深圳市薩科微半導體有限公司，技術骨干來自清華大學和韓國延世大學，掌握第三代半導體碳化硅功率器件國際領先的工藝，和第五代超快恢復功率二極管技術。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產(chǎn)品不僅在設計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224 絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導體，具有MOSFET 的高速、電壓相關柵極開關特性以及 BJT 的最小導通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，也稱為功率MOS場效應晶體管。
2024-02-21 16:25:23516 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種半導體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導體三極管或三極管，是一種具有三個終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05290 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管是一種三端半導體器件，用于開關或放大信號。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
2024-01-19 10:07:271167 
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常用的功率開關器件，也是現(xiàn)代電子設備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導體結構組成。
2024-01-17 17:16:44365 IGBT）是一種半導體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 晶體管是一種半導體器件，用于放大電信號、開關電路和邏輯運算等。它是現(xiàn)代電子技術和計算機科學的核心之一。在晶體管中，有三個電極：基極、發(fā)射極和集電極。這三個電極的電壓之間的關系對于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類，其中晶體管市場份額最大，常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及各種保護電路等集成于同一芯片的集成電路，是系統(tǒng)信號處理部分和執(zhí)行部分的橋梁。
2023-12-18 10:43:09668 
MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 [半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導體有多種類型，我們可以使用它們的應用甚至更多?；旧?，所有功率半導體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
在電力電子領域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是兩種關鍵的功率半導體器件。它們的獨特特性使它們在高效能和高頻率應用中非常重要。本文將探討IGBT和MOSFET的工作原理、封裝技術及其廣泛的應用。
2023-11-15 14:12:32176 
據(jù)悉，匯芯半導體成立于2020年，是一家專注于功率芯片及模塊開發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，其主要產(chǎn)品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場效應晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金屬-氧化物半導體場效應晶體管的英文縮寫，由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極
2023-11-07 14:51:15638 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點和缺點？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中，各有強項和弱點，本文著重闡述四種晶體管的優(yōu)點和缺點。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256156 STM32H725ZGT6，ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564 KB，RAM、以太網(wǎng)、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位
2023-10-16 15:52:51
根據(jù)專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電源設計者只要熟悉雙極型晶體管的設計，掌握關于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學會使用MOSFET管進行電路設計。對電路設計者來說,決定MOSFET管特性的制造材料和固態(tài)物理結構并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構件。
2023-09-27 10:59:402306 
參數(shù)參數(shù)名稱屬性值Brand NameSTMicroelectronics廠商名稱ST(意法半導體)零件包裝代碼SFM包裝說明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3針數(shù)3Reach
2023-09-26 21:23:46
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導體器件。它是一種三端口半導體器件，這些引腳分別標記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）。現(xiàn)在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰會簡介第五屆意法半導體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
開關頻率的PFC? SLLIMM* IPM逆變器電源? MDmesh M2超結功率MOSFET? 意法半導體Turbo 2超快高壓整流器? VIPER31輔助電源
2023-09-08 06:59:33
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 25年來，技術創(chuàng)新一直是意法半導體公司的戰(zhàn)略核心，這也是意法半導體當前能夠為電力和能源管理領域提供廣泛尖端產(chǎn)品的原因。意法半導體的產(chǎn)品組合包括高效率的電源技術，如：? 碳化硅功率分立器件? 高壓
2023-09-07 07:36:32
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291490 
本應用筆記為將意法半導體環(huán)境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
晶體管是一種半導體元器件，它由三個層疊在一起的材料構成，分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導體器件的范疇，它們的出現(xiàn)都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關鍵的區(qū)別，這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點、應用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設備的基礎，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導體器件，它可以放大或開關電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術中最重要的兩個概念，二者有密不可分的關系。晶體管是一種半導體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發(fā)揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
的制造商生產(chǎn)半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。
2023-07-11 10:56:241285 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596 
和設計師的首選。本文將深入探討RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理，并介紹其在不同應用領域中的突出應用。 一、RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理 功率晶體管簡介： 功率晶體管是一種用于控制和放大電力信號的半導體器件。與傳統(tǒng)的小信號晶體管相比
2023-06-12 16:48:161016 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
） 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金屬氧化物半導體場效應晶體管） 8. Complementary MOSFET (CMOS)（互補MOSFET）
2023-06-02 14:15:36937 晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362177 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
MOSFET是金屬－氧化物－半導體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）用于許多不同類型的電源應用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及電信。在設計階段，這些廣泛使用的功率晶體管
2023-05-24 11:25:281214 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種場效應晶體管，這意味著它通過使用電場來控制電流。MOSFET 通常有三個端子：柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導的電流通過施加到柵極的電壓進行控制
2023-05-24 11:19:06720 柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
按照器件結構，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:022967 
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
有沒有負觸發(fā)導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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