng)器分為三類:第一類是簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)器;第二類是監(jiān)控柵極驅(qū)動(dòng)器;第三類是可編程柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-11-17 18:45:01326 ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件可實(shí)現(xiàn)納秒 (ns) 級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)速度,因此非常適合高速 GaN 功率器件開(kāi)關(guān)。 通過(guò)對(duì)氮化鎵技術(shù)的全面
2023-11-14 15:04:58438 引言:在多相電源控制器里,PWM波輸出最為常見(jiàn),但是HL型也使用較多,與PWM型相比,HL型控制更為獨(dú)立,更為靈活,抗干擾能力也較好,唯獨(dú)就是需要兩個(gè)控制輸出,本節(jié)簡(jiǎn)述HL型柵極驅(qū)動(dòng)器。
2023-11-13 18:27:52689 引言:對(duì)于中壓或高壓的電源系統(tǒng),對(duì)MOS組的要求特別高,DrMOS已經(jīng)不能滿足設(shè)計(jì)參數(shù)要求,此時(shí)將DrMOS再次分拆開(kāi)來(lái),將驅(qū)動(dòng)部分獨(dú)立成為柵極驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度和抗擾度極佳,非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、家用電器、SMPS、電池供電應(yīng)用和大功率照明。
2023-11-10 16:00:48912 MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強(qiáng)型隔離等級(jí),主要
2023-10-26 16:02:08347 DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 ZXGD3006E6Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的ZXGD3006E6Q這是一款用于開(kāi)關(guān) IGBT 和 SiC MOSFET 的 40V 柵極驅(qū)動(dòng)器 。它可以將高達(dá) 10A
2023-10-19 11:28:50
ZXGD3004E6Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的ZXGD3004E6Q這是一款高速非反相單柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于切換MOSFET或IGBTS。最高可傳輸5A峰值源極/源極電流
2023-10-19 11:24:37
ZXGD3003E6Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的ZXGD3003E6Q這款柵極驅(qū)動(dòng)器可確保 MOSFET 的快速開(kāi)關(guān),從而最大限度地減少高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的功率損耗和失真。它通常只需來(lái)自控制器
2023-10-19 11:16:36
額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心
驅(qū)動(dòng)器,這會(huì)考慮到更快的開(kāi)關(guān)、過(guò)壓條件以及噪聲和 EMI 等問(wèn)題。他說(shuō):“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)
柵極驅(qū)動(dòng)器,但你必須用額外的電路來(lái)補(bǔ)充它,通常這就是權(quán)衡?!?/div>
2023-10-09 14:21:40423 2023 年 9 月 6 日,中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 下的虛假開(kāi)關(guān)。對(duì)于這兩個(gè)通道,該器件可以提供高達(dá)4A的強(qiáng)大柵極控制信號(hào),其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí),有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹,將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34807 本用例將討論隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在便攜式發(fā)電站中的應(yīng)用。
2023-08-02 11:41:49372 作者簡(jiǎn)介作者:SrivatsaRaghunath翻譯:趙佳6ED2742S01Q是一款用于電池供電應(yīng)用的高性價(jià)比、易于使用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的寬工作電壓范圍
2023-07-31 22:54:59314 新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430 ETA3005是一種誘導(dǎo)式平衡器。與傳統(tǒng)的被動(dòng)平衡技術(shù)不同,ETA3005利用一種帶有電感器的控制方案,在兩個(gè)細(xì)胞之間移動(dòng)電流,直到細(xì)胞達(dá)到平衡。由于開(kāi)關(guān)特性,大大降低了傳統(tǒng)線平衡技術(shù)產(chǎn)生的熱功耗
2023-07-27 10:48:1279 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《二極管柵極驅(qū)動(dòng)器的啟動(dòng)時(shí)序.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 16:18:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2101高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 15:55:430 介紹
在設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題:驅(qū)動(dòng)電壓低,容易誤啟動(dòng);柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門(mén)的驅(qū)動(dòng)器,不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 15:08:36442 IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電子器件,它能夠?qū)⑿盘?hào)電平作為輸入,通過(guò)放大和轉(zhuǎn)換等過(guò)程,產(chǎn)生適合于驅(qū)動(dòng)下級(jí)器件的電源信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441356 Allegro 在行業(yè)盛事慕展期間發(fā)布氮化鎵(GaN)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器AHV85110,這是Allegro Power-Thru產(chǎn)品系列的首次發(fā)布,AHV85110能夠提供2倍功率密度,以及更簡(jiǎn)單
2023-07-13 16:05:02416 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和單獨(dú)的隔離電源,在系統(tǒng)組裝時(shí),驅(qū)動(dòng)器、電源和FET之間的連接可能會(huì)帶來(lái)不必要的噪聲,并產(chǎn)生電磁干擾(EMI),從而降低系統(tǒng)性能。而要減輕這些影響可能會(huì)帶來(lái)更多設(shè)計(jì)復(fù)雜性,增大項(xiàng)目進(jìn)度時(shí)間和成本,以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40361 PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
2023-07-11 16:12:24434 經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 輸出級(jí)和封裝的多項(xiàng)創(chuàng)新
2023-07-08 14:48:48317 H5N3005LD H5N3005LS H5N3005LM 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 18:38:180 摘要:CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無(wú)刷電機(jī)控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動(dòng)電路
