由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:08
198 
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過(guò)改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場(chǎng)截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹(shù)立了新的標(biāo)桿。
2024-03-01 09:53:53163 江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”）正式啟動(dòng)A股IPO進(jìn)程，并已向證監(jiān)會(huì)提交上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。該公司是一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有領(lǐng)先技術(shù)的高新技術(shù)企業(yè)，專注于IGBT、coolmos、SiC等芯片產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)以及IGBT模塊的封裝和測(cè)試。
2024-02-27 13:58:21298 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
IGBT模塊是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。
2024-02-26 18:25:18862 
樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以
2024-02-19 12:28:04191 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
三菱電機(jī)近日宣布，將推出一系列新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，專為各類電動(dòng)汽車（EV、PHEV等）設(shè)計(jì)。這些模塊采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，具有緊湊的設(shè)計(jì)和卓越的性能，可大幅提高電動(dòng)汽車的能效和續(xù)航里程。
2024-01-25 16:04:19259 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年1月23日）宣布即將推出六款用于各種電動(dòng)汽車（xEV）的新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，
2024-01-24 14:14:07785 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521673 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器中的半導(dǎo)體器件，用于控制和調(diào)節(jié)電流。在維修或更換IGBT模塊時(shí)，需要拆卸舊的模塊并安裝新的模塊。以下是拆卸IGBT模塊的步驟： 斷開(kāi)電源
2024-01-10 17:54:57266 
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分，有功率晶體管（MOSFET、IGBT等）、二極管、晶閘管、雙向可控硅等半導(dǎo)體元件；按形式劃分，有半導(dǎo)體元件（分立
2024-01-10 09:38:25565 
功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹。 功率半導(dǎo)體的工作原理 功率半導(dǎo)體的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
模塊等，結(jié)合實(shí)際工作中經(jīng)常和功率半導(dǎo)體廠家、業(yè)界的諸多逆變器硬件工程師交流，對(duì)單管和模塊進(jìn)行簡(jiǎn)單的總結(jié)，希望對(duì)大家的IGBT設(shè)計(jì)選型和逆變器選型有所幫助。 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor），其生產(chǎn)工藝主要包括晶體管
2024-01-09 09:04:35258 功率器件在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導(dǎo)體IGBT系列。
2024-01-03 13:41:09310 
功率器件在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導(dǎo)體IGBT系列。
2024-01-03 11:44:30240 
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 （株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室） 摘要： 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)工藝和銅引線鍵合工藝，依據(jù)系列質(zhì)量表征和評(píng)價(jià)
2023-12-20 08:41:09418 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25311 
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
是一種重要的關(guān)鍵技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先，我們來(lái)了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開(kāi)關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開(kāi)關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn)，適用于高
2023-12-07 16:45:21469 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半導(dǎo)體和集成電路是兩種不同類型的電子器件，它們?cè)谠O(shè)計(jì)、制造、應(yīng)用等方面有著顯著的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別。 一、定義 功率半導(dǎo)體指的是能夠承受較大功率和電流的半導(dǎo)體器件
2023-12-04 17:00:57682 IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 功率半導(dǎo)體有多種類型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多?；旧?，所有功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 國(guó)內(nèi)各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對(duì)比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級(jí)，主要分為A0/A00級(jí)以下，A級(jí)車，還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?。?015年以前是沒(méi)有IGBT車規(guī)級(jí)的說(shuō)法
2023-11-23 16:48:00556 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
宏微科技依靠自身優(yōu)勢(shì)的長(zhǎng)期積累，成功實(shí)現(xiàn)了 IGBT、FRED 等功率半導(dǎo)體器件（涵蓋芯片、單管、模塊）的多類型產(chǎn)品布局。目前公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED芯片及單管產(chǎn)品100余種、IGBT、FRED、整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種
2023-11-21 17:45:03469 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 據(jù)悉，匯芯半導(dǎo)體成立于2020年，是一家專注于功率芯片及模塊開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，其主要產(chǎn)品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號(hào)半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490 
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052492 
意法半導(dǎo)體推出面向汽車應(yīng)用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、流體泵和空調(diào)等系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有
2023-10-26 17:31:32741 傳統(tǒng)的功率模塊基本結(jié)構(gòu)分層圖來(lái)說(shuō)說(shuō)其構(gòu)成：可見(jiàn)，我們前面聊的很多的半導(dǎo)體芯片，只是功率模塊中的一部分，除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配，再結(jié)合半導(dǎo)體芯片的特性，將決定功率模塊的整體性
2023-10-24 09:45:033032 igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:221313 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21878 
IGBT賽道，如芯聚能半導(dǎo)體于2019年9月開(kāi)啟25億元的投資項(xiàng)目，目標(biāo)面向新能源汽車用功率模塊；
接下來(lái)為大家盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)的IGBT企業(yè)（注：排名不分先后，不完全統(tǒng)計(jì)）
圖-9：IGBT模塊國(guó)內(nèi)廠商分布情況
2023-10-16 11:00:14
芯未半導(dǎo)體的半導(dǎo)體項(xiàng)目于去年8月開(kāi)工。當(dāng)時(shí)芯片未完成項(xiàng)目共投資10億元人民幣，分兩個(gè)階段建設(shè)，竣工投產(chǎn)后，將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構(gòu)成產(chǎn)品等的電力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)提供igbt特有的授權(quán)委托加工服務(wù)。
2023-10-16 10:13:52390 IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器恒定功率驅(qū)動(dòng)電路，采用負(fù)反饋運(yùn)算放大電路構(gòu)成恒流源，電容充放電模塊構(gòu)成穩(wěn)壓環(huán)節(jié)，以高精度電流檢測(cè)芯片 MAX4008監(jiān)測(cè) PIN光電探測(cè)器探測(cè)電流，以此為基準(zhǔn)，引入功率反饋環(huán)節(jié)，穩(wěn)定輸出功率。闡述并分析了電路原理與實(shí)驗(yàn)結(jié)果，表明電路運(yùn)行穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)了精確的自動(dòng)功率控制。
