供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
2024-03-14 21:19:01
Diodes 公司推出一款符合汽車規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動器，讓用戶能獨(dú)立控制三個通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31
640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動器，讓使用者能獨(dú)立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
電子元器件的封裝測試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。
2024-02-23 18:17:171002 Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的新型雙通道高側(cè)電源開關(guān)，分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。這些新品進(jìn)一步豐富了其IntelliFET自我保護(hù)型MOSFET產(chǎn)品組合，為汽車行業(yè)帶來了更強(qiáng)大的電源管理解決方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的雙通道高側(cè)電源開關(guān) — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
我知道嵌入式軟件構(gòu)建工具報告程序閃存使用情況。我認(rèn)為他們也報告了 RAM 使用情況，但他們是否報告了最大 RAM 使用率？
生成工具可能不知道在運(yùn)行時將使用多少堆。是否還有其他構(gòu)建工具不知道的 RAM 使用情況？
如何準(zhǔn)確找出運(yùn)行時使用的RAM量？
2024-01-31 07:48:58
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 將 AH371xQ 系列高電壓霍爾效應(yīng)鎖存器加入產(chǎn)品組合。
2024-01-05 13:52:22334 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:49279 應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 器件可靠性與溫度的關(guān)系
2023-12-04 16:34:45239 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 加拿大蒙特利爾 - 11月27日 - 全球知名的電子元器件分銷商富昌電子最近榮獲 Diodes 公司頒發(fā)的2023年最佳全球分銷商獎。 Diodes公司是全球領(lǐng)先的高品質(zhì)模擬、分立、邏輯和混合信號
2023-11-30 15:52:51131 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 協(xié)議的信號 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 TO-220-5,其中TO-220表示封裝代號，后面的5表示管腳數(shù)，TO封裝主要應(yīng)用在照明設(shè)備開關(guān)電源，微波爐，電動汽車等電子產(chǎn)品的中高功率器件；
第二種：DIP封裝，也叫雙列直插式封裝
2023-11-22 11:30:40
如果器件的最高工作溫度為85℃，器件的儲存溫度為125℃，請教此器件如果在通電狀態(tài)下，且溫度達(dá)到120℃，此時器件是否會損壞？
2023-11-17 13:24:22
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 ，能夠像IGBT一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款適用于各種車用 LED 產(chǎn)品應(yīng)用的升壓/單端初級電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:43
供應(yīng)商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:43
供應(yīng)商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:43
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:50:35
供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:50:33
供應(yīng)商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:50:33
供應(yīng)商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:50:33
供應(yīng)商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:50:32
供應(yīng)商器件封裝
2023-09-07 11:50:32
供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:50:28
供應(yīng)商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:50:28
供應(yīng)商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:25
供應(yīng)商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:25
供應(yīng)商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:50:21
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:18
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:15
供應(yīng)商器件封裝 E 32 x 16 x 9
2023-09-07 11:50:14
供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:50:10
供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:50:10
供應(yīng)商器件封裝 E 32 x 16 x 9
2023-09-07 11:50:10
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:50:07
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:28
供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:49:25
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:49:25
供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:49:24
供應(yīng)商器件封裝 E 8 x 8
2023-09-07 11:49:18
供應(yīng)商器件封裝
2023-09-07 11:49:12
供應(yīng)商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 RM 7
2023-09-07 11:49:07
供應(yīng)商器件封裝 EP 7
2023-09-07 11:49:07
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:49:04
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:49:04
供應(yīng)商器件封裝 P 7 x 4
2023-09-07 11:49:02
供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:49:01
供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:49:01
供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:48:52
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:48:51
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:48:51
供應(yīng)商器件封裝 RM 7
2023-09-07 11:48:49
供應(yīng)商器件封裝 EP 7
2023-09-07 11:48:46
供應(yīng)商器件封裝 EP 7
2023-09-07 11:48:46
供應(yīng)商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:48:42
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:48:23
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:48:05
供應(yīng)商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:47:00
供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:46:58
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確保可靠運(yùn)行.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 16:07:11
0 /HEV 子系統(tǒng)中的馬達(dá)驅(qū)動器、EV 牽引變流器及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。憑借低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產(chǎn)品應(yīng)用中，此系列 MOSFET 能以較低的溫度運(yùn)作。
2023-07-20 15:43:45374 元器件溫度預(yù)測在很多方面都有重要意義。一直以來，元器件溫度關(guān)系到可靠性，早期研究認(rèn)為現(xiàn)場故障率與穩(wěn)態(tài)元器件溫度相關(guān)。近來，基于物理學(xué)的可靠性預(yù)測將電子組件的故障率與工作周期（開機(jī)、關(guān)機(jī)又開機(jī)等）內(nèi)的溫度變化幅度和溫度變化率關(guān)聯(lián)起來，而這兩個因素均受穩(wěn)態(tài)工作溫度的影響。
2023-07-11 10:31:14659 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
在電力電容器運(yùn)行過程中，溫度對電容器的影響非常大。如果電容器運(yùn)行時溫度過高，不僅會影響電容器的使用壽命，還有可能造成嚴(yán)重的故障。那么在電力電容器運(yùn)行時，電容器溫度多少才算正常呢？
2023-05-25 14:57:341923 Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合的新產(chǎn)品。AP62500和AP62800 的連續(xù)輸出電流額定值分別為5A 和8A，讓工程師在開發(fā)針對效率或尺寸進(jìn)行優(yōu)化的負(fù)載點(diǎn)（POL） 解決方案時，更具彈性。
2023-05-15 16:11:29556 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
?內(nèi)部層-平均50%的面積覆蓋 ?散熱過孔-在每個器件下，5×4散熱過孔的圖案為0.8mm內(nèi)徑器件間距d=25mm ?每臺器件的功耗為0.5W 第四章指出單個Mosfet的位置對他們的運(yùn)行溫度
2023-04-21 15:19:53
是最小的?！ ∫话銇碚f，主要的熱路徑是通過封裝漏極片，進(jìn)入任何連接到這個連接的平面，這是本指南中要考慮的配置?！ ⊥ㄟ^對不同尺寸的“x”進(jìn)行實驗設(shè)計，我們可以確定器件結(jié)溫度（Tj）隨銅面積的變化情況
2023-04-20 16:54:04
在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)
2023-04-18 09:53:235973 
場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進(jìn)行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數(shù)受溫度的影響機(jī)理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉(zhuǎn)移特性等參量， 以便找到能夠表征結(jié) 溫特性
2023-04-15 10:03:061452 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出 AP7387Q 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器。此裝置可提供 150mA 的最大輸出電流，具有 5V 至 60V 的寬廣輸入電壓
2023-04-11 17:45:591461 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
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