2023-06-08 14:32:41706 電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:09362 ZXGD3113W6 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXGD3113 旨在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)器監(jiān)控 MOSFET
2023-06-06 12:53:47
ZXGD3107N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXGD3107N8同步控制器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET作為理想的整流器。這是為了取代二極管以提高功率傳輸效率。比例柵極驅(qū)動(dòng)控制監(jiān)控
2023-06-06 12:45:05
ZXGD3105N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXGD3105N8同步控制器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET作為理想的整流器。這是為了取代二極管以提高功率傳輸效率。該器件由差分放大器檢測(cè)器級(jí)
2023-06-06 12:38:08
ZXGD3104N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXGD3104 旨在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)器監(jiān)控
2023-06-06 12:23:56
ZXGD3103N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXGD3103 指在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)器監(jiān)控 MOSFET
2023-06-06 12:15:31
ZXGD3101N8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXGD3101 指在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。這些AC-DC 轉(zhuǎn)換器由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成
2023-06-06 12:02:54
DRDC3105E6 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DRDC3105 是一款集成固態(tài)直流繼電器驅(qū)動(dòng)器,可以切換感性負(fù)載。它通過(guò)充當(dāng)敏感邏輯電路和 3 至 6V DC 感應(yīng)繼電器線圈
2023-06-06 10:41:11
ZXGD3114N7產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:15:17
ZXGD3112N7產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DIODES 的 ZXGD3112N7 是一款 400V 有源 OR'ing MOSFET 控制器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 R DS(ON)功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:07:39
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473 柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526240 H5N3005LD H5N3005LS H5N3005LM 數(shù)據(jù)表
2023-05-09 19:48:080 ? 川土微電子CA-IS3221/3222 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1車規(guī)級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布 01產(chǎn)品概述 CA-IS322X系列產(chǎn)品為雙通道、隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-24 18:31:401791 TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來(lái)產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率,峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí),TMI8723可以通過(guò)引腳VDS設(shè)置過(guò)電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311 您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-04-18 13:52:56699 ,工程師們需要選用合適的柵極驅(qū)動(dòng)器,提高UPS的轉(zhuǎn)換效率和響應(yīng)速度,以滿足不斷增長(zhǎng)的UPS市場(chǎng)需求。高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電路,用于控制半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(例如MOSFET或IGBT)的導(dǎo)通和斷開(kāi),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制和調(diào)節(jié)。正確選擇高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-11 12:39:14279 特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器,其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí),就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET,柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。
2023-04-08 09:19:29486 具體而言,大電流柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)最小化開(kāi)關(guān)損耗來(lái)幫助提高整體系統(tǒng)效率。當(dāng) FET 打開(kāi)或打開(kāi)和關(guān)閉時(shí),會(huì)發(fā)生開(kāi)關(guān)損耗。要打開(kāi)FET,柵極電容必須充電超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流有利于柵極電容
2023-04-07 10:23:291227 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列,容易使用,最近發(fā)布的柵極驅(qū)動(dòng)器系列
2023-03-31 10:49:16735 柵極驅(qū)動(dòng) 25V 10A SOT26-6
2023-03-28 18:24:27
柵極驅(qū)動(dòng)IC 20V 9A SOT23-6
2023-03-28 18:24:27
柵極驅(qū)動(dòng) 10A 40V SOT26-6
2023-03-28 18:24:27
高速、低壓側(cè)、單柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:40
半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:40
半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:39
半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:38
半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 16:49:34
半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 12:51:49
LY3005是一款多種模式可選的單芯片LED驅(qū)動(dòng)控制芯片,集成了鋰電池充電管理模塊、LED功能控制模塊和保護(hù)模塊,關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA。LY3005充電電流0.6A,最大輸出電流為1.2A,也可以
2023-03-24 15:46:011 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。
2023-03-23 16:48:48535 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514 SO-8中的高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-23 04:51:20
評(píng)論
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