2023-09-19 07:15:15
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531804 
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521082 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? ?? 意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)
2023-09-07 08:10:01407 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見(jiàn)的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 隨著全球新能源的發(fā)展，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
2023-09-01 15:06:571677 
隨著電動(dòng)汽車銷量穩(wěn)健增長(zhǎng)，最先獲益的功率半導(dǎo)體器件有望是哪些?車載功率半導(dǎo)體廠商應(yīng)該把握哪兩個(gè)核心市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力? 當(dāng)前，電動(dòng)汽車作為新能源汽車的最重要載體和代表，逐漸成為消費(fèi)者選擇的主流。 電動(dòng)汽車
2023-08-31 14:47:13153 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
? 針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm
2023-08-08 10:59:38772 
列。 ? ? ? ? ? 公司汽車電子事業(yè)部總監(jiān)李海鋒應(yīng)邀在會(huì)上作了《汽車電氣化中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的機(jī)遇和挑戰(zhàn)》主題演講。 ? ? ? 士蘭微電子功率器件中，MOSFET、IGBT大功率模塊（PIM）、肖特基管、穩(wěn)壓管、開(kāi)關(guān)管、TVS管等產(chǎn)品的增長(zhǎng)較快，公司的超
2023-08-07 11:34:091676 近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:43404 
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過(guò)電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
今年以來(lái)，國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊，意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi)，是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品型號(hào)值得推薦呢？
2023-07-14 10:29:28408 
從當(dāng)前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體來(lái)看，呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家數(shù)量多、發(fā)展迅速等特點(diǎn)。按區(qū)域來(lái)看，目前中國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)主要分布在長(zhǎng)三角和珠三角等地。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2022年6月底，廣東共有相關(guān)功率半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)114家，江蘇則有82家。
2023-07-13 11:36:34640 
電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142495 
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。
2023-07-06 16:19:33793 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng)，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 斯達(dá)半導(dǎo)體長(zhǎng)期致力于新能源汽車功率半導(dǎo)體芯片和模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是國(guó)內(nèi)新能源汽車大功率車規(guī)級(jí)功率模塊的主要供應(yīng)商。2022年斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)模塊配套超過(guò)120萬(wàn)輛新能源汽車，為國(guó)內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的自主化高質(zhì)量發(fā)展提供了有力技術(shù)和戰(zhàn)略支撐。
2023-06-27 16:50:19302 無(wú)獨(dú)有偶，在車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日，深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作，雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司，雙方將圍繞車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊開(kāi)展合作，共同推進(jìn)下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556 
IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據(jù)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無(wú)線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組 成電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)總成。
2023-06-09 16:48:232758 
在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年第二季度以來(lái)，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到223.7億美元，同比增長(zhǎng)20.1%。預(yù)計(jì) 2022 年的訂單將保持強(qiáng)勁，但由于半導(dǎo)體制造所用設(shè)備和材料的需求緊張，預(yù)計(jì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比增長(zhǎng) 6.8% 至 238.9 億美元。
2023-06-02 16:05:33553 
）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V
2023-05-17 15:10:46956 ，通過(guò)接通或斷開(kāi)控制極來(lái)控制陰極和陽(yáng)極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓
2023-05-17 15:09:125477 ～賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作～ 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好
2023-05-17 13:35:02938 
隨著IGBT的耗散功率和開(kāi)關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無(wú)法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25511 
賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市） 在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅） 功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517 
賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系
2023-04-26 09:17:51606 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 ）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹及主要種類！
2023-04-14 15:26:45554 
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 13:46:39
新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中電機(jī)控制器最廣泛的解決方案是采用IGBT。多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起，形成一個(gè)IGBT模塊，具有更高的功率和更強(qiáng)的散熱能力。
2023-04-13 15:05:391963 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartranslator，IGBT）模塊的普遍應(yīng)用，電力電子可靠性要求不斷提高，而過(guò)熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965 
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
2023-03-31 12:44:271882 2023年3月29日下午14：30，成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司召開(kāi)首次產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，推出微模塊電源、1/16磚隔離DC-DC電源模塊、超寬高壓直流電源模塊、客制電源開(kāi)發(fā)等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。 產(chǎn)品
2023-03-29 19:23:34313 功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制，是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件，被譽(yù)為 電能處理的“CPU”，是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一
2023-03-24 17:29:233740 